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一种在斜面蚀刻机中用含氟等离子体斜面边缘蚀刻具有暴露铜表面的半导体衬底的方法，其中该半导体衬底被支撑在该斜面蚀刻机中的半导体衬底支座上，该方法包含在该斜面蚀刻机中用该含氟等离子体斜面边缘蚀刻该半导体衬底；在完成该斜面边缘蚀刻后抽空该斜面蚀刻...
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