一种晶圆级封装用保护封盖及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆级封装用保护封盖，它包括封盖与阻挡激光薄膜；阻挡激光薄膜安装在封盖上，相邻两片阻挡激光薄膜在水平方向上具有间隙。本发明专利技术的封盖只在相邻两片阻挡激光薄膜之间能透过激光，其他位置不透激光，因此本封盖在晶圆级封装作业完成后通过激光去键合的方式与切割好的芯片进行分离，同时又保护了芯片的感应区域免受激光的损伤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术公开了一种晶圆级封装用保护封盖，本专利技术属于半导体封装

技术介绍
晶圆级封装一般要对晶圆背部进行互联工艺，包括减薄，研磨，刻蚀及切割等工艺，很容易伤害晶圆的正面区域，因此在晶圆级封装之前，会先用一层玻璃之类的封盖键合在晶圆的正面，一是起到保护晶圆正面的作用，二是为后面的研磨和切割工艺提供负载作用。但是随着人们对芯片的功能要求越来越严格，对于很多高灵敏度的芯片来说，这层封盖多少会影响到正常的工作能力。例如当影像传感器像素超过500万以后，像素尺寸变小，这样就需要其光响应能力增强，此时在外面加一层玻璃封盖则会影响到芯片的保真能力。而对于某些MEMS传感器来说，在其外面加一层封盖会影响其敏感度，尤其是对于气体感应类的传感器来说，则完全不能有封盖遮挡。因此对于晶圆级封装来说，在封装的最后流程中使晶粒和封盖分离就成为必要程序。因为封盖是以打胶的方式跟晶圆临时键合在一起的，对该封盖进行分离，一般采用激光类对胶进行去键合作业，利用激光的高能量将胶的化学键打断，使其丧失粘合能力。但是激光能量很高，像图像传感器和MEMS这样具有高灵敏度感应区域的芯片，一旦其感应区域被激光扫到，就会产生无法修复的损伤。因此在去键合时，封盖打胶的区域要能够透过激光，这样才能正常去键合，同时该封盖对于芯片的感应区域又要有防止激光透过的能力。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种只有指定区域能透过激光的一种晶圆级封装用保护封盖。按照本专利技术提供的技术方案，所述一种晶圆级封装用保护封盖，它包括封盖与阻挡激光薄膜；阻挡激光薄膜安装在封盖上，相邻两片阻挡激光薄膜在水平方向上具有间隙。作为优选:所述阻挡激光薄膜间隔黏贴在封盖的上表面。作为优选:所述阻挡激光薄膜位于封盖内。作为优选:所述封盖的材质是S12玻璃、树脂玻璃、氧化铝薄膜或者氧化锆陶瓷。所述封盖的厚度为30um~500um。作为优选:所述阻挡激光薄膜为氧化铝薄膜、聚丙烯酸酯薄膜、酚醛树脂或者环氧树脂。所述阻挡激光薄膜的厚度为10nm~100um。本专利技术的封盖只在相邻两片阻挡激光薄膜之间能透过激光，其他位置不透激光，因此本封盖在晶圆级封装作业完成后通过激光去键合的方式与切割好的芯片进行分离，同时又保护了芯片的感应区域免受激光的损伤。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例1的结构示意图。图2是本专利技术实施例2的结构示意图。【具体实施方式】下面结合具体实施例对本专利技术作进一步说明。以下将结合附图所示的【具体实施方式】对本专利技术进行详细描述。但这些实施方式并不限制本专利技术，本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构、方法、或功能上的变换均包含在本专利技术的保护范围内。此外，在不同的实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本专利技术，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。本专利技术的各实施方式中提到的有关于步骤的标号，仅仅是为了描述的方便，而没有实质上先后顺序的联系。各【具体实施方式】中的不同步骤，可以进行不同先后顺序的组合，实现本专利技术的专利技术目的。实施例1 一种晶圆级封装用保护封盖，它包括封盖I与阻挡激光薄膜2 ;阻挡激光薄膜2安装在封盖I上，相邻两片阻挡激光薄膜2在水平方向上具有间隙，所述阻挡激光薄膜2间隔黏贴在封盖I的上表面。