一种致冷件的制造方法技术

本发明专利技术涉及致冷件制造技术领域，名称是一种致冷件的制造方法，致冷件包括瓷板和半导体晶粒，半导体晶粒是焊接在瓷板上的，其特征是：所述的瓷板在晶粒的焊接前经过如下处理：将瓷板在60-80℃的环境中加热2-4小时，然后在10分钟内急冷至20-30℃，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒，制成致冷件，本发明专利技术由于采取了上述的技术方案，使得致冷件生产时不易破碎，生产的致冷件使用时具有经久耐用的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及致冷件制造
，特别是涉及致冷件的制造方法。
技术介绍
致冷件包括瓷板和半导体晶粒，半导体晶粒是焊接在瓷板上的，瓷板的主要成分是95%氧化铝，它起电绝缘、导热和支撑作用，在它的表面烧结有金属化层，晶粒通过锡焊接在瓷板的金属化层上，晶粒的主要成分是碲化鉍，它是致冷组件的主功能部件，它通过锡焊接在瓷板上；瓷板是在窑炉中烧制而成的。现有技术中，致冷件所用的瓷板是烧制而成、没有经过其他的处理直接作为致冷件生产使用，即生产致冷件是直接将瓷板和晶粒焊接而成，这样就存在生产中瓷板容易破碎，还存在着生产出的半导体致冷件容易损坏的缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对上述缺点，提供一种生产时不易破碎、使用时经久耐用的致冷件的制造方法。本专利技术的技术方案是这样实现的:，致冷件包括瓷板和半导体晶粒，半导体晶粒是焊接在瓷板上的，其特征是:所述的瓷板在晶粒焊接前经过如下处理: 将瓷板在60—80°C的环境中加热2—4小时，然后在10分钟内急冷至20— 30°C，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒的焊接，制成致冷件。较好的，将瓷板在70°C的环境中加热3小时，然后在10分钟内急冷至25°C，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒的焊接，制成致冷件。 较好的，所述的60— 80°C的环境是指在水中。较好的，所述的水中还加入水重量2-3%的骨胶。较好的，所述的水中还添加有水重量I一2%的明矾。本专利技术的有益效果是: 本专利技术由于采取了上述的技术方案，使得致冷件具有生产时不易破碎，生产的致冷件使用时经久耐用的优点；所述的60— 80°C的环境是指在水中，所述的水中还加入有骨胶，所述的水中还添加有水重量1—2%的明矾，具有生产时不易破碎、生产的致冷件使用时经久耐用效果更好的优点。【具体实施方式】下面结合实施例对本专利技术作进一步说明。以下各实施例都是用同样的瓷板2000块和匹配的晶粒作为实验对象，并且生产工艺参数相同。实施例1 直接将生产出的瓷板和晶粒焊接，制成致冷件，由于在生产中存在瓷板的破碎，2000块可以制成950个致冷件，成品率是95%，这样的致冷件用户使用三个月时返修率为1.5%。实施例2 首先将瓷板在60°C的环境中加热2小时，然后在10分钟内急冷至20，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒焊接，制成致冷件，由于在加热致冷的过程和焊接的过程中存在瓷板的破碎，2000块可以制成980个致冷件，成品率是98%，这样的致冷件用户使用三个月时返修率为 1.0%。实施例3 首先将瓷板在80°C的环境中加热4小时，然后在10分钟内急冷至30，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒，制成致冷件，由于在加热致冷的过程和焊接的过程中存在瓷板的破碎，2000块可以制成985个致冷件，成品率是98.5%，这样的致冷件用户使用三个月时返修率为0.8%。实施例4 首先将瓷板在70°C的环境中加热3小时，然后在10分钟内急冷至25，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒焊接，制成致冷件，由于在加热致冷的过程中和焊接的过程中存在瓷板的破碎，2000块可以制成995个致冷件，成品率是99.5%，这样的致冷件用户使用三个月时返修率为0.5%。重复上述的使用，将瓷板的加热和冷却过程在水中进行，瓷板的破损率会降低0.2个百分点。重复上述的使用，将瓷板的加热和冷却过程在水中进行，并在水中加入水重量2-3%的骨胶，瓷板的破损率会进一步降低0.1个百分点，返修率降低0.3个百分点。重复上述的使用，将瓷板的加热和冷却过程在水中进行，并在水中加入水重量2-3%的骨胶，并在的水中还添加有水重量I一2%的明矾，瓷板的破损率会进一步降低0.3个百分点，返修率降低0.1个百分点。以上所述仅为本专利技术的具体实施例，专利技术人还做了许多类似的实验，得到相同的结论，即所述的瓷板在晶粒的焊接前经过如下处理，将瓷板在60— 80°C的环境中加热2— 4小时，然后在10分钟内急冷至20— 30°C，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒焊接，制成致冷件，所述的60— 80°C的环境是指在水中，所述的水中还加入水重量2-3%的骨胶，所述的水中还添加有水重量1—2%的明矾，都会使得致冷件生产时不易破碎，生产的致冷件使用时经久耐用的优点。【主权项】1.，致冷件包括瓷板和半导体晶粒，半导体晶粒是焊接在瓷板上的，其特征是:所述的瓷板在晶粒的焊接前经过如下处理: 将瓷板在60—80°C的环境中加热2—4小时，然后在10分钟内急冷至20— 30°C，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒焊接，制成致冷件。2.根据权利要求1所述的致冷件的制造方法，其特征是:处理的过程是这样的:将瓷板在70°C的环境中加热3小时，然后在10分钟内急冷至25°C，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒焊接，制成致冷件。3.根据权利要求1或2所述的致冷件的制造方法，其特征是:所述的60—80°C的环境是指在水中。4.根据权利要求3所述的致冷件的制造方法，其特征是:所述的水中还加入水重量2-3%的骨胶。5.根据权利要求4所述的致冷件的制造方法，其特征是:所述的水中还添加有水重量1—2%的明矾。【专利摘要】本专利技术涉及致冷件制造
，名称是，致冷件包括瓷板和半导体晶粒，半导体晶粒是焊接在瓷板上的，其特征是：所述的瓷板在晶粒的焊接前经过如下处理：将瓷板在60-80℃的环境中加热2-4小时，然后在10分钟内急冷至20-30℃，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒，制成致冷件，本专利技术由于采取了上述的技术方案，使得致冷件生产时不易破碎，生产的致冷件使用时具有经久耐用的优点。【IPC分类】H01L35/34【公开号】CN105070821【申请号】CN201510463098【专利技术人】陈磊, 刘栓红, 赵丽萍, 张文涛, 蔡水占, 郭晶晶, 张会超, 陈永平, 王东胜, 惠小青, 辛世明, 田红丽 【申请人】河南鸿昌电子有限公司【公开日】2015年11月18日【申请日】2015年8月1日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种致冷件的制造方法，致冷件包括瓷板和半导体晶粒，半导体晶粒是焊接在瓷板上的，其特征是：所述的瓷板在晶粒的焊接前经过如下处理：将瓷板在60—80℃的环境中加热2—4小时，然后在10分钟内急冷至20—30℃，挑选完好的瓷板进行半导体晶粒焊接，制成致冷件。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈磊，刘栓红，赵丽萍，张文涛，蔡水占，郭晶晶，张会超，陈永平，王东胜，惠小青，辛世明，田红丽，
申请(专利权)人：河南鸿昌电子有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41