【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体发光器件，特别是涉及一种半导体发光器件。
技术介绍
上世纪60年代第一只LED产品在美国诞生，它的出现给人们的生活带来了很多光彩，由于LED具有寿命长、低功耗、绿色环保等优点，与之相关的技术发展得非常迅速。它已经成为“无处不在”的、与人类生活息息相关的光电器件和光源，比如手机的背光，交通信号灯，大屏幕全彩显示屏和景观亮化用灯等等。随着以GaN(氮化镓)材料P型掺杂的突破为起点的第三代半导体材料的兴起，伴随着以Ⅲ族氮化物为基础的高亮度发光二级管（LightEmittingDiode，LED）的技术突破，用于新一代绿色环保固体照明光源的氮化物LED正在成为新的研究热点。目前，LED应用的不断升级以及市场对于LED的需求，使得LED正朝着大功率和高亮度的方向发展。其中研究热点之一是高压直流LED技术，它是采用多颗芯片组成一个总发光二极管形式，即多颗LED串联形成一个LED。目前高压LED技术属于新兴技术范畴，其技术存在一些问题：LED芯片的出光效率有待提升，理论上用蓝光LED激发黄色荧光粉合成白光...
【技术保护点】
一种半导体发光器件，其特征在于包括透明基材以及安装于所述透明基材上的复数半导体发光芯片，该复数半导体发光芯片之间通过形成于所述透明基材上的导电体串联和/或并联，并且至少在相邻半导体发光芯片之间的透明基材上开设有至少用以使射入所述透明基材的至少部分光线自透明基材中射出的凹槽。
【技术特征摘要】
1.一种半导体发光器件，其特征在于包括透明基材以及安装于所述透明基材上的复数半导体发光芯片，该复数半导体发光芯片之间通过形成于所述透明基材上的导电体串联和/或并联，并且至少在相邻半导体发光芯片之间的透明基材上开设有至少用以使射入所述透明基材的至少部分光线自透明基材中射出的凹槽。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述凹槽为V型槽。
3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其特征在于所述V型槽相对两侧槽壁之间的夹角为25°~65°。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其特征在于所述半导体发光芯片倒装于所述透明基材上。
5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其特征在于所述半导体发光芯片的外延层的P、N半导体层上的电极区域分别经导电触点与导电体电性连接。
6....
【专利技术属性】
技术研发人员：梁秉文，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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