混合颗粒形貌ITO粉体的制备方法技术

本发明专利技术公开一种混合颗粒形貌ITO粉体的制备方法，它是将氨水和碳酸铵溶液两种不同沉淀剂先后加入配制好的InCl3和SnCl4混合盐溶液中，通过沉淀反应制得金属氢氧化物，再将该氢氧化物洗涤、干燥、研磨、过筛和高温煅烧后得到混合颗粒形貌ITO粉体；本发明专利技术通过调控氨水和碳酸铵的添加比例，形成球状与针状混合形貌的ITO粉体，与传统的单种形貌的粉体相比，本发明专利技术球状与针状混合形貌粉体压制成型时具有良好的流动性和啮合性能，可通过低压常温浇注成型制备生坯，也有利于提高坯体的致密度和强度，有效地避免了浇注时采用加热或加压的苛刻条件，也克服了生坯密度一直较低的技术障碍，通过低压常温浇注得到的生坯密度为3.0-4.3g/cm3。

【技术实现步骤摘要】
混合颗粒形貌ITO粉体的制备方法
本专利技术属于ITO粉体的制备领域，具体涉及一种混合颗粒形貌ITO粉体的制备方法。
技术介绍
ITO（IndiumTinOxide，又称氧化铟-氧化锡）薄膜由于具有优异的导电、耐磨、化学蚀刻性能和对可见光透明、对红外光反射性强等光学特性，被广泛应用于平面液晶显示器件、有机电致发光显示器、太阳能电池等领域。制备ITO薄膜的方法主要包括磁控溅射法、化学气相沉积法、电子束蒸发法、喷雾热解法、溶胶-凝胶法等，其中采用ITO靶材并通过真空溅射镀膜制备ITO薄膜的方法在目前工业生产中最适用。为了制备高性能的ITO薄膜，必须具备综合性能优异的ITO靶材。而作为ITO靶材的原料即ITO粉体是影响ITO靶材性能的决定性因素，粉体的性能如物相、粒径、粒径分布及颗粒形貌等均对ITO靶材的性能有较大影响，因此提高ITO粉体的性能是关键。ITO粉体是SnO2掺杂于体心立方铁锰矿晶体结构的In2O3后形成的固溶体，其中In3+被Sn4+取代且Sn4+占据原In3+的位置后，在氧化物空间晶格中形成大量点缺陷同时还产生了大量自由电子e-，在电场的作用下点缺陷和自由电子发挥载流子的作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种混合颗粒形貌ITO粉体的制备方法，其特征在于：它是将氨水和碳酸铵溶液两种不同沉淀剂先后加入配制好的InCl3和SnCl4混合盐溶液中，通过沉淀反应制得金属氢氧化物，再将该氢氧化物洗涤、干燥、研磨、过筛和高温煅烧后得到混合颗粒形貌ITO粉体；具体包括以下步骤：（1）混合盐溶液制备：根据重量比In2O3：SnO2=8.5∶1，量取质量浓度为150‑300g/L的InCl3溶液和质量浓度为150‑300g/L的SnCl4溶液置于反应釜中，搅拌混合均匀；（2）共沉淀反应：前期以摩尔浓度为5‑8mol/L的氨水溶液为沉淀剂，常温下搅拌的同时向步骤（1）所得的混合盐溶液滴加一定量的氨水溶液；随后升温，...

【技术特征摘要】
1.一种混合颗粒形貌ITO粉体的制备方法，其特征在于：它是将氨水和碳酸铵溶液两种不同沉淀剂先后加入配制好的InCl3和SnCl4混合盐溶液中，通过沉淀反应制得金属氢氧化物，再将该氢氧化物洗涤、干燥、研磨、过筛和高温煅烧后得到混合颗粒形貌ITO粉体；具体包括以下步骤：（1）混合盐溶液制备：根据重量比In2O3：SnO2=8.5∶1，量取质量浓度为150-300g/L的InCl3溶液和质量浓度为150-300g/L的SnCl4溶液置于反应釜中，搅拌混合均匀；（2）共沉淀反应：前期以摩尔浓度为5-8mol/L的氨水溶液为沉淀剂，常温下搅拌的同时向步骤（1）所得的混合盐溶液滴加一定量的氨水溶液；随后升温，当温度升至55-80℃时开始滴加摩尔浓度为5-8mol/L的碳酸铵溶液，当反应液中无In3+存在时停止滴加，继续搅拌并陈化8-24h，得金属氢氧化物；（3）洗涤：将步骤（2）所得的金属氢氧化物用纯水洗涤直至滤液中无Cl-且滤液的电导率低于150μS/cm；（4）干燥、研磨和过筛：将洗涤后的金属氢氧化物抽真空干燥，经研磨、过筛制得ITO前驱体；（5）高温煅烧：将ITO前驱体放入煅烧炉中以30-50℃/h升温至100-250℃保温20-60min，随后以80-100℃/h快速升温至250-700...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭翠，叶有明，熊爱臣，赵明勇，张元松，韦成果，樊繁，徐灿辉，叶仿建，
申请(专利权)人：柳州华锡铟锡材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广西;45