表面处理铜箔、覆铜积层板、印刷配线板、电子机器、半导体封装及印刷配线板的制造方法技术

本发明专利技术公开了表面处理铜箔、覆铜积层板、印刷配线板、电子机器、半导体封装用电路形成基板、半导体封装及印刷配线板的制造方法。具体地，本发明专利技术提供一种在铜箔上贴合树脂基材后，将铜箔从树脂基材去除时，无需进行蚀刻，不会损伤转印在树脂基材表面的铜箔表面的轮廓，可以良好的成本将铜箔去除的表面处理铜箔。本发明专利技术的表面处理铜箔具备：不具有粗化粒子且依据JIS B0601(1994年)所测得的Rz为0.1～5.0μm的具有表面凹凸的铜箔、或具有粗化粒子的铜箔；与设置在铜箔的具有表面凹凸的铜箔的表面、或具有粗化粒子的铜箔的表面，且使从脱模层侧向铜箔贴合树脂基材时的树脂基材可剥离的脱模层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种表面处理铜箔、覆铜积层板、印刷配线板、电子机器、半导体封装 用电路形成基板、半导体封装及印刷配线板的制造方法。
技术介绍
关于印刷配线基板及半导体封装基板的电路形成法，减成法为主流，但随着近年 来进一步的微细配线化，M-SAP (改进半加成法，Modified Semi-Additive Process)、或使 用铜箔的表面轮廓的半加成法等新颖的工法兴起。 这些新颖的电路形成法中，作为后者的使用铜箔的表面轮廓的半加成法的一例， 可列举如下。即，首先，将积层在树脂基材的铜箔进行整面蚀刻，利用激光等对转印有铜箔 表面轮廓的蚀刻基材面进行开孔，设置用以使开孔部导通的无电解镀铜层，利用干膜被覆 无电解镀铜表面，通过UV曝光及显影而将电路形成部的干膜去除，对未被干膜覆盖的无电 解镀铜面实施电镀铜，将干膜进行剥离，最后利用含有硫酸、双氧水的蚀刻液等对无电解镀 铜层进行蚀刻（快速蚀刻、迅速蚀刻），由此形成微细电路。此外，在本制程例中，用以无电 解镀铜的触媒处理、用以使铜表面洁净化的酸洗处理等各种各样，其记载省略（日本专利 文献1、日本专利文献2)。 日本特开2006-196863号公报 日本特开2007-242975号公报
技术实现思路
在使用铜箔表面的轮廓的半加成法中，通常对积层在树脂的铜箔进行蚀刻。然而， 就蚀刻而言，所使用的药液、排水处理等花费成本，进而对环境的负荷也较大。进而，在利用 蚀刻将铜箔去除的情况下，虽也取决于基材种类及蚀刻条件，但也有损伤铜箔表面的轮廓 之虞。因此，利用蚀刻的铜箔去除欠佳。 本专利技术人等进行努力研宄，结果发现，对于具有表面凹凸或粗化粒子的铜箔而言， 在该铜箔设置脱模层而使将铜箔贴合于树脂基材时的树脂基材可物理剥离，由此在将铜箔 自树脂基材进行去除的步骤中，无需进行蚀刻，不会损伤转印在树脂基材的表面的铜箔表 面的轮廓，可以良好的成本将铜箔去除。 基于以上见解而完成的本专利技术在一个态样是一种表面处理铜箔，其具备：铜箔，其 是不具有粗化粒子，且依据JIS B0601 (1994年）所测得的Rz为0. 1~5. 0 μ m的具有表面 凹凸的铜箔；与脱模层，其是设置在所述铜箔的具有表面凹凸的面的脱模层，且使从所述脱 模层侧向所述铜箔贴合树脂基材时的所述树脂基材可剥离。 本专利技术在另一个态样是一种表面处理铜箔，其具备：铜箔，其具有粗化粒子；与脱 模层，其设置在所述铜箔的粗化粒子面，且使从所述脱模层侧向所述铜箔贴合树脂基材时 的所述树脂基材可剥离。 在本专利技术的表面处理铜箔的一个实施方式中，从所述脱模层侧向所述铜箔贴合树 脂基材时，将所述树脂基材进行剥离时的剥离强度为200gf/cm以下。 在本专利技术的表面处理铜箔的又一个实施方式中，所述脱模层是将下式所示的硅烷 化合物、其水解生成物、该水解生成物的缩合物单独使用或组合多种使用而成， (式中，R1为烷氧基或卤素原子，R2为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的族群中 的烃基，或者为一个以上的氢原子被取代为卤素原子的所述任一种烃基，R3及R4分别独立 为卤素原子、或烷氧基、或选自由烷基、环烷基及芳基所组成的族群中的烃基，或者为一个 以上的氢原子被取代为卤素原子的所述任一种烃基）。 在本专利技术的表面处理铜箔的又一个实施方式中，所述脱模层是使用分子内具有2 个以下的巯基的化合物而成。 在本专利技术的表面处理铜箔的又一个实施方式中，所述脱模层是将下式所示的铝酸 酯化合物、钛酸酯化合物、锆酸酯化合物、这些的水解生成物、该水解生成物的缩合物单独 使用或组合多种使用而成， (R1)m-M-(R2) n (式中，R1为烷氧基或卤素原子，R2为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的族群中 的烃基，或者为一个以上的氢原子被取代为卤素原子的所述任一种烃基，M为Al、Ti、Zr中 的任一种，η为0或1或2, m为1以上且M的价数以下的整数，R1的至少1个为烷氧基，此 外，m+n为M的价数，即在为Al的情况下为3,在为Ti、Zr的情况下为4)。 在本专利技术的表面处理铜箔的又一个实施方式中，在所述铜箔与所述脱模层之间设 置有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的族群中的一种以上 的层。 在本专利技术的表面处理铜箔的又一个实施方式中，在所述表面处理铜箔的表面设置 有树脂层。 在本专利技术的表面处理铜箔的又一个实施方式中，所述树脂层为粘接用树脂、底漆 或半硬化状态的树脂。 在本专利技术的表面处理铜箔的又一个实施方式中，所述表面处理铜箔的厚度为9~ 70 μ m〇 另外，在本专利技术的表面处理铜箔的又一个实施方式中，本专利技术的表面处理铜箔可 用于印刷配线板的制造方法，该制造方法具备：从所述脱模层侧将树脂基材贴合在所述表 面处理铜箔的步骤；获得通过将所述表面处理铜箔在不进行蚀刻的情况下从所述树脂基材 剥离而在剥离面转印有所述铜箔的表面轮廓的树脂基材的步骤；及在转印有所述表面轮廓 的树脂基材的所述剥离面侧形成电路的步骤。 另外，在本专利技术的表面处理铜箔的又一个实施方式中，本专利技术的表面处理铜箔具 备：铜箔，其是不具有粗化粒子，且依据JIS B0601 (1994年）所测得的Rz为0. 1~5. 0 μ m 的具有表面凹凸的铜箔；与脱模层，其是设置在所述铜箔的具有表面凹凸的面的脱模层，且 使从所述脱模层侧向所述铜箔贴合树脂基材时的所述树脂基材可剥离；或者具备： 铜箔，其具有粗化粒子；与脱模层，其是设置在所述铜箔的粗化粒子面的脱模层， 且使从所述脱模层侧向所述铜箔贴合树脂基材时的所述树脂基材可剥离；且 满足以下（A)~（I)中的任一项以上。 (A)从所述脱模层侧向所述铜箔贴合树脂基材时，将所述树脂基材进行剥离时的 剥离强度为200gf/cm以下； (B)所述脱模层是将下式所示的硅烷化合物、其水解生成物、该水解生成物的缩合 物单独使用或组合多种使用而成， (式中，R1为烷氧基或卤素原子，R2为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的族群中 的烃基，或者为一个以上的氢原子被取代为卤素原子的所述任一种烃基，R3及R4分别独立 为卤素原子、或烷氧基、或选自由烷基、环烷基及芳基所组成的族群中的烃基，或者为一个 以上的氢原子被取代为卤素原子的所述任一种烃基）； (C)所述脱模层是使用分子内具有2个以下的巯基的化合物而成； (D)所述脱模层是将下式所示的铝酸酯化合物、钛酸酯化合物、锆酸酯化合物、这 些的水解生成物、该水解生成物的缩合物单独使用或组合多种使用而成， (R1)m-M-(R2) n (式中，R1为烷氧基或卤素原子，R2为选自由烷基、环烷基及芳基所组成的族群中 的烃基，或者为一个以上的氢原子被取代为卤素原子的所述任一种烃基，M为Al、Ti、Zr中 的任一种，η为0或1或2, m为1以上且M的价数以下的整数，R1的至少1个为烷氧基，此 外，m+n为M的价数，即在为Al的情况下为3,在为Ti、Zr的情况下为4); (E)在所述铜箔与所述脱模层之间设置有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及 硅烷偶联处理层所组成的族群中的一种以上的层； (F)在所述表面处理铜箔的表面设置有树脂层； (G)在所述（F)中，所述树脂层为粘接用树脂、底漆或半硬化状态的树脂； (H)所述表面处理铜箔的厚度为9本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面处理铜箔，其具备：铜箔，其是不具有粗化粒子且依据JIS B0601(1994年)所测得的Rz为0.1～5.0μm的具有表面凹凸的铜箔；与脱模层，其是设置在所述铜箔的具有表面凹凸的面的脱模层，且使从所述脱模层侧向所述铜箔贴合树脂基材时的所述树脂基材可剥离。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：石井雅史，森山晃正，
申请(专利权)人：JX日矿日石金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP