热处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种热处理装置(100)。本发明专利技术涉及的热处理装置(100)，其特征在于，包括：本体(110)，具备上、下部腔室区域(TC、BC)作为基板(20)的热处理空间；升降单元(130：131、132、133)，进行上下运动，并支撑基板(20)；以及加热单元(120：121、122、123)，配置于本体(110)的内侧上部及内侧下部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种热处理装置。更具体来讲，涉及在本体的内部设置加热单元，以直接对基板进行加热，从而提高快速热处理工艺的效率的热处理装置。
技术介绍
在平板显示器、半导体、太阳能电池等制造中使用的退火(annealing)装置，是为了向硅晶片或玻璃基板之类的基板上所蒸镀的规定的薄膜进行结晶化、相变化等工艺所必须的热处理步骤中使用的装置。为了进行热处理工艺，需要可对形成有规定薄膜的基板进行加热的热处理装置。通常，热处理装置分为可对一个基板进行热处理的单片式和可对多个基板进行热处理的批处理式。在热处理方法中，由于快速热处理方法(RTA：rapid thermal annealing)可使基板温度迅速达到热处理温度，可大大节省热能耗费用(thermal budget)，防止在热处理过程中被杂质污染及不必要的污染的扩散等，因而被广泛使用。使用快速热处理方法的现有的单片式热处理装置包括提供作为对基板进行加热的空间的腔室的主体、配置于本体外侧以对腔室进行加热的加热器、以及使基板升降的升降单元等。这种现有的单片式热处理装置被韩国专利公报第2011-0001460号等公开。现有的单片式热处理装置，由于加热器配置在本体的外部，所以为了将从加热器产生的热传递到腔室而可用的本体的材质受到了限制。于是，本体的材质主要使用了石英(Quartz)，但是石英材质的本体无法具有收容最近趋向大面积化的基板的尺寸，难以进行加工。另外，由于现有的单片式热处理装置的加热器配置在本体的外部，因此难以在短时间内使收容有大面积基板的腔室的内部温度上升，存在腔室内部的温度均衡性差的问题。
技术实现思路
由此，本专利技术是为了解决如上所述的现有技术的诸多问题而提出，目的在于提供一种热处理装置，将加热单元配置在本体的内部，从而提高腔室内部的温度均衡性。此外，本专利技术的目的在于提供一种热处理装置，其将金属作为本体的材质，从而可容纳大面积基板，可易于制造，坚固且提高了热反射率。另外，本专利技术的目的在于提供一种热处理装置，将加热单元配置在本体内部的基板附近，以直接向基板传热，从而能够更为迅速地进行快速热处理工艺。为了实现上述目的，本专利技术的一实施例涉及的热处理装置的特征在于，包括：本体，具备作为基板的热处理空间的腔室；升降单元，进行上下运动，并支撑所述基板；以及加热单元，配置在所述本体的内侧上部和内侧下部。根据如上构成的本专利技术，由于加热单元配置在本体的内部，从而可以提高腔室内部的温度均衡性。此外，根据本专利技术，使用了金属材质的本体，从而可容纳大面积基板，可易于制造，坚固且可提高热反射率。另外，根据本专利技术，将加热单元配置在本体内部的基板附近，以直接向基板传热，从而能够更为迅速地进行快速热处理工艺。附图说明图1是本专利技术的一实施例涉及的热处理装置的结构的立体图。图2是本专利技术的一实施例涉及的热处理装置的结构的主视图。图3是本专利技术的一实施例涉及的热处理装置的结构的侧剖视图。图4是本专利技术的一实施例所示的加热单元的结构的分解立体图。图5是本专利技术的一实施例涉及的第二上部加热单元的结构的俯视图。图6至图9是本专利技术的一实施例涉及的热处理装置的动作过程的侧剖视图。附图标记20：基板100：热处理装置110：本体111：出入口115：门120：加热单元121：第一上部加热单元122：第二上部加热单元123：下部加热单元125：单位加热器130：升降单元131：升降杆132：基板支撑部133：基板支撑销141、142、143：隔热部150：供气管151：供气孔155：扩散板155a：扩散孔160：辅助供气孔TC：上部腔室区域BC：下部腔室区域具体实施方式后述的本专利技术的详细说明以可实施本专利技术的特定实施例为例，并参照了附图。详细说明这些实施例，以便所属领域的技术人员能够充分实施本专利技术。本专利技术的多种实施例虽各有不同，但并不互斥，对此要有所了解。例如，此处记述的一实施例的特定形状、结构及特性，在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下，可以以其他实施例的形式体现。