本发明专利技术提供一种发光装置及其制造方法。根据实施方式，提供一种包含基板、第一透光部、树脂体、第一半导体发光元件、第二半导体发光元件的发光装置。第一透光部设在基板上为透光性。树脂体设在基板与第一透光部之间为光反射性，包含第一部分、第二部分、第三部分。第一部分与第一透光部相接。第二部分在与从基板朝向第一透光部的第一方向交叉的第二方向与第一部分隔开，与第一透光部相接。第三部分在第二方向与第一部分及第二部分隔开，设置在第一部分与第二部分之间，与第一透光部相接。第一半导体发光元件在基板与第一透光部之间设在第一部分与第三部分之间。第二半导体发光元件在基板与第一透光部之间设在第二部分与第三部分之间。
【技术实现步骤摘要】
【专利说明】本申请案享受以日本专利申请案2014-52671号(申请日:2014年3月14日)为基础申请案的优先权。本申请案以参照该基础申请案的形式包含基础申请案的所有内容。
本专利技术的实施方式涉及一种。
技术介绍
例如，作为半导体发光元件有发光二极管(LED)或半导体激光。组合半导体发光元件及荧光体而成的发光装置例如用于显示装置或照明等。在这种发光装置中，追求发光效率的效率化。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种发光效率高的。根据本专利技术的实施方式，提供一种发光装置，包含基板、第一透光部、树脂体、第一半导体发光元件、及第二半导体发光元件。所述第一透光部设置在所述基板上且为透光性。所述树脂体设置在所述基板与所述第一透光部之间，为光反射性，且包含第一部分、第二部分、及第三部分。所述第一部分与所述第一透光部相接。所述第二部分在与从所述基板朝向所述第一透光部的第一方向交叉的第二方向上与所述第一部分隔开，且与所述第一透光部相接。所述第三部分在所述第二方向上与所述第一部分及所述第二部分隔开，设置在所述第一部分与所述第二部分之间，且与所述第一透光部相接。所述第一半导体发光元件在所述基板与所述第一透光部之间设置在所述第一部分与所述第三部分之间。所述第二半导体发光元件在所述基板与所述第一透光部之间设置在所述第二部分与所述第三部分之间。【附图说明】图1(a)及图1(b)是表示第一实施方式的发光装置的示意图。图2是表示第一实施方式的发光装置的示意剖视图。图3是表示第一实施方式的发光装置的示意剖视图。图4(a)?图4(e)是表示第一实施方式的发光装置的制造步骤的示意剖视图。图5(a)及图5(b)是表示第一实施方式的发光装置的制造步骤的示意立体图。【具体实施方式】以下，一面参照附图一面对各实施方式进行说明。另外，附图是示意性或概念性的，各部分的厚度与宽度的关系、部分间的大小的比率等未必与现实相同。而且，即便在表示相同部分的情形时，也有根据附图的不同而将彼此的尺寸或比率不同地示出的情况。此外，在本案说明书及各图中，对于与已就先提出的图进行叙述的要素相同的要素标注相同的符号，并适当省略详细的说明。(第一实施方式)图1(a)及图1(b)是例示第一实施方式的发光装置的示意图。图1 (a)是例示发光装置101的示意剖视图。图1 (b)是例示发光装置101的示意俯视图。图1 (a)例示图1 (b)的A1-A2线剖面。如图1(a)及图1(b)所示，发光装置101包含基板10、第一透光部20、树脂体30 (树脂成形体)、第一半导体发光元件41、及第二半导体发光元件42。基板10是发光装置中的引线框架。基板10使用例如铜(Cu)、包含铜的合金、及铁(Fe)与镍(Ni)的合金的至少任一种。而且，基板10也可以使用树脂或陶瓷。当基板10使用树脂或陶瓷时，在基板10设置下述导电部(布线)。导电部使用例如铜(Cu)或铁(Fe)坐寸ο第一透光部20设置在基板10上。第一透光部20为透光性。第一透光部20使用例如硅酮树脂或环氧树脂。第一透光部20例如是发光装置中的透镜。将从基板10朝向第一透光部20的方向设为Z轴方向。将相对于Z轴方向垂直的一个方向设为X轴方向。将相对于X轴方向垂直且相对于Z轴方向垂直的一个方向设为Y轴方向。在基板10与第一透光部20之间设置着树脂体30。树脂体30包含第一部分31、第二部分32、及第三部分33。树脂体30使用例如白色的树脂。树脂体30例如为光反射性。第一部分31、第二部分32及第三部分33分别与第一透光部20相接。例如，第一部分31、第二部分32及第三部分33分别与基板10相接。