本发明专利技术公开了一种LED器件，其包括基座；所述基座设置凹槽部与凸起部；所述凸起部设置至少一LED芯片；所述凹槽部设置若干LED芯片。采用上述方案，本发明专利技术的LED芯片分别设置于凹槽部与凸起部，散热性能较好，特别适用于照明领域，尤其是大功率LED照明灯，具有很高的市场应用价值。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED领域，尤其涉及的是，一种LED器件。
技术介绍
随着技术的发展，LED已经得到广泛应用。LED是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。发光二极管的反向击穿电压大于5伏。它的正向伏安特性曲线很陡，使用时必须串联限流电阻以控制通过二极管的电流。限流电阻R可用下式计算:R= (E — UF)/IF。式中E为电源电压，UF为LED的正向压降，IF为LED的正常工作电流。发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。当它处于正向工作状态时(即两端加上正向电压)，电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，光的强弱与电流有关。但是，现有的LED器件，往往只是将LED芯片正面安装或者倒装，使其发光方向向上或者向下。
技术实现思路
本专利技术提供一种新的LED器件。本专利技术的技术方案如下:一种LED器件，其包括基座；所述基座设置凹槽部与凸起部；所述凸起部设置至少一 LED芯片；所述凹槽部设置若干LED芯片。例如，所述凹槽部的深度为0.2mm?4mm ;又如，所述凸起部为圆台体结构；又如，所述基座的开口为矩形、圆形或者椭圆形。又如，所述凸起部设置至少两个LED芯片；优选的，相邻两个LED芯片的间隙为LED芯片宽度的20%至60%。又如，所述凹槽部中各LED芯片顺序排列，末端处的LED芯片邻接初始处的LED芯片；优选的，相邻两个LED芯片的间隙为LED芯片宽度的20%至60%。又如，所述基座包括铝、铜、金和/或镍，优选的，铜芯层，以增强散热效果。又如，所述基座还包括石墨层。优选的，所述凹槽部为环形。优选的，所述凹槽部为“回”形。优选的，所述凹槽部具有第一侧壁以及第二侧壁，各所述第二侧壁围合形成所述凸起部。例如，所述基座设置侧壁部，其与所述第一侧壁相连。例如，所述侧壁部包括第一段与第二段，又如，所述第一段与所述第一侧壁的倾斜度相同或者相异设置。例如，相对于所述基座的底面，所述第一段的倾斜度为40至75度，又如，所述第一侧壁的倾斜度为40至70度；优选的，所述第一段与所述第一侧壁的倾斜度相同设置，例如，所述第一段与所述第一侧壁一体设置。又如，相对于所述基座的底面，所述第二段的倾斜度与所述第一段的倾斜度相同或者相异设置。例如，所述第二段的倾斜度与所述第一段的倾斜度相同设置；例如，所述第一段与所述第二段一体设置。又如，相对于所述基座的底面，所述第二段的倾斜度为90度，这样，易于安装荧光体。又如，相对于所述基座的底面，所述第二侧壁的倾斜度为70至90度；优选的，所述第二侧壁的倾斜度为75至85度。优选的，所述第二侧壁设置第二反射层，用于反射所述凹槽部中的各LED芯片的光线。优选的，所述第一侧壁设置第一反射层，用于反射所述凹槽部中的各LED芯片的光线。又如，所述反射层下方还部分设置散热层，例如，所述散热层为绝缘体，例如，所述绝缘体包括金刚石膜层。优选的，所述凸起部低于所述基座的最高位置。优选的，所述凸起部位于所述基座的高度的25% -45%。优选的，所述基座上还设置封装结构。优选的，所述封装结构包括荧光体，其位于所述基座上方。例如，各所述LED芯片位于所述荧光体与所述基座之间。又如，所述荧光体中设置荧光粉，例如，所述荧光粉中包括带有钇铝石榴石和/或氮化物的荧光粉；又如，所述荧光粉中还包括S1、Al和/或Ti元素；荧光粉为微粒结构，包括圆球形、椭球形、锥体或其他形状，优选的，所述微粒结构的最大宽度和/或最大长度为15nm?850nm。优选的，所述荧光体为荧光胶。优选的，所述荧光体为具有荧光粉层的玻璃。采用上述方案，本专利技术的LED芯片分别设置于凹槽部与凸起部，散热性能较好，特别适用于照明领域，尤其是大功率LED照明灯，具有很高的市场应用价值。【附图说明】图1为本专利技术的一个实施例的示意图；图2为本专利技术的又一个实施例的示意图；图3为本专利技术的又一个实施例的支架示意图；图4为本专利技术的又一个实施例的示意图；图5为本专利技术的又一个实施例的示意图；图6为本专利技术的又一个实施例的示意图；图7为本专利技术的又一个实施例的示意图；图8为本专利技术的又一个实施例的封装结构示意图；图9为本专利技术的又一个实施例的封装结构示意图。【具体实施方式】为了便于理解本专利技术，下面结合附图和具体实施例，对本专利技术进行更详细的说明。但是，本专利技术可以采用许多不同的形式来实现，并不限于本说明书所描述的实施例。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。除非另有定义，本说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本说明书中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是用于限制本专利技术。本说明书所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。本专利技术的一个实施例是，一种LED器件，其包括基座；所述基座设置凹槽部与凸起部；例如，各所述支架作为所述凹槽部的第二侧壁围合组成所述凸起部的侧壁。为了增强散热效果，例如，所述基座包括铝、铜、金和/或镍，优选的，所述基座设置铜芯层，以增强散热效果。又如，所述基座还包括石墨层，例如，所述基座设置两层所述铜芯层，其中夹持一层所述石墨层。优选的，所述石墨层的厚度为所述铜芯层的厚度的8?10倍，例如，所述石墨层的厚度为所述铜芯层的厚度的10倍。其中，所述凸起部设置至少一 LED芯片；所述凹槽部设置若干LED芯片。例如，如图4所示，一种LED器件，其包括基座300以及LED芯片330 ;所述基座设置凹槽部310与凸起部320 ;所述凸起部设置至少一 LED芯片；所述凹槽部设置若干LED芯片。又如，如图5所示，凹槽部310上设置若干LED芯片，包括LED芯片331与LED芯片332，凸起部320上设置LED芯片333，形成双层发光体系。为便于安装与排列，优选的，所述基座为圆形或者方形，又如，所述凹槽部为圆形或者方形。例如，所述基座为圆形，所述凹槽部为圆形；又如，所述基座为圆形，所述凹槽部为方形；又如，所述基座为方形，所述凹槽部为圆形；又如，所述基座为方形，所述凹槽部为方形。优选的，所述凹槽部为环形；或者，所述凹槽部为“回”形。例如，由支架与基座围合形成所述凹槽部；例如，所述凹槽部的深度为0.2mm?4mm，例如，所述凹槽部本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种LED器件，其特征在于，包括基座；所述基座设置凹槽部与凸起部；所述凸起部设置至少一LED芯片；所述凹槽部设置若干LED芯片。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：潘小和，
申请(专利权)人：矽照光电厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35
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