【技术实现步骤摘要】
本申请案的实施例涉及电介质层，特定来说，涉及二氧化硅厚层的沉积。
技术介绍
1、电介质薄层广泛用于制造半导体装置、mems装置以及光学及电光装置或结构。在沉积工艺期间，无论是通过cvd、pecvd、hdp-cvd、peald还是ald，应力都将被并入到电介质薄层中。此应力可由于例如电介质薄层及底层衬底的热膨胀系数之间的差的外在因素或例如电介质薄层的微结构中的缺陷的内在因素。电介质薄层中可存在的压缩或拉伸应力可导致不希望的晶片变形，这继而可证明对后续工艺步骤是有问题的，或者可导致电介质薄层本身以裂纹或分层的形式失效。
2、当涂层厚度增加时，控制应力变得越来越具挑战性。在需要厚度大于10μm的sio2厚层的应用中，常规pecvd工艺倾向于是高沉积速率工艺的优选技术。这些常规工艺倾向于需要低沉积速率或多个应力平衡层以实现具有最小晶片变形的无裂纹层。这导致具有低总沉积速率的复杂的沉积工艺。例如，us 9472610 b2公开，不可能在280℃或更低的温度下沉积厚度为20微米或更大的二氧化硅层而不由于层中的应力累积而开裂，且因此使用交...
【技术保护点】
1.一种通过等离子体增强化学气相沉积PECVD将二氧化硅沉积到衬底上的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二气体混合物进一步包括氧气。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述第二气体混合物进一步包括氢气。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述第二气体混合物进一步包括氦气。
5.根据权利要求4所述的方法，其中在所述第二沉积步骤期间，所述氦气通过两个或更多个气体入口引入所述腔室中。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中硅烷在所述第一沉积步骤期间...
【技术特征摘要】
1.一种通过等离子体增强化学气相沉积pecvd将二氧化硅沉积到衬底上的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二气体混合物进一步包括氧气。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述第二气体混合物进一步包括氢气。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述第二气体混合物进一步包括氦气。
5.根据权利要求4所述的方法，其中在所述第二沉积步骤期间，所述氦气通过两个或更多个气体入口引入所述腔室中。
6.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中硅烷在所述第一沉积步骤期间以约50sccm到约400sccm，任选地约90sccm到约350sccm，任选地约180到约330sccm的范围内或任选地约325sccm的流动速率引入所述腔室中。
7.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中氮气在所述第一沉积步骤期间以约2000sccm到约8,000sccm，任选地约2500sccm到约7,000sccm，任选地约2600sccm到约6,500sccm的范围内或任选地约6,000sccm的流动速率引入所述腔室中。
8.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中氢气在所述第一沉积步骤中以约250到约750sccm，任选地约400sccm到约600sccm的范围内或任选地约500sccm的流动速率引入所述腔室中。
9.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中氨气在所述第一沉积步骤中以约25sccm到约500sccm，任选地约35sccm到约475sccm的范围内或任选地约450sccm的流动速率引入所述腔室中。
10.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中正硅酸四乙酯在所述第二沉积步骤期间以约1sccm到约10sccm，任选地约3sccm到约7sccm的范围内或任选地约5sccm的流动速率引入所述腔室中。
11.根据权利要求2所述的方法，其中氧气在所述第二沉积步骤期间以约1.0slpm到约10slpm，任选地约4.0slpm到约8.0slpm的范围内或任选地约6.5slpm的流动速率引入所述腔室中。
12.根据权利要求3所述的方法，其中氢气在所述第二沉积步骤期间以约0.25slpm到约2.0slpm，任选地约0.75slpm到约1.5slpm的范围内或任选地约1.0slpm的流动速率引入所述腔室中。
13.根据权利要求4所述的方法，其中在所述第二沉积步骤中引入所述腔室中的氦气的总流动速率在约1000sccm到约2000sccm，任选地约1200sccm到约1650sccm的范围内或任选地为约1450sccm。
14.根据权利要求5所述的方法，其中在所述第二沉积步骤中通过所述至少两个气体入口中的第一气体入口引入所述腔室中的氦气的所述流动速率在约600sccm到约1900sccm，任选地约800sccm到约1700sccm的范围内或任选地为约1250sccm，及/或在所述第二沉积步骤中通过所述至少...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·埃德蒙兹，W·罗伊尔，C·L·琼斯，D·戈麦斯·桑切斯，K·克鲁克，
申请(专利权)人：SPTS科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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