【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种对含铟化合物半导体衬底进行等离子体蚀刻的方法。本专利技术还涉及一种等离子体蚀刻设备。
技术介绍
1、包含inp及相关合金(例如ingaasp)的含铟化合物半导体广泛用于电-光及光学装置中。基于这些材料的装置在光学通信应用中至关重要。在对含铟化合物半导体结构进行等离子体蚀刻时产生的常见结构包含若干微米深的沟槽或波导特征。这些沟槽或波导特征要求平滑基底及侧壁，且侧壁要求接近90°的倾斜角度。此外，当蚀刻异质结构时，避免在层之间的界面处产生凹口是很重要的。台面类型结构可具有类似要求。为了实现必要的各向异性，通常要求在蚀刻工艺期间进行钝化。在特征底部处进行离子轰击移除了特征基底处的钝化，同时侧壁上的钝化抑制了横向蚀刻。用于这些工艺中的蚀刻剂气体混合物通常是基于cl2及/或hbr。举例来说，ch4/h2/cl2、ch4/ar/cl2、ch4/h2、cl2/n2、cl2/h2、cl2/n2/ar、hbr、hbr/ar及hbr/n2全都是已知的蚀刻剂气体混合物。
2、使用氯的蚀刻剂气体混合物提供大于1μm/min的相对高...
【技术保护点】
1.一种对含铟化合物半导体衬底进行等离子体蚀刻的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述次级蚀刻工艺期间施加到所述衬底的所述RF偏压功率在约15W与约40W之间。
3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述次级蚀刻工艺期间施加到所述衬底的所述RF偏压功率在约20W与约30W之间。
4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中所述第二蚀刻剂气体或气体混合物由含氧组分组成。
5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中所述含氧组分包括O2、H2O、N2O及/或O3。
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【技术特征摘要】
1.一种对含铟化合物半导体衬底进行等离子体蚀刻的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述次级蚀刻工艺期间施加到所述衬底的所述rf偏压功率在约15w与约40w之间。
3.根据权利要求2所述的方法，其中在所述次级蚀刻工艺期间施加到所述衬底的所述rf偏压功率在约20w与约30w之间。
4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中所述第二蚀刻剂气体或气体混合物由含氧组分组成。
5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中所述含氧组分包括o2、h2o、n2o及/或o3。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述含氧组分是o2。
7.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其中所述初级蚀刻工艺在至少150℃的温度下执行。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述初级蚀刻工艺在约150℃与约250℃之间的温度下执行。
9.根据权利要求7所述的方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：范维康，A·S·比切，
申请(专利权)人：SPTS科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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