另外，应理解为，每个公开的实施例中的个别构成要素的位置或配置，可以在不脱离本专利技术的精神及范围的情况下进行变更。因此，后述的详细说明并无限定之意，准确地说，本专利技术的范围仅以权利要求所记载的内容为准，包括与其所主张的内容等同的所有范围。附图中相似的附图标记在不同侧面表示相同或类似的结构，为了便于说明，也可能对长度、面积、厚度及其形状进行夸大表示。在本说明书中，可以理解为，基板包括使用于LED、LCD等显示装置上的基板、半导体基板、以及太阳能电池基板等。而且，在本说明书中，虽将热处理装置100以快速(RTA)热处理装置为例进行了说明，但其也可适用于其他热处理装置中，特此说明。此外，在本说明书中，虽将热处理装置100以单片式热处理装置为例进行了说明，但若进一步具备晶舟的结构而进行升降，则也可适用于收容多个基板20的批处理式热处理装置中，特此说明。以下，参照附图详细说明本专利技术的实施例涉及的热处理装置。图1为示出本专利技术的一实施例涉及的热处理装置100的结构的立体图，图2为示出本专利技术的一实施例涉及的热处理装置100的结构的主视图，图3为示出本专利技术的一实施例涉及的热处理装置100的结构的侧剖视图。首先，装载于热处理装置100的基板20的材质不受特别限制，可装载玻璃、塑料、聚合物、硅晶片等多种材质的基板20。下面以在平板显示装置中最常用的四边形玻璃基板为例加以说明。热处理装置100所处理的基板20的大小不受限制，但以1500mm×1850mm、2200mm×2500mm的大面积基板20为例进行说明。参照图1至图3，本专利技术的热处理装置100包括：本体110，具备作为基板20的热处理空间的上、下部腔室区域TC、BC；升降单元130，进行上下运动，并支撑基板20；以及加热单元120，配置在本体110的内侧上部及内侧下部。本体110大致呈长方体形状，以构成热处理装置100的外观，本体110的内部可以形成有作为基板20热处理空间的上、下部腔室区域TC、BC。本体110不仅可以呈长方体形状，也可以根据基板20的形状呈多种形状。上、下部腔室区域TC、BC可设置成密闭的空间，且可具备以第一温度对基板20进行热处理的上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热处理装置，其特征在于，包括：本体，具备腔室作为基板的热处理空间；升降单元，进行上下运动，并支撑所述基板；以及加热单元，配置于所述本体的内侧上部和内侧下部。

【技术特征摘要】
2014.03.24 KR 10-2014-00343031.一种热处理装置，其特征在于，包括：
本体，具备腔室作为基板的热处理空间；
升降单元，进行上下运动，并支撑所述基板；以及
加热单元，配置于所述本体的内侧上部和内侧下部。
2.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，
所述腔室包括：
上部腔室区域，在所述基板通过所述升降单元上升时，以第一温度对所
述基板进行热处理；以及
下部腔室区域，在所述基板通过所述升降单元下降时，以第二温度对所
述基板进行热处理。
3.根据权利要求2所述的热处理装置，其特征在于，
所述加热单元包括：
上部加热单元，配置于所述上部腔室区域的至少一侧；以及
下部加热单元，配置于所述下部腔室区域的至少一侧。
4.根据权利要求3所述的热处理装置，其特征在于，
所述上部加热单元和所述下部加热单元隔开。
5.根据权利要求3所述的热处理装置，其特征在于，
所述上部加热单元包括：
第一上部加热单元，对所述上部腔室区域的顶面进行加热；以及
第二上部加热单元，对所述上部腔室区域的侧面进行加热。
6.根据权利要求5所述的热处理装置，其特征在于，
所述第一上部加热单元以及所述下部加热单元的两端连接于所述本体的
侧面。
7.根据权利要求5所述的热处理装置，其特征在于，
所述第二上部加热单元的一端连接于所述本体的侧面，另一端位于所述
上部腔室区域内。
8.根据权利要求7所述的热处理装置，其特征在于，
所述第二上部加热单元包围所述上部腔室区域的侧面。
9.根据权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，
所述本体由金属构成。
10.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：许官善，绁竣淏，
申请(专利权)人：泰拉半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR