一种铝硅壳体加工方法技术

本发明专利技术提供一种铝硅壳体加工方法，包括如下步骤：(1)铣外形；(2)铣矩形台阶孔；(3)铣圆形台阶孔；(4)铣内腔。本发明专利技术通过使用硬度高、耐磨性好的合金涂层立铣刀，能够长时间保持刀刃锋利，有效避免铝硅复合材料机械加工过程中带来的崩边、裂纹等缺陷；同时，由于加工方式为干切，消除了切削液、冷却液对壳体的污染，有效提高壳体后道涂覆层质量；采用本发明专利技术提供的方法进行铝硅壳体加工，效率高、可操作性强，加工出的产品质量一致性好。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】_种锅娃壳体加工方法
本专利技术涉及电子元器件封装领域，具体涉及。
技术介绍
电子器件特别是高端器件正在向小型化、轻量化、高功率密度、多功能和高可靠性等方向发展，对作为其核心组成部分的气密性金属封装外壳在散热、重量、膨胀系数匹配等方面的要求也越来越高。铝硅作为一种新型的复合材料，具有以下优点:1)热膨胀系数在6-17范围之内可调，能够满足于壳体内部陶瓷基板、芯片等组装热膨胀系数匹配要求；2)密度在2.3-2.7g/cm3之间，重量轻；3)热导率彡120w/m*K，散热快，是一种理想的封装外壳基体材料，受到封装外壳行业的广泛青睐。铝硅复合材料硅含量一般在22%-50%之间，脆性大，采用传统加机械加工工艺进行加工，容易出现崩边、裂纹、掉角等缺陷，制约了其在封装外壳领域中的大面积推广和应用。
技术实现思路
本专利技术提供，能够有效解决铝硅封装外壳在机械加工过程出现的裂纹、崩边、掉角等问题，同时，能够提高后道涂覆层质量，通过本专利技术的实施，可以实现铝硅封装外壳的批量加工制备。为解决上述技术问题，本专利技术采用如下技术方案: ，包括如下步骤: (1)铣外形:使用Φ6或Φ8合金涂层立铣刀，转速设定在3500-4500RPM范围之内，进给设定在450-550 mm/min范围之内，对壳体顶面、底面及四周进行铣削，其中壳体左侧铣削出第一凸台，壳体右侧铣削出第二凸台； (2)铣矩形台阶孔:使用Φ1.5合金涂层立铣刀，转速设定在5500-6000 RPM范围之内，进给设定在50-200 mm/min范围之内，壳体左侧的第一凸台铣削出矩形台阶孔； (3)铣圆形台阶孔:使用同步骤2的刀具及参数对壳体右侧的第二凸台铣削出阵列圆形台阶孔； (4)铣内腔:内腔铣削分为粗铣和精铣两步，先使用Φ6合金涂层立铣刀，转速设定在3500-4500 RPM范围之内，进给设定在450-550 mm/min范围之内，对内腔进行粗加工；然后使用Φ 3合金涂层立铣刀，转速设定在4500-5500 RPM范围之内，进给设定在50-150 mm/min范围之内，对内腔进行精加工，铝硅壳体加工完成。铝硅复合材料是铝和硅之间形成的“假合金”，显微组织结构上可以看到大量的硅颗粒，加工过程中如果冷却液或切削液渗入颗粒之间的孔隙中，不容易去除，影响后道壳体涂覆层质量。进一步地，铣加工方式为干切，切削过程中不使用冷却液和切削液，避免了对壳体镀层质量造成影响。优选地，所述铝硅壳体中硅含量在22%_50%之间，对其他规格的铝硅稍加优化一下工艺流程及参数后具有同等效果。由以上技术方案可知，本专利技术通过使用硬度高、耐磨性好的合金涂层立铣刀，能够长时间保持刀刃锋利，有效避免铝硅复合材料机械加工过程中带来的崩边、裂纹等缺陷；同时，由于加工方式为干切，消除了切削液、冷却液对壳体的污染，有效提高壳体后道涂覆层质量；采用本专利技术提供的方法进行铝硅壳体加工，效率高、可操作性强，加工出的产品质量一致性好。【附图说明】图1为本专利技术中铝硅壳体的加工完成图； 图2为本专利技术加工方法中步骤I的加工结构图； 图3为本专利技术加工方法中步骤2的加工结构图； 图4为本专利技术加工方法中步骤3的加工结构图； 图5为本专利技术加工方法中步骤4的加工结构图。图中:1、第一凸台，2、第二凸台，3、矩形台阶孔，4、圆形台阶孔，5、内腔。【具体实施方式】下面结合附图对本专利技术的一种优选实施方式作详细的说明。如图1所示，所述铝硅壳体具有开口向上的用于放置电子元器件的内腔5，壳体的左侧设置有第一凸台1，壳体右侧设置有第二凸台2，所述第一凸台上开设有用于连通内腔的矩形台阶孔3，所述第二凸台上沿其长度方向依次开设有多个圆形台阶孔4。本专利技术铝硅壳体加工方法的具体步骤包括如下: 步骤1:使用Φ6或Φ8合金涂层立铣刀，转速设定在3500-4500 RPM范围之内，进给设定在450-550 mm/min范围之内，对壳体外形进行铣削，外形包括顶面、底面和四周，其中壳体左侧铣削出第一凸台1，壳体右侧铣削出第二凸台2，参照图2。