【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种等离子刻蚀设备，用于对衬底进行等离子刻蚀，所述设备包括：第一隔室，具有等离子生成区域，所述等离子生成区域具有一定的横截面积和形状；等离子生成装置，用于在所述等离子生成区域中生成等离子；第二隔室，在所述等离子生成隔室中生成的等离子能够流入所述第二隔室，其中，所述第二隔室限定了具有一定横截面积和形状的内部，并且所述内部的横截面积大于所述等离子生成区域的横截面积；第三隔室，具有一用于对具有待等离子刻蚀的上表面的衬底进行支承的衬底支承件，其中，所述第三隔室具有与所述第二隔室的界面，以使得等离子或者一种或更多种与等离子相关的刻蚀剂可流出所述第二隔室以对所述衬底进行刻蚀；其中，所述第二隔室的所述内部的横截面积与形状大体上对应于所述衬底的上表面；以及所述衬底支承件被布置以使得，在使用中，所述衬底大体上与所述第二隔室的所述内部配准，并且所述衬底的上表面被放置成与所述界面相距80mm或更少。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：马克西姆·瓦瓦拉，
申请(专利权)人：SPTS科技有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB
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