一种过电压保护电路及电子设备制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种过电压保护电路及电子设备。其中，该过电压保护电路包括：开关管、开关型过压保护器件、第一容性元件和第一阻性元件，其中，开关管的第一端与过电压保护电路的第一电压输入端电连接；开关管的第二端与过电压保护电路的第一输出端电连接；第一容性元件的第一端与开关管的第一端电连接；第一容性元件的第二端与开关管的控制端电连接；第一容性元件与开关型过压保护器件并联连接；第一阻性元件的第一端与开关管的控制端电连接；过电压保护电路的第二电压输入端和第二输出端，均与第一阻性元件的第二端电连接。本发明专利技术实施例提供的技术方案可以实现暂态过电压保护，减少输出功率，防止火灾事故。防止火灾事故。防止火灾事故。

【技术实现步骤摘要】
一种过电压保护电路及电子设备


[0001]本专利技术涉及过电压保护
，尤其涉及一种过电压保护电路及电子设备。

技术介绍

[0002]直流电源在供电时有可能发生暂态过电压，而损坏后级用电设备和电路，例如在安防系统中，摄像机在晚上转白天时，摄像机中的红外灯会停止工作，在这个过程中会产生暂态过电压，暂态过电压破坏能力远超过浪涌干扰。
[0003]若通过增加稳压管来稳定电压，将不能解决电源过载的问题，而且稳压管有功率限制，且容易发热引发火灾。若采用受电设备宽压输入方案来解决，成本昂贵。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供一种过电压保护电路及电子设备，以实现暂态过电压保护，减少输出功率，防止火灾事故。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供了一种过电压保护电路，包括：
[0006]开关管，开关管的第一端与过电压保护电路的第一电压输入端电连接；开关管的第二端与过电压保护电路的第一输出端电连接；
[0007]第一容性元件，第一容性元件的第一端与开关管的第一端电连接；第一容性元件的第二端与开关管的控制端电连接；
[0008]开关型过压保护器件，开关型过压保护器件与第一容性元件并联连接；
[0009]第一阻性元件，第一阻性元件的第一端与开关管的控制端电连接；过电压保护电路的第二电压输入端，以及过电压保护电路的第二输出端，均与第一阻性元件的第二端电连接。
[0010]进一步地，开关型过压保护器件包括：半导体放电管或气体放电管。
[0011]进一步地，过电压保护电路还包括平波电路，其中，平波电路的第一输入端与开关管的第二端电连接；过电压保护电路的第二电压输入端，以及平波电路的第二输入端，均与第一阻性元件的第二端电连接；平波电路的第一输出端与过电压保护电路的第一输出端电连接；平波电路的第二输出端与过电压保护电路的第二输出端电连接。
[0012]进一步地，平波电路包括第二容性元件和感性元件，其中，平波电路的第一输入端经第二容性元件与平波电路的第二输入端电连接；
[0013]平波电路的第一输入端经感性元件与平波电路的第一输出端电连接，平波电路的第二输入端与平波电路的第二输出端电连接；或者，平波电路的第一输入端与平波电路的第一输出端电连接，平波电路的第二输入端经感性元件与平波电路的第二输出端电连接。
[0014]进一步地，过电压保护电路还包括第二阻性元件，开关型过压保护器件和第二阻性元件串联连接，开关型过压保护器件和第二阻性元件串联连接形成的串联支路与第一容性元件并联连接。
[0015]进一步地，开关管包括MOS管或IGBT管。
[0016]进一步地，过电压保护电路的第一电压输入端和第二电压输入端为直流电压输入端。
[0017]进一步地，开关型过压保护器件的开启电压大于开关管的开启电压的绝对值，开关型过压保护器件维持导通的最小通态压降小于开关管的开启电压的绝对值。
[0018]进一步地，在过电压保护电路的第一电压输入端和第二电压输入端之间的电压超过阈值电压时，开关型过压保护器件循环导通和关断，第一容性元件循环放电和充电，开关管循环导通和关断。
[0019]第二方面，本专利技术实施例还提供了一种电子设备，包括：本专利技术任意实施例提供的过电压保护电路。
[0020]本专利技术实施例的技术方案中，过电压保护电路包括：开关管、开关型过压保护器件、第一容性元件和第一阻性元件，其中，开关管的第一端与过电压保护电路的第一电压输入端电连接；开关管的第二端与过电压保护电路的第一输出端电连接；第一容性元件的第一端与开关管的第一端电连接；第一容性元件的第二端与开关管的控制端电连接；开关型过压保护器件与第一容性元件并联连接；第一阻性元件的第一端与开关管的控制端电连接；过电压保护电路的第二电压输入端，以及过电压保护电路的第二输出端，均与第一阻性元件的第二端电连接，可以实现暂态过电压保护，减少输出功率，防止火灾事故。