所述封盖I的材质是S12玻璃，封盖I的厚度为30 um。所述阻挡激光薄膜2的材质为聚丙烯酸酯薄膜，阻挡激光薄膜2的厚度为10nm。实施例2 一种晶圆级封装用保护封盖，它包括封盖I与阻挡激光薄膜2 ;阻挡激光薄膜2安装在封盖I上，相邻两片阻挡激光薄膜2在水平方向上具有间隙，所述阻挡激光薄膜2间隔黏贴在封盖I的上表面。所述封盖I的材质是树脂玻璃，封盖I的厚度为100 um。所述阻挡激光薄膜2的材质为氧化铝薄膜，阻挡激光薄膜2的厚度为40nm。实施例3 一种晶圆级封装用保护封盖，它包括封盖I与阻挡激光薄膜2 ;阻挡激光薄膜2安装在封盖I上，相邻两片阻挡激光薄膜2在水平方向上具有间隙，所述阻挡激光薄膜2位于封盖I内。所述封盖I的材质是氧化铝薄膜，封盖I的厚度为300 um。所述阻挡激光薄膜2的材质为聚丙烯酸酯薄膜，阻挡激光薄膜2的厚度为70nm。实施例4 一种晶圆级封装用保护封盖，它包括封盖I与阻挡激光薄膜2 ;阻挡激光薄膜2安装在封盖I上，相邻两片阻挡激光薄膜2在水平方向上具有间隙，所述阻挡激光薄膜2位于封盖I内。所述封盖I的材质是氧化锆陶瓷，封盖I的厚度为500 um。所述阻挡激光薄膜2的材质为环氧树脂，阻挡激光薄膜2的厚度为lOOnm。本专利技术中，封盖I的材质可以是有机玻璃、无机玻璃、树脂、半导体材料、氧化物晶体、陶瓷、金属、有机塑料、无机氧化物或者陶瓷材料，该封盖可以是透明的也可以是不透明的，可以是一层单一物质组成的薄片，也可以是多层同一物质或不同物质组成的薄片；该封盖I可以被激光穿过，所述封盖I的厚度为30um~500um。本专利技术中，阻挡激光薄膜2的材质可以是金属、光阻材料、玻璃、无机玻璃、树脂、半导体材料、氧化物晶体、陶瓷、金属、有机塑料、无机氧化物或者陶瓷材料，可以是透明的也可以是不透明的，可以是一层单一物质组成的薄膜，也可以是多层同一物质或不同物质组成的薄膜，其作用是阻挡激光穿过，所述阻挡激光薄膜2的厚度为10nm~100um。该阻挡激光薄膜2可以是先整体沉积在封盖上，然后再通过蚀刻的手段移除要露出区域的部分阻挡激光薄膜2来实现的，也可以是丝网印刷或者直接用胶带粘在封盖上的；该阻挡激光薄膜2与封盖I的结合力较强，可以进行重复使用而不会发生脱落；为了保护该阻挡激光薄膜2不会受到后续工艺的损伤，该阻挡激光薄膜2也可以做在封盖I的内部位置。本领域技术人员而言，显然本专利技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本专利技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本专利技术。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本专利技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本专利技术内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。【主权项】1.一种晶圆级封装用保护封盖，其特征是:它包括封盖(I)与阻挡激光薄膜(2);阻挡激光薄膜(2)安装在封盖(I)上，相邻两片阻挡激光薄膜(2)在水平方向上具有间隙。2.如权利要求1所述的一种晶圆级封装用保护封盖，其特征是:所述阻挡激光薄膜(2)间隔黏贴在封盖(I)的上表面。3.如权利要求1所述的一种晶圆级封装用保护封盖，其特征是:所述阻挡激光薄膜(2)位于封盖(I)内。4本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆级封装用保护封盖，其特征是：它包括封盖（1）与阻挡激光薄膜（2）；阻挡激光薄膜（2）安装在封盖（1）上，相邻两片阻挡激光薄膜（2）在水平方向上具有间隙。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯光建，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32