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本发明提出了一种新的SOI LDMOS器件结构，该结构包括半导体衬底层，介质埋层，顶层硅以及场氧层。其中介质埋层采用低K介质材料，顶层硅中漂移区采用分区梯级掺杂，漂移区上表面淀积场氧层，器件栅、漏级采用场板技术。...
该专利属于上海北京大学微电子研究院所有，仅供学习研究参考，未经过上海北京大学微电子研究院授权不得商用。

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