半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

半导体装置及其制造方法。本发明专利技术提供防潮性良好的半导体装置。通过在由密封树脂(8)覆盖的半导体芯片(2)的上侧面形成具有大的凹凸的区域(25)，并在下侧面形成具有小的凹凸的区域(24)，使半导体芯片(2)和密封树脂(8)的紧密贴合力提高，防止来自外部的水分的浸入。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置的制造方法，特别是涉及能够抑制在半导体芯片和模塑树脂之间发生层间剥离的半导体外壳的制造方法。
技术介绍
关于近年来的包围半导体装置的环境，特别是在车载领域正在推进电子化，将电子部件搭载于发动机室等的情况增多，根据市场，要求在更高的温度且多湿的环境下的动作保障。用于进行动作保障的试验方法具体在公共组织中有所规定。例如，在作为代表性的标准的 IPC/JEDEC 的 J-STD-020D“Moisture/Reflow Sensitivity Classificat1n forNonhermetic Solid State Surface Mount Devices (针对非密封的固态表面安装装置的湿度/回流敏感度的分类)”的Moisture Sensitivity Level (潮湿敏感度)(以下MSL)中，存在关于保管温度和湿度的条件、开封后的处置时间、以及可靠性试验的条件的规定。为了应对这样的试验，特别是必须抑制半导体外壳的内部中的各紧密贴合界面处的层间剥离，至今为止公开了各种结构和制造方法。作为一个例子，公开了如下可靠性高的树脂密封型半导体装置:在引线框的表面使被称为PPF(Pre-Plated Frame:预镀框架)的由Pd/Ni/Au等构成的镀层的表面凹凸化，提高了与模塑树脂的紧密贴合性。(例如，参照专利文献I)另外，公开了如下的树脂密封型半导体装置:作为层间剥离的原因，存在因各构成材料的热膨胀系数差而引起的热应力的影响，为了抑制这一原因而调整模塑树脂的热膨胀系数和弯曲弹性，从而半导体外壳内部的热应力小，外壳的可靠性高。(例如，参照专利文献2)专利文献1:日本特开2005-223305号公报专利文献2:日本特开2001-223304号公报然而，即使使用了这些技术，也无法完全抑制半导体外壳的层间剥离。这是因为，作为半导体外壳的主要构成材料的引线框、模塑树脂、半导体芯片各自的材料互不相同，因此会伴随着产生热膨胀系数的差。并且，由于各材料的加工方法的差异而使得表面状态也不同，因此内部的紧密贴合力和应力处于不均匀的状态。因此，即使提高特定部位的紧密贴合性或使模塑树脂低应力化，如果不使内部紧密贴合力相对均匀化，则结果也会是应力向紧密贴合力弱的部分集中，从该部位引发层间剥离。虽然在不断改善半导体芯片的保护膜表面与密封树脂的紧密贴合性、和引线框与密封树脂的紧密贴合性，但仍局部地存在紧密贴合性弱的部分。图4中示出了用于说明半导体芯片的侧面处的层间剥离的图。如图4的(a)所示，半导体芯片2借助银膏等粘接剂18安装于在表面上形成有粗糙面15的芯片座3上。半导体芯片2的上表面被由聚酰亚胺膜等形成的保护膜17覆盖，芯片座3、半导体芯片2被密封树脂8密封。图4的(b)是将半导体芯片2的侧面放大的图。在半导体芯片2的侧面存在被称为层间剥离的剥离部19，密封树脂8和半导体芯片2并未紧密贴合，存在防潮性低的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种用于解决上述课题的。为了解决上述课题，采用了以下手段。首先，形成了一种半导体装置，其具备:半导体芯片；芯片座，该芯片座支承所述半导体芯片；粘接剂，该粘接剂将所述半导体芯片和所述芯片座粘接在一起；多根信号用引线，该多根信号用引线朝向所述芯片座的边延伸；接合线，该接合线连接所述半导体芯片和所述信号用引线；以及密封体，该密封体利用模塑树脂进行密封，所述半导体装置的特征在于，所述半导体芯片的侧面由第一凹凸侧面和在所述第一凹凸侧面的上方形成的第二凹凸侧面构成，所述第二凹凸侧面中的第二凹凸比所述第一凹凸侧面中的第一凹凸大。。另外，半导体装置的特征在于，所述第二凹凸侧面占所述半导体芯片的厚度的2/3以上。