【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于接合裸芯片模片的方法
本专利技术涉及在一基板，特别是在一挠性基板上，裸模片芯片组件互连及固定的方法。
技术介绍
在一基板上互连不同裸芯片组件或微电子组件是需要以足够精确性准确地沉积材料以便缩小电气或其它种类的互连使得当一芯片组件附接在一放置位置时可达成对该基板的所有电气连接与固定的一过程。通常，藉由通过一各向同性导电黏着剂或焊料糊接合裸模片面向下，即在该芯片或封装体的底部的电极朝向该电路板电极，可实施这一过程。一导电黏着剂的示例是载有银粒子的一热或UV可硬化树脂。一焊料糊通常包含焊料颗粒及助熔剂。所述焊料糊需要用以移除在所述颗粒上的氧化物层且改善在回焊时的湿润性的助熔剂。两种互连，即导电黏着剂或焊料糊，对于在放置芯片之前应避免的热冲击是敏感的。助熔剂是在120与150℃以上的温度活化，且对一导电黏着剂而言一热冲击亦将使该黏着剂的黏着性劣化。目前已知多种用以印刷导电黏着剂及焊料糊以便接合裸硅或LED芯片、插入物或球格栅排列在挠性基板上的方法。本领域已知的方法包括网版印刷法及模板印染法。这些当前技术是有效的；但是，它们仍有某些本质上的限制。a)网版印刷法及模板印染...
【技术保护点】
一种用于在基板(20)上的微电子，特别是具有一个或多个电气连接垫的裸模片组件(10)，的接合方法，该基板在其基板表面上具有配置成用以通过相应的一个或多个连接垫与该微电子组件互连的一连接垫结构(40)，该方法包含以下步骤：提供一供应膜，该供应膜包含一可硬化导电黏着剂或基于助熔剂的焊料糊(151)的接合材料及一与该接合材料层相邻的动态释放层(152)；对齐一激光系统的一激光束且引导该供应膜远离该基板表面；照射该激光束在该动态释放层上，使得该动态释放层被活化以便以由该接合材料层转移(50)的接合物质覆盖所述连接垫或该连接垫结构的一选择部份；将该微电子组件(10)及其垫施加在该垫结...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.11.09 EP 12192091.21.一种用于在基板(20)上的微电子，特别是具有一个或多个电气连接垫的裸模片组件(10)，的接合方法，该基板在其基板表面上具有配置成用以通过相应的一个或多个连接垫与该微电子组件互连的一连接垫结构(40)，该方法包含以下步骤：提供一供应膜，该供应膜包含一可硬化导电黏着剂或基于助熔剂的焊料糊(151)的接合材料及一与该接合材料层相邻的动态释放层(152)；对齐一激光系统的一激光束；由引导构件在离该基板表面某一距离处以X-Y的方式在该基板上引导该供应膜；照射该激光束在该动态释放层上，使得该动态释放层被活化以便以由该接合材料层转移(50)的接合物质覆盖所述连接垫或该连接垫结构的一选择部份；将该微电子组件(10)及其垫施加在该垫结构上，使得在所述垫及该垫结构之一或两者上的该接合物质在该垫结构与各个垫之间形成一电气连接；及藉由使该导电黏着剂硬化或回焊该接合物质的焊料糊，以大于1Mpa的一剪力强度接合该微电子组件。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该接合材料在一操作温度区域中是热塑性，且在一具有由该操作温度上升的温度的一硬化温度中是热固性。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，其中该操作温度是在摄氏10度至摄氏180度的范围内。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该基板是一挠性基板(20)，且该挠性基板具有一至少1厘米的曲率半径。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述供应膜至模片表面的距离保持在1至200微米的范围内。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该接合材料层具有在10至50微米间的范围内的一厚度。7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该供应膜具有一预机械加工的图案。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，其中该预机械加工的图案形成一格栅，且该格栅具有等于或小于一激光点尺寸的一格栅尺寸。9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，其中该图案具有一40至80微米的格栅间距范围。10.如权利要求1所述的方法，其中所述连接垫是小于80微米。11.如权利要求1所述的方法，其中该接合材料在一操作温度...
【专利技术属性】
技术研发人员：E·C·P·斯米兹，S·M·佩林谢莉，J·范登布兰德，R·曼丹帕拉姆比尔，H·F·M·斯霍，
申请(专利权)人：荷兰应用自然科学研究组织TNO，IMEC非营利协会，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
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