【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体芯片集成元件领域，具体为一种半导体芯片集成元件。
技术介绍
晶闸管电涌抑制器(ThyristorSurgeSuppressor，TSS)，又称为固体放电管或者半导体放电管,是通信领域中防雷击器件的尖端产品，当外加雷电感应电压上升到其击穿电压时，半导体放电管呈雪崩三极管的曲线动作，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流，其击穿电压的范围为过压保护范围。在本
中构成半导体放电管的芯片根据物理特性分为三种结构，分别是图1a示出的内沟槽芯片，图1b示出的外沟槽芯片和图1c示出的平面芯片，其中T1和T2为金属电极。现有的半导体放电管的封装结构一般为贴片封装，即通过两个引线结构分别引出芯片中的2个电极，以将芯片的电极部位连接至外部电路，与电极连接的结构为引线结构的芯片托盘，由于半导体放电管的芯片体积很小，芯片托盘与芯片电极在焊接时很容易出现移动错位连接，导致芯片的电极没有被引出，或者焊接时多余焊料溢流，焊料堆积导致芯片的非电极部位与焊料连接，非电极...
【技术保护点】
一种半导体芯片集成元件，其特征在于，由上而下包括第一引线结构、第二引线结构和层叠在所述第一引线结构和所述第二引线结构之间的N个第三引线结构，所述N为大于或者等于0的整数；所有引线结构中的每一个引线结构分别包括一导电引脚和所述导电引脚延伸形成的一芯片托盘，以及，所述半导体芯片集成元件还包括N+1个半导体芯片，每一个所述半导体芯片的相对的两面分别设置一电极；所有引线结构中的每相邻的两个引线结构的所述芯片托盘通过所述半导体芯片的所述电极连接固定所述半导体芯片,所述第一引线结构、所述第二引线结构以及每一个所述第三引线结构中用于外接所述半导体芯片集成元件至外部电路的引线结构的所述导电...
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片集成元件，其特征在于，由上而下包括第一引线结构、
第二引线结构和层叠在所述第一引线结构和所述第二引线结构之间的N个第三
引线结构，所述N为大于或者等于0的整数；所有引线结构中的每一个引线结
构分别包括一导电引脚和所述导电引脚延伸形成的一芯片托盘，以及，所述半
导体芯片集成元件还包括N+1个半导体芯片，每一个所述半导体芯片的相对的
两面分别设置一电极；所有引线结构中的每相邻的两个引线结构的所述芯片托盘
通过所述半导体芯片的所述电极连接固定所述半导体芯片,所述第一引线结构、
所述第二引线结构以及每一个所述第三引线结构中用于外接所述半导体芯片集
成元件至外部电路的引线结构的所述导电引脚弯折延伸至与所述第二引线结构
连接的所述半导体芯片的下方。
2.如权利要求1所述的半导体芯片集成元件，其特征在于，所述第一引线
结构的芯片托盘包括设置在所述第一引线结构的芯片托盘的下表面的第一凸
台，用于匹配连接固定与所述第一引线结构的芯片托盘连接的所述半导体芯片
的一电极。
3.如权利要求2所述的半导体芯片集成元件，其特征在于，所述第二引线
结构的芯片托盘包括设置在所述第二引线结构的芯片托盘的上表面的第二凸
台，用于匹配连接固定与所述第二引线结构的芯片托盘连接的所述半导体芯片
的一电极。
4.如权利要求3所述的半导体芯片集成元件，其特征在于，所述每一个所
述第三引线结构包括设置在所述每一个所述第三引线结构的芯片托盘的上表面
的第三凸台，用于匹配连接固定与所述每一个所述第三引线结构的芯片托盘的
上表面连接的所述半导体芯片的电极；
所述每一个所述第三引线结构还包括设置在所述每一个所述第三引线结构
的芯片托盘的下表面的第四凸台，用于匹配连接固定与所述每一个所述第三引
线结构的芯片托盘的下表面连接的所述半导体芯片的电极。
5.如权利要求4所述的半导体芯片集成元件，其特征在于，所述第一凸台、
所述第二凸台、所述第三凸台和所述第四凸台的横截面形状为：方形或者圆形
或者菱形或者梯形。
6.如权利要求5所述的半导体芯片集成元件，其特征在于，所述第一凸台...
【专利技术属性】
技术研发人员：苟引刚，王久，黎永阳，高桂丽，
申请(专利权)人：深圳市槟城电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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