发光部件和发光装置以及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种呈现出高的每单位面积亮度的发光部件和发光装置以及其简化的制造方法。发光单元包括单个基底衬底和在该单个基底衬底上的多个发光器件。发光单元包括使发光器件中的至少一部分发光器件串联地连接的串联连接体。串联连接体包括：形成电流路径的发光器件；不形成电流路径的发光器件；以及将发光器件的n电极与p电极电连接的连接构件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有发光器件的。
技术介绍
用于制造半导体发光器件的过程可以包括：在生长衬底上生长半导体层；以及将 生长衬底分割成多个发光器件。 例如，分割成具有第III族氮化物半导体的发光器件可以包括以下步骤：通过研 磨使蓝宝石晶片变薄；通过辐照激光在蓝宝石晶片内部形成修改部；以及将蓝宝石晶片分 割成发光器件。以此方式，需要很多步骤。 如日本公开特许公报（特开）第2012-195437号的图1所示，在发光装置中多个 发光器件通常串联地连接。因此，即使一个电特性差的发光器件也会阻止电流流向其他发 光器件。为了避免这种现象，一般在逐个检验分割后的发光器件之后，只将满足预定标准的 发光器件组装到发光装置。 为了组装多个发光器件，在发光器件之间需要设置一定距离（空间）。器件之间的 这样的距离使得难以将多个发光器件集中设置。随着器件之间的距离增加，所以发光装置 的每单位面积亮度降低。器件之间的距离可能阻碍发光装置的尺寸缩小。 使发光器件彼此隔离以及对发光器件进行重新布置的步骤增加了步骤的数目。因 而，周期时间有些长。
技术实现思路
为了解决前述常规技术中涉及的问题，实现了本专利技术。因此，本专利技术的目的是提供 一种呈现出高的每单位面积亮度的发光部件和发光装置以及其简化的制造方法。 在本专利技术的第一方面中，提供了一种发光部件，其包括单个基底衬底和在该基底 衬底上的多个发光器件。该发光部件包括使发光器件中的至少一部分发光器件串联地连接 的串联连接体。所述发光器件中的每个发光器件包括：半导体层，其包括第一导电型第一半 导体层、发光层和第二导电型第二半导体层；电连接至第一半导体层的第一电极；以及电 连接至第二半导体层的第二电极。每个串联连接体包括：形成电流路径的第一发光器件和 第二发光器件；没有形成电流路径的第三发光器件；以及将第一发光器件的第一电极与第 二发光器件的第二电极电连接的连接构件。 在发光部件中，在将发光器件设置在基底衬底上时不需要额外空间。在切割生长 衬底以分离发光器件时不需要切割容差。因此，发光部件的每单位面积发光量高于常规发 光部件的每单位面积发光量。换言之，能够减小发光部件的尺寸。此外，能够增加发光部件 的生产率。在下文中，"没有形成电流路径的发光器件"包括：发光器件的第一电极和第二 电极中的至少之一没有电连接至电源的情况；以及发光器件的第一电极和第二电极通过导 体连接的情况。在发光器件的第一电极和第二电极通过导电构件连接即短路的情况下，电 流几乎不流至发光器件，而电流流至导电构件。 本专利技术的第二方面涉及发光部件的【具体实施方式】，其中，基底衬底是用于生长发 光器件的半导体层的生长衬底，发光器件中的每个发光器件通过形成在生长衬底的表面上 的沟槽彼此隔离。 本专利技术的第三方面涉及发光部件的【具体实施方式】，其中，发光器件中的每个发光 器件包括形成在单个基底衬底上的缓冲层，缓冲层彼此绝缘隔离并且在缓冲层上生长有半 导体层。此外多个发光器件具有缓冲层。多个发光器件设置在其上接触缓冲层的单个基底 衬底上。 本专利技术的第四方面涉及发光部件的【具体实施方式】，其中，发光器件的第一电极和 第二电极在从半导体层观察的一个表面上具有相应的露出部分。 本专利技术的第五方面涉及发光部件的【具体实施方式】，其中，在串联连接体中，第三发 光器件的内电阻与除第三发光器件之外的发光器件的平均内电阻的比率在〇. 98或更小的 范围内、或者在1. 02或更大的范围内。 本专利技术的第六方面涉及发光部件的【具体实施方式】，其中，在串联连接体中，第三发 光器件的驱动电压与除第三发光器件之外的发光器件的平均驱动电压的比率在0. 98或更 小的范围内、或者在1.02或更大的范围内。 本专利技术的第七方面涉及发光部件的【具体实施方式】，其中，在串联连接体中，第三发 光器件的总辐射通量与除第三发光器件之外的发光器件的平均总辐射通量的比率在0. 