【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种等离子蚀刻碳化硅半导体衬底的方法。本专利技术还涉及一种等离子蚀刻设备。
技术介绍
1、碳化硅(sic)为可支持约2.2mv/cm的极高击穿电压的宽带隙(对于4h-sic为3.28ev)半导体，其为纯硅的击穿电压的约七倍，大于纯硅的热导率的两倍。归因于与成熟的si igbt(绝缘栅双极晶体管)技术相比的热和频率益处，sic广泛用于高功率、高频应用，例如用于电动车辆的电池充电器、反相器以及能量存储和传输。
2、为了制造sic装置、mosfet、肖特基二极管或基于mems的结构，相对惰性的sic材料需要用掩模图案化，且通常使用各向异性等离子蚀刻工艺蚀刻。掩模可以是金属的，例如ni，基于金属的，例如ito，或介电sio2或sin。如us 2016/016385 a1中所公开，当在sic表面中蚀刻沟槽时，频繁地需要产生在与水平方向成85°到90°的范围内的明确界定的锥形。如图1b中所示，“正”锥形(小于90°)不仅使涂布和填充沟槽对后续过程(例如，pe-cvd、cvd或pvd沉积步骤)不太需要，而且还可能通过将特征与...
【技术保护点】
1.一种等离子蚀刻碳化硅半导体衬底以形成特征的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种含氟组分包括SF6、SiF4或其组合。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述至少一种含氟组分包括SF6和SiF4两者。
4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中所述蚀刻剂气体混合物进一步包括SiCl4。
5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中所述蚀刻剂气体混合物进一步包括含氧组分。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述含氧组分为O2气体。
7.根据...
【技术特征摘要】
1.一种等离子蚀刻碳化硅半导体衬底以形成特征的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种含氟组分包括sf6、sif4或其组合。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述至少一种含氟组分包括sf6和sif4两者。
4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中所述蚀刻剂气体混合物进一步包括sicl4。
5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中所述蚀刻剂气体混合物进一步包括含氧组分。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述含氧组分为o2气体。
7.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中所述至少一种含氟组分、氯气和当存在时sicl4和所述含氧组分中的每一者的流动速率为至多100sccm。
8.根据权利要求7所述的方法，其中sf6的流动速率为30sccm到60sccm，和/或sif4的流动速率为20sccm到98sccm。
9.根据权利要求7所述的方法，其中sicl4的所述流动速率为5sccm到95sccm。
10.根据权利要求7所述的方法，当附属于权利要求5时，其中所述含氧组分的所述流动速率为5sccm到95sccm。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述含氧组分的所述流动速率为50sccm到80sccm。
12.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中所述蚀刻剂气体混合物进一步包括惰性气体组分。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述惰性气体组分是氩气。
14.根据权利要求12所述的方法，其中所述惰性气体组分的流动速率为至多500sccm。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述惰性气体组分的所述流动速率为至少300sccm。
16.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中使用将800w到2500w的功率供应到所述等...
【专利技术属性】
技术研发人员：H·阿什拉夫，K·里德尔，A·克鲁特，
申请(专利权)人：SPTS科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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