步骤2:使用Φ 1.5合金涂层立铣刀，转速设定在5500-6000 RPM范围之内，进给设定在50-200 mm/min范围之内，壳体左侧的第一凸台I铣削出矩形台阶孔3，参照图3。步骤3:用同步骤2的刀具及参数对壳体右侧的第二凸台2铣削出阵列圆形台阶孔4，参照图4。步骤4:内腔5铣削分为粗铣和精铣两步，先使用Φ6合金涂层立铣刀，转速设定在3500-4500 RPM范围之内，进给设定在450-550 mm/min范围之内，对内腔进行粗加工；然后使用Φ 3合金涂层立铣刀，转速设定在4500-5500 RPM范围之内，进给设定在50-150mm/min范围之内，对内腔进行精加工，参照图5，至此，铝硅壳体加工完成。以上所述实施方式仅仅是对本专利技术的优选实施方式进行描述，并非对本专利技术的范围进行限定，在不脱离本专利技术设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本专利技术的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本专利技术的权利要求书确定的保护范围内。【主权项】1.，其特征在于，包括如下步骤: (1)铣外形:使用Φ6或Φ8合金涂层立铣刀，转速设定在3500-4500RPM范围之内，进给设定在450-550 mm/min范围之内，对壳体顶面、底面及四周进行铣削，其中壳体左侧铣削出第一凸台，壳体右侧铣削出第二凸台； (2)铣矩形台阶孔:使用Φ1.5合金涂层立铣刀，转速设定在5500-6000 RPM范围之内，进给设定在50-200 mm/min范围之内，壳体左侧的第一凸台铣削出矩形台阶孔； (3)铣圆形台阶孔:使用同步骤2的刀具及参数对壳体右侧的第二凸台铣削出阵列圆形台阶孔； (4)铣内腔:内腔铣削分为粗铣和精铣两步，先使用Φ6合金涂层立铣刀，转速设定在3500-4500 RPM范围之内，进给设定在450-550 mm/min范围之内，对内腔进行粗加工；然后使用Φ 3合金涂层立铣刀，转速设定在4500-5500 RPM范围之内，进给设定在50-150 mm/min范围之内，对内腔进行精加工，铝硅壳体加工完成。2.根据权利要求1所述的铝硅壳体加工方法，其特征在于，铣加工方式为干切，切削过程中不使用冷却液和切削液。3.根据权利要求1所述的铝硅壳体加工方法，其特征在于，所述铝硅壳体中硅含量在22%-50% 之间 ο【专利摘要】本专利技术提供，包括如下步骤：(1)铣外形；(2)铣矩形台阶孔；(3)铣圆形台阶孔；(4)铣内腔。本专利技术通过使用硬度高、耐磨性好的合金涂层立铣刀，能够长时间保持刀刃锋利，有效避免铝硅复合材料机械加工过程中带来的崩边、裂纹等缺陷；同时，由于加工方式为干切，消除了切削液、冷却液对壳体的污染，有效提高壳体后道涂覆层质量；采用本专利技术提供的方法进行铝硅壳体加工，效率高、可操作性强，加工出的产品质量一致性好。【IPC分类】B23C5/16, B23C3/00【公开号】CN104923839【申请号】CN201510356828【专利技术人】赵飞, 黄志刚, 朱小军 【申请人】合肥圣达电子科技实业公司【公开日】2015年9月23日【申请日】2015年6月25日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铝硅壳体加工方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）铣外形：使用φ6或φ8合金涂层立铣刀，转速设定在3500‑4500 RPM范围之内，进给设定在450‑550 mm/min范围之内，对壳体顶面、底面及四周进行铣削，其中壳体左侧铣削出第一凸台，壳体右侧铣削出第二凸台；（2）铣矩形台阶孔：使用φ1.5合金涂层立铣刀，转速设定在5500‑6000 RPM范围之内，进给设定在50‑200 mm/min范围之内，壳体左侧的第一凸台铣削出矩形台阶孔；（3）铣圆形台阶孔：使用同步骤2的刀具及参数对壳体右侧的第二凸台铣削出阵列圆形台阶孔；（4）铣内腔：内腔铣削分为粗铣和精铣两步，先使用φ6合金涂层立铣刀，转速设定在3500‑4500 RPM范围之内，进给设定在450‑550 mm/min范围之内,对内腔进行粗加工；然后使用φ3合金涂层立铣刀，转速设定在4500‑5500 RPM范围之内，进给设定在50‑150 mm/min范围之内,对内腔进行精加工，铝硅壳体加工完成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵飞，黄志刚，朱小军，
申请(专利权)人：合肥圣达电子科技实业公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34