附图说明
[0021]图1为本专利技术实施例提供的一种过电压保护电路的结构示意图；
[0022]图2为本专利技术实施例提供的一种过电压保护电路的应用场景示意图；
[0023]图3为本专利技术实施例提供的一种开关管的第二端的电压波形图；
[0024]图4为本专利技术实施例提供的又一种过电压保护电路的结构示意图；
[0025]图5为本专利技术实施例提供的又一种过电压保护电路的结构示意图；
[0026]图6为本专利技术实施例提供的又一种过电压保护电路的结构示意图；
[0027]图7为本专利技术实施例提供的一种双向半导体放电管的伏安特性曲线示意图；
[0028]图8为本专利技术实施例提供的一种气体放电管的伏安特性曲线示意图；
[0029]图9为本专利技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
[0030]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。
[0031]本专利技术实施例提供一种过电压保护电路。图1为本专利技术实施例提供的一种过电压保护电路的结构示意图。该过电压保护电路1包括：开关管10、开关型过压保护器件20、第一容性元件C1和第一阻性元件R1。
[0032]其中，开关管10的第一端N1与过电压保护电路1的第一电压输入端Vi1电连接；开关管10的第二端N2与过电压保护电路1的第一输出端Vo1电连接；第一容性元件C1的第一端与开关管10的第一端N1电连接；第一容性元件C1的第二端与开关管10的控制端Ctr电连接；开关型过压保护器件20与第一容性元件30并联连接；第一阻性元件R1的第一端与开关管10
的控制端Ctr电连接；过电压保护电路1的第二电压输入端Vi2，以及过电压保护电路1的第二输出端Vo2，均与第一阻性元件R1的第二端电连接。
[0033]其中，当开关管10的控制端Ctr和第一端N1之间的电压的绝对值大于或等于开启电压的绝对值时，开关管10的第一端N1和第二端N2之间将为导通状态。当开关管10的控制端Ctr和第一端N1之间的电压的绝对值小于开启电压的绝对值时，开关管10的第一端N1和第二端N2之间将为关断状态。可选的，开关管10为半导体开关管，开关管10可包括MOS管(metal oxide semiconductor，金属氧化物半导体场效应管)或IGBT管(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)等。图1示例性的画出开关管10包括PMOS管的情况，其中，PMOS管的源极与开关管10的第一端N1电连接，PMOS管的漏极与开关管10的第二端N2电连接，PMOS管的栅极与开关管10的控制端Ctr电连接，PMOS管的开启电压为负值，PMOS管的栅极与源极之间的电压Vgs小于或等于开启电压时，PMOS管导通，PMOS管的栅极与源极之间的电压Vg本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种过电压保护电路，其特征在于，包括：开关管，所述开关管的第一端与所述过电压保护电路的第一电压输入端电连接；所述开关管的第二端与所述过电压保护电路的第一输出端电连接；第一容性元件，所述第一容性元件的第一端与所述开关管的第一端电连接；所述第一容性元件的第二端与所述开关管的控制端电连接；开关型过压保护器件，所述开关型过压保护器件与所述第一容性元件并联连接；第一阻性元件，所述第一阻性元件的第一端与所述开关管的控制端电连接；所述过电压保护电路的第二电压输入端，以及所述过电压保护电路的第二输出端，均与所述第一阻性元件的第二端电连接。2.根据权利要求1所述的过电压保护电路，其特征在于，所述开关型过压保护器件包括：半导体放电管或气体放电管。3.根据权利要求1所述的过电压保护电路，其特征在于，所述过电压保护电路还包括平波电路，其中，所述平波电路的第一输入端与所述开关管的第二端电连接；所述过电压保护电路的第二电压输入端，以及所述平波电路的第二输入端，均与所述第一阻性元件的第二端电连接；所述平波电路的第一输出端与所述过电压保护电路的第一输出端电连接；所述平波电路的第二输出端与所述过电压保护电路的第二输出端电连接。4.根据权利要求3所述的过电压保护电路，其特征在于，所述平波电路包括第二容性元件和感性元件，其中，所述平波电路的第一输入端经所述第二容性元件与所述平波电路的第二输入端电连接；所述平波电路的第一输入端经所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈能文，
申请(专利权)人：深圳市槟城电子有限公司，
类型：发明
国别省市：