98 或更小的范围内、或者在1.02或更大的范围内。 本专利技术的第八方面涉及发光部件的【具体实施方式】，其中，在串联连接体中第三发 光器件设置在第一发光器件与第二发光器件之间。 本专利技术的第九方面涉及发光部件的【具体实施方式】，其中，第三发光器件至少设置 在串联连接体的一端处。 本专利技术的第十方面涉及发光部件的【具体实施方式】，其中，第三发光器件不包括电 连接至第三发光器件的第一电极和第三发光器件的第二电极中的至少之一的连接构件。 本专利技术的第十一方面涉及发光部件的【具体实施方式】，其中，第三发光器件包括电 连接第三发光器件的第一电极和第三发光器件的第二电极的导电构件。 本专利技术的第十二方面涉及发光部件的【具体实施方式】，其中，单个基底衬底是用于 生长发光器件的半导体层的生长衬底。 在本专利技术的第十三方面中，提供了一种发光装置，该发光装置包括：上述发光部 件；以及覆盖发光部件的发光器件的表面的至少一部分的荧光材料。 在本专利技术的第十四方面中，提供了一种用于制造发光部件的方法。该方法包括：在 生长衬底上形成半导体层，所述半导体层包括第一导电型第一半导体层、发光层和第二导 电型第二半导体层；以及在第一半导体层上形成第一电极并且在第二半导体层上形成第二 电极。该方法还包括：形成沟槽以使半导体层绝缘隔离成多个发光器件；以及将第一发光 器件的第一电极与第二发光器件的第二电极电连接，其中，作为发光器件中的至少一部分 发光器件的第三发光器件不形成电流路径。 本专利技术的第十五方面涉及用于制造发光部件的方法的【具体实施方式】，其中，第三 发光器件没有被电连接。 本专利技术的第十六方面涉及用于制造发光部件的方法的【具体实施方式】，其中，通过 导电构件将第三发光器件的第一电极与第二电极电连接。 本专利技术的第十七方面涉及用于制造发光部件的方法的【具体实施方式】，还包括将发 光器件安装在副安装座上。 本专利技术的第十八方面涉及用于制造发光部件的方法的【具体实施方式】，还包括：制 造上述发光部件；以及向发光部件的发光器件施加荧光涂层。 本专利技术的第十九方面涉及用于制造发光部件的方法的【具体实施方式】，还包括：制 造上述发光部件，其中，生长衬底是蓝宝石衬底；以及向蓝宝石衬底的光输出表面施加荧光 涂层。 根据本专利技术，提供了一种呈现出高的每单位面积亮度的发光部件和发光装置以及 其简化的制造方法。【附图说明】 由于在结合附图进行考虑的情况下，参考优选的实施方式的以下详细描述，本发 明的各种其他目的、特征以及许多附带优点将变得更好理解，所以可容易地认识到本专利技术 的各种其他目的、特征以及许多附带优点，在附图中： 图1为示出根据实施方式1的发光装置的俯视图； 图2为根据实施方式1的从侧面观察的发光装置的结构示意图； 图3为根据实施方式的发光装置的发光器件的结构示意图； 图4为示出根据实施方式1的发光装置中的发光器件的布局的俯视图； 图5为示出在常规发光装置中的发光器件的布局的俯视图； 图6为示出在根据实施方式1的发光装置中不存在电特性差的发光器件的情况的 俯视图； 图7为在根据实施方式1的变化方案的发光装置中的串联连接体的结构示意图； 图8为根据实施方式2的发光装置的结构示意图； 图9为根据实施方式2的变化方案的发光装置的结构示意图； 图10为示出根据实施方式3的发光装置本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光部件，其包括单个基底衬底和在所述基底衬底上的多个发光器件，所述发光部件包括串联连接体，在所述串联连接体中所述发光器件中的至少一部分发光器件串联地连接，其中：所述发光器件中的每个发光器件包括：半导体层，其包括第一导电型第一半导体层、发光层和第二导电型第二半导体层；第一电极，其电连接至所述第一半导体层；以及第二电极，其电连接至所述第二半导体层，所述串联连接体包括：第一发光器件和第二发光器件，其形成所述发光器件的电流路径；第三发光器件，其不形成所述发光器件的电流路径；以及连接构件，其将所述第一发光器件的所述第一电极与所述第二发光器件的所述第二电极电连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：石黑雄也，矢羽田孝辅，荒添直棋，松谷哲也，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP