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本发明公开了一种厚铜板蚀刻工艺，包括以下步骤：S1，压模；S2，曝光；S3，显影；S4，蚀刻；S5，测量线宽线距；S6，退膜。本发明将要蚀刻的线路面超下，这样可以很好的避免水池效应，提高蚀刻因子，同时提高蚀刻的均匀性，并且降低由于设备、药水...
该专利属于昆山大洋电路板有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过昆山大洋电路板有限公司授权不得商用。

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