温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请案的实施例涉及含铟化合物半导体的后处理。提供一种对含铟化合物半导体衬底进行等离子体蚀刻的方法及用于对含铟半导体衬底进行等离子体蚀刻的等离子体蚀刻设备。...
该专利属于SPTS科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过SPTS科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。