【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】斜面蚀刻工艺之后的铜脱色防止交叉引用本申请依照35U. S. C. 119 要求对名称为 “C0PPERDISC0L0RATI0N PREVENTION FOLLOWING BEVEL ETCHPR0CESS，，，申请日为 2008 年 12 月 27 日的美国临时申请61/009，142 的优先权，其全部内容通过引用并入此处。
技术实现思路
提供一种在斜面蚀刻机中用含氟等离子体斜面边缘蚀刻具有暴露铜表面的半导 体衬底的方法，该半导体衬底被支撑在该斜面蚀刻机中的半导体衬底支座上。该方法包含 在该斜面蚀刻机中用该含氟等离子体斜面边缘蚀刻该半导体衬底；在完成该斜面边缘蚀刻 后抽空该斜面蚀刻机；使脱氟气体流入该斜面蚀刻机；在该半导体衬底的外围处将该脱氟 气体激励为脱氟等离子体；以及在阻止该半导体衬底的该暴露铜表面脱色的条件下用该脱 氟等离子体处理该半导体衬底，其中该脱色在过长的暴露于空气中之后出现。附图说明图1是依照一个实施方式的斜面蚀刻机的横截面示意图。图2是显示经过NF3/C02斜面蚀刻处理、N2-H2Afe处理并暴露于空气中超过72小 时以后，半导体晶圆的铜表面上的原子...
【技术保护点】
一种在斜面蚀刻机中用含氟等离子体斜面边缘蚀刻具有暴露铜表面的半导体衬底的方法，该半导体衬底被支撑在该斜面蚀刻机中的半导体衬底支座上，包含：在该斜面蚀刻机中用该含氟等离子体斜面边缘蚀刻该半导体衬底；在完成该斜面边缘蚀刻后抽空该斜面蚀刻机；使脱氟气体流入该斜面蚀刻机；在该半导体衬底的外围处将该脱氟气体激励为脱氟等离子体；以及在阻止该半导体衬底的该暴露铜表面脱色的条件下用该脱氟等离子体处理该半导体衬底，其中该脱色在过长的暴露于空气中之后出现。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：方同，安德鲁D贝利三世，金润相，奥利维尔利古塔，乔治斯托贾斯科维奇，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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