非平面锗量子阱装置制造方法及图纸

本申请涉及“非平面锗量子阱装置”。公开用于形成非平面锗量子阱结构的技术。具体来说，量子阱结构能够采用IV或III-V族半导体材料来实现，并且包括锗鳍式结构。在一个示例情况下，提供一种非平面量子阱装置，该装置包括具有衬底(例如硅上的SiGe或GaAs缓冲部分)、IV或III-V材料势垒层(例如SiGe或GaAs或AlGaAs)、掺杂层(例如δ掺杂/调制掺杂)和未掺杂锗量子阱层的量子阱结构。未掺杂锗鳍式结构在量子阱结构中形成，并且顶部势垒层在鳍式结构之上沉积。栅金属能够跨鳍式结构来沉积。漏区/源区能够在鳍式结构的相应端部形成。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】非平面错量子阱装置 本分案申请的母案申请日为2010年11月18日、申请号为201080059031. 4、专利技术 名称为"非平面错量子阱装置"。
本申请设及非平面错量子阱装置。
技术介绍
在外延生长的半导体异质结构中、通常在III-V或娃错/错（SiGe/Ge)材料系统 中形成的量子阱晶体管装置因低有效质量连同因5渗杂引起的已降低杂质散射而在晶体 管沟道中提供异常高的载流子迁移率。另外，该些装置提供异常高的驱动电流性能。但是， 由于量子阱晶体管在外延生长的异质结构中形成，所W所产生的结构由若干垂直外延层组 成，从而仅允许形成平面类型的量子阱装置。
技术实现思路
根据第一实施例，本专利技术提供了一种非平面半导体器件，其包括： 娃衬底； 娃错势垒层，其在所述娃衬底上形成； 错层，其在所述娃错势垒层上形成，其中所述错层的至少一部分包括错罐式结构，其具 有顶表面和横向相对的侧壁表面； 娃覆盖层，其在所述错罐式结构的至少一部分上形成，其中所述娃覆盖层覆盖所述错 罐式结构的顶表面和侧壁表面； 栅极介电层，其在所述娃覆盖层上形成，所述栅极介电层在覆盖所述错罐式结构的顶 表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非平面半导体器件，其包括：硅衬底；硅锗势垒层，其在所述硅衬底上形成；锗层，其在所述硅锗势垒层上形成，其中所述锗层的至少一部分包括锗鳍式结构，其具有顶表面和横向相对的侧壁表面；硅覆盖层，其在所述锗鳍式结构的至少一部分上形成，其中所述硅覆盖层覆盖所述锗鳍式结构的顶表面和侧壁表面；栅极介电层，其在所述硅覆盖层上形成，所述栅极介电层在覆盖所述锗鳍式结构的顶表面的硅覆盖层的部分的顶上形成并且邻近覆盖所述锗鳍式结构的侧壁表面的硅覆盖层的部分而形成；以及栅电极层，其在所述栅极介电层上形成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：R皮拉里塞蒂，JT卡瓦列罗斯，W雷奇马迪，U沙，B楚孔，M拉多沙夫耶维奇，N穆克赫吉，G德维，BY金，RS乔，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US