组合栅极基准电压源及其使用方法技术

本发明专利技术提供了组合栅极基准电压源及其使用方法。基准电压源，该基准电压源包括配置为接收第一电流的组合栅极晶体管。该基准电压源还包括配置为接收第二电流的第一晶体管，该第一晶体管具有第一泄漏电流，其中，该第一晶体管以Vgs差分布置的方式与组合栅极晶体管连接。该基准电压源还包括配置为输出基准电压的输出节点，该输出节点连接至第一晶体管。该基准电压源还包括连接至输出节点的第二晶体管，该第二晶体管具有第二泄漏电流，其中，第一泄漏电流基本上等于第二泄漏电流。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般地涉及半导体
，更具体地，涉及基准电压源及其使用方法。
技术介绍
基准电压源是用于为电路提供基准电压信号的电路。该电路在操作期间以比较方式使用基准电压信号。例如，在电压调节器应用中，将反馈信号与基准电压进行比较，以产生与基准电压源的缩放值相对应的经过调节的输出电压。在一些方法中，使用双极结型晶体管(BJT)形成基准电压源，从而形成带隙基准源以提供基准电压信号。在PNP BJT中，衬底用作BJT的集电极，致使BJT对衬底中的多数载流子噪音敏感。在NPN BJT中，集电极形成为P型衬底中的η阱，且集电极易于从衬底获取少数载流子噪音。NPN BJT和PNP BJT都不允许与衬底噪音完全隔离。在一些方法中，互补金属氧化物半导体(CMOS)器件用于形成基准电压源。在一些情况下，以三阱流程制造CMOS器件，使得每个CMOS器件都与主衬底反向结隔离。在一些方法中，CMOS器件包括多晶硅栅极部件，使用与CMOS器件的衬底中的掺杂剂相反的掺杂剂类型来掺杂该多晶硅栅极部件。
技术实现思路
为了解决现有技术中所存在的缺陷，根据本专利技术的一方面，提供了一种基准电压源，包括:组本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基准电压源，包括：组合栅极晶体管，配置为接收第一电流；第一晶体管，配置为接收第二电流，所述第一晶体管具有第一泄漏电流，其中，所述第一晶体管以Vgs差分布置的方式与所述组合栅极晶体管连接；输出节点，配置为输出基准电压，所述输出节点连接至所述第一晶体管；以及第二晶体管，连接至所述输出节点，所述第二晶体管具有第二泄漏电流，其中，所述第一泄漏电流基本上等于所述第二泄漏电流。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：穆罕默德·阿尔夏欧卡，亚历克斯·卡尔尼茨基，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71