【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及功率器件领域，尤其涉及绝缘体上硅横向双扩散金化物属氧半导体场效应管结构。
技术介绍
SOI(SilicomOnInsulator)高压集成电路(HighVoltageIntergratedCircuit，HVIC)因其隔离性能好、速度快、低功耗、抗辐照和便于高低压工艺集成等优点，已成为功率集成电路的重要发展方向。作为SOIHVIC的核心器件之一，横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（LDMOS,LateralDouble-diffusedMOSFET）得到国际上众多学者的研究。击穿电压是衡量SOI高压器件性能的重要参数，SOI器件的耐压由横向耐压和纵向耐压共同决定，取二者之中的较小值，因而对其耐压的优化设计也可以从横向和纵向两方面入手。
技术实现思路
本专利技术提供绝缘体上硅横向双扩散金化物属氧半导体场效应管（SOILDMOS）结构，从横向和纵向两个方面提高器件的耐压。本专利技术提供了SOILDMOS结构，该结构包括半导体衬底层，介质埋层，顶层硅以及场氧层。其中介质埋层采用低K介质材料，顶层硅中漂移...
【技术保护点】
一种新的绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（SOI LDMOS）结构，包括埋氧层，漂移区以及位于漂移区上表面的场氧层，其特征在于，埋氧层采用低K介质材料，漂移区采用梯级掺杂，场氧层的厚度于埋氧层厚度近似。
【技术特征摘要】
1.一种新的绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（SOILDMOS）结构，包括埋氧层，漂移区以及位于漂移区上表面的场氧层，其特征在于，埋氧层采用低K介质材料，漂移区采用梯级掺杂，场氧层的厚度于埋氧层厚度近似。
2.如权利要求1所述的绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（SOILDMOS）结构，其特征在于埋氧层采用低K介质材料。
3.如权利要求1所述的绝缘体上硅横向双扩散金属氧化物半导体场效应...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐帆，花银东，蒋乐乐，
申请(专利权)人：上海北京大学微电子研究院，
类型：发明
国别省市：上海;31
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