第二部分32在与Z轴方向(第一方向)交叉的方向(第二方向)上与第一部分31隔开。在此例中，第二方向为X轴方向。第三部分33在第二方向(此例中为X轴方向)上与第一部分31及第二部分32隔开。第三部分33设置在第一部分31与第二部分32之间。发光装置101包含多个半导体发光元件40 (第一半导体发光元件41及第二半导体发光元件42)。第一半导体发光元件41设置在基板10上。第一半导体发光元件41在第一透光部20与基板10之间设置在第一部分31与第三部分33之间。第二半导体发光元件42设置在基板10上。第二半导体发光元件42在第一透光部20与基板10之间设置在第二部分32与第三部分33之间。在此例中，发光装置101还包含第三半导体发光元件43及第四半导体发光元件44。第三半导体发光元件43及第四半导体发光元件44也分别设置在基板10上。第三半导体发光元件43及第四半导体发光元件44也分别设置在第一透光部20与基板10之间。第三半导体发光兀件43在与第一方向及第二方向交叉的第三方向(此例中为Y轴方向)上与第一半导体发光兀件41隔开。第四半导体发光兀件44在第三方向(例如Y轴方向)上与第二半导体发光元件42隔开。第三半导体发光元件43在第二方向上与第四半导体发光元件44隔开。也就是说，在此例中，在X轴方向上排列两个半导体发光元件，在Y轴方向上排列两个半导体发光元件。如此，发光装置101包含4个半导体发光元件。在实施方式中，发光装置所包含的半导体发光元件的个数可以变更。例如，也可以在X轴方向上排列3个半导体发光元件，在Y轴方向上排列3个半导体发光元件。在此情形时，发光装置包含9个半导体发光元件。优选为在X轴方向上排列的半导体发光元件的个数与在Y轴方向上排列的半导体发光元件的个数相同。例如，优选为发光装置101的沿X轴方向的长度与发光装置101的沿Y轴方向的长度实质上相等。由此，例如在下述制造步骤中，变得容易制造发光装置，可以抑制制造成本。半导体发光元件40例如是LED (Light Emitting D1de,发光二极管)芯片。半导体发光元件40是以例如GaN系氮化物半导体为材料的LED。例如，在半导体发光元件40中，设置着η型半导体层51 (例如η型GaN层)、发光层52 (半导体发光层)、及ρ型半导体层53(例如ρ型GaN层)。在η型半导体层51与基板10之间配置着ρ型半导体层53。在η型半导体层51与ρ型半导体层53之间配置着发光层52。发光层52使用氮化物半导体等的半导体层。发光层52例如具有多量子井构造。在半导体发光元件40，设置着与η型半导体层51电连接的阴极(电极)55、及与P型半导体层53电连接的阳极(电极)54。发光层52经由阳极54及阴极55被通电，由此发光。第一半导体发光元件41包含第一阳极54a及第一阴极55a。第二半导体发光元件42包含第二阳极54b及第二阴极55b。在此例中，阳极54及阴极55设置在半导体发光元件40的上表面(与第一透光部20对向的面)。在实施方式中，例如也可以将阳极54设置在半导体发光元件40的下表面。也就是说，也可以在P型半导体层53与基板10之间设置阳极54。也可以将阴极55及阳极54均设置在半导体发光元件4当前第1页1 2 3 4 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于包含：基板；透光性的第一透光部，设置在所述基板的上方；树脂体，具有光反射性，设置在所述基板与所述第一透光部之间，且包含第一部分、第二部分以及第三部分，所述第一部分与所述第一透光部相接，所述第二部分在与从所述基板朝向所述第一透光部的第一方向交叉的第二方向上与所述第一部分隔开，且与所述第一透光部相接，所述第三部分在所述第二方向上与所述第一部分以及所述第二部分隔开，设置在所述第一部分与所述第二部分之间，且与所述第一透光部相接；第一半导体发光元件，在所述基板与所述第一透光部之间设置在所述第一部分与所述第三部分之间；以及第二半导体发光元件，在所述基板与所述第一透光部之间设置在所述第二部分与所述第三部分之间。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：井上一裕，小串昌弘，江越秀德，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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