基于石墨烯的透明导电薄膜的图案化方法技术

技术编号:12142716 阅读:66 留言:0更新日期:2015-10-03 00:28
本发明专利技术公开了一种基于石墨烯的透明导电薄膜的图案化方法,包括:提供透明导电薄膜,包括基底和主要由石墨烯构成的透明导电层;以具有镂空图形结构的掩模掩盖透明导电层;其后,将透明导电薄膜置入蚀刻室,再通入工作气体并生成可与石墨烯反应生成气态产物但不损伤所述基底和掩模的等离子体,而后以所述等离子体将从所述掩模的镂空图形结构中暴露出的透明导电层局部区域完全除去,而使透明导电层被掩模遮盖的其余区域被保留。本发明专利技术工艺简单,成本低廉,效率高,能一次性批量化完成对基于石墨烯的透明导电薄膜的图形化处理,且良品率高,所获透明导电薄膜上的光、电学性能优良稳定,适于在各类光、电学设备中广泛应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种柔性透明导电薄膜的生产方法,尤其涉及一种可实现图案化基于石墨烯的透明导电薄膜的全印刷工业化制备方法。
技术介绍
透明导电薄膜在诸多领域拥有十分广阔的应用前景,如触摸屏、液晶显示、太阳能电池、LED照明等。目前最流行的透明导电薄膜是基于ITO的导电材料,因ITO的脆性及资源受限等问题,新的可替代性材料正在源源不断被开发出来。纳米碳材料,例如,石墨烯,因C=C具有较好的电子迁移效应,具有在可见光透明且导电的效果,是今后取代ITO的最理想材料之一。然而,C的性能稳定,不被酸碱所溶解,所制备的薄膜往往需要使用激光来进行图案化。激光虽然具有蚀刻效果好,蚀刻精度高、无污染等优点,但激光蚀刻存在如下缺点: 1.激光蚀刻效率低下。激光存在焦深问题,每次蚀刻都需要反复调整焦距,同时在保证蚀刻良率的前提下,激光蚀刻的通常速率为2-3m/S,在同等投资情况下,激光蚀刻线的效率远低于酸碱蚀刻线; 2.对于大面积蚀刻,激光往往存在费时且蚀刻不彻底的现象,严重影响了激光蚀刻在图案化透明电极领域的大面积推广; 3.激光无法实现双面蚀刻效果,因透明导电薄膜一般较薄(数十到数百微米)本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于石墨烯的透明导电薄膜的图案化方法,其特征在于包括:提供透明导电薄膜,包含选定基底和覆设于选定基底表面的透明导电层,所述透明导电层主要由石墨烯构成;以具有设定镂空图形结构的掩模掩盖所述透明导电层;将所述透明导电薄膜置入蚀刻室内,再通入工作气体并生成可与石墨烯反应生成气态产物但不损伤所述基底和掩模的等离子体,而后以所述等离子体将从所述掩模的镂空图形结构中暴露出的透明导电层局部区域完全除去,而使所述透明导电层被掩模遮盖的其余区域被保留,完成对所述透明导电薄膜的图案化处理。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:陈新江
申请(专利权)人:苏州汉纳材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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