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二氧化硅厚层的沉积制造技术
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文档序号:40770511
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本申请案的实施例涉及二氧化硅厚层的沉积。提供一种通过等离子体增强化学气相沉积PECVD将二氧化硅沉积到衬底上的方法、一种上面沉积有至少一个二氧化硅层的衬底以及一种用于通过等离子体增强化学气相沉积将二氧化硅沉积到衬底上的等离子体增强化学气相沉...
该专利属于SPTS科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过SPTS科技有限公司授权不得商用。
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