另外，使用了一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具备:半导体芯片；芯片座，该芯片座支承所述半导体芯片；粘接剂，该粘接剂将所述半导体芯片和所述芯片座粘接在一起；多根信号用引线，该多根信号用引线朝向所述芯片座的边延伸；接合线，该接合线连接所述半导体芯片和所述信号用引线；以及密封体，该密封体利用模塑树脂进行密封，其中，所述半导体装置的制造方法具备:在所述半导体芯片的侧面形成第一凹凸侧面的工序；和在所述半导体芯片的侧面形成第二凹凸侧面的工序。另外，使用了一种半导体装置的制造方法，其特征在于，形成所述第二凹凸侧面的工序是利用脉冲激光在所述半导体芯片内形成连续的改性层的工序。另外，使用了一种半导体装置的制造方法，其特征在于，形成所述第二凹凸侧面的工序是使用烧蚀激光的工序。另外，使用了一种半导体装置的制造方法，其特征在于，形成所述第一凹凸侧面的工序是利用脉冲激光在所述半导体芯片内形成分离的改性层的工序。另外，使用了一种半导体装置的制造方法，其特征在于，形成所述第二凹凸侧面的工序是刀具切割工序，切割刀具的网眼尺寸在#1000以下。另外，使用了一种半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述刀具切割工序之后进行各向同性等离子硅蚀刻。另外，使用了一种半导体装置的制造方法，其特征在于，形成所述第二凹凸侧面的工序是等离子切割工序，并且是BOSCH工艺的硅蚀刻。通过使用上述手段，能够提高半导体芯片和密封树脂的紧密贴合性，从而可以得到防潮性良好的半导体装置。【附图说明】图1是示出本专利技术的半导体装置的第I实施方式的剖视图。图2是本专利技术的半导体装置的俯视图。图3是示出本专利技术的半导体装置的制造方法的工序流程图。图4是以往的半导体装置的剖视图。图5是示出本专利技术的半导体装置的制造方法的图。图6是示出本专利技术的半导体装置的制造方法的图。标号说明1:半导体装置；2:半导体芯片；3:芯片座；4:引线;5:悬吊引线；5a:悬吊引线基部；5b:悬吊引线外部；6:引线；6a:引线内部；6b:引线外部；7:接合线；8:密封树脂；9:脉冲激光；10:改性层；11:改性层；12:划分线；13:聚光透镜；14:切割带；15:粗糙面；16:切割刀具；17:保护膜；18:粘接剂；19:剥离部；24:第一凹凸侧面；25:第二凹凸侧面；S1:切割工序；S2:芯片焊接工序；S3:芯片焊接固化工序；S4:接线工序；S5:组装检查工序；S6:树脂密封工序；S7:改性工序。【具体实施方式】使用附图对本专利技术的进行说明。图1是本专利技术的半导体装置的局部剖视图。如图1的(a)所示，半导体芯片2借助银膏等粘接剂18安装于在上表面形成有粗糙面15的芯片座3上。半导体芯片2的上表面被由聚酰亚胺膜等构成的保护膜17覆盖，芯片座3、半导体芯片2被密封树脂8密封。图1的(b)是将半导体芯片2的侧面放大的图。在半导体芯片2的侧面下部形成有由小的凹凸构成的第一凹凸侧面24 (第一凹凸没有图示)，在侧面上部形成有配置了比侧面下部的凹凸大的凹凸的第二凹凸侧面25。通过形成这样的结构，提高了形成有半导体元件的半导体芯片的侧面上部与密封树脂8的紧密贴合力，抑制了水分的浸入，能够形成防潮性良好的半导体装置。另外，这里所谓的凹凸较大或较小的描述是指所形成的凹凸的从凹部的底至凸部的顶点的长度较大或较小。另外，通过在半导体芯片2的侧面下部设置第一凹凸侧面24，芯片焊接时的粘接剂18的附着性变得良好当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其具备：半导体芯片；芯片座，该芯片座支承所述半导体芯片；粘接剂，该粘接剂将所述半导体芯片和所述芯片座粘接在一起；多根信号用引线，该多根信号用引线朝向所述芯片座的边延伸；接合线，该接合线连接所述半导体芯片和所述信号用引线；以及密封体，该密封体利用模塑树脂进行密封，所述半导体装置的特征在于，所述半导体芯片的侧面由第一凹凸侧面和在所述第一凹凸侧面的上方形成的第二凹凸侧面构成，所述第二凹凸侧面中的第二凹凸比所述第一凹凸侧面中的第一凹凸大。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：竹泽真，
申请(专利权)人：精工电子有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP