线圈元件、线圈元件集合体及线圈零件的制造方法技术

本发明专利技术无需使用绝缘基板便可制作线圈零件。本发明专利技术为使用转印模具来制造线圈元件的方法，包括下述步骤：准备蚀刻有反转线圈元件图案的转印模具；在转印模具的表面重叠并形成剥离膜与绝缘膜；在绝缘膜上的未形成反转线圈元件图案的区域形成抗蚀剂膜；以抗蚀剂膜为掩模而蚀刻去除绝缘膜；在将抗蚀剂膜去除之后，以将形成着反转线圈元件图案的区域全部填埋，且在绝缘膜上稍微突出的方式利用第一电镀形成中心导体膜；将中心导体膜从转印模具中剥离；以及以中心导体膜为基底而利用第二电镀形成表面导体膜，从而形成包含中心导体膜与表面导体膜的线圈元件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种使用了转印模具的线圈零件的制造方法，更详细来说，涉及一种使用了转印模具的线圈元件、使用了转印模具基板的线圈元件集合体、及使用了线圈元件集合体的线圈零件的制造方法。
技术介绍
近年来，伴随智能电话(smartphone)或平板终端(tablet terminal)等移动(mobile)设备的多功能化，小型且能够处理高额定电流的线圈零件(电感器(inductor))的必要性提高。作为所述线圈零件的制造方法，专利文献I中记载了如下内容:在绝缘基板上形成基底导电层，在该基底导电层的表面以螺旋状形成抗蚀剂图案，以基底导电层作为基底而进行第一电镀，由此形成剖面为大致矩形的中心导体，在将抗蚀剂图案剥离后，以所述中心导体为基底来进行第二电镀，使所述中心导体加厚来制作平面线圈。而且，具有线圈图案宽度细且厚度大的所谓的高纵横比的导体图案的线圈零件的必要性也高。作为所述线圈零件的制造方法，专利文献2中记载了如下技术:使用正型光阻剂，在镀敷处理后利用活性线照射而追加性地去除导体图案间的光阻剂，且，在保持施加至由镀敷形成的线圈导体上的保护薄膜层的状态下，选择性地去除线圈导体间的镀敷基底薄膜层，由此以窄间隔并列地设置宽度细且厚度大的多个高纵横比的导体图案。现有技术文献专利文献专利文献1:日本专利特开2001-267166号公报专利文献2:日本专利特开平11-204361号公报
技术实现思路
所述现有技术的线圈零件的制造方法中，线圈零件均形成于绝缘基板上，在形成线圈零件后，无法将该绝缘基板卸除。因此，当欲在形成线圈零件后将磁性芯材插入至线圈中心部而实现高电感化的情况下，只有在绝缘基板上设置开口，或仅从绝缘基板的一面插入芯材。本专利技术的专利技术人等人反复进行了积极研宄后获得如下发现:因使用转印模具而无需使用绝缘基板，便可制作线圈零件，从而完成本专利技术。所述课题可由以下的本专利技术而达成。本专利技术的第一方案为使用转印模具来制造线圈元件的方法，其特征在于包括下述步骤:准备蚀刻有反转线圈元件图案的转印模具；在所述转印模具的表面重叠并形成剥离膜与绝缘膜；在所述绝缘膜上的未形成所述反转线圈元件图案的区域形成抗蚀剂膜；将所述抗蚀剂膜作为掩模而蚀刻去除所述绝缘膜；在去除所述抗蚀剂膜之后，以将形成着所述反转线圈元件图案的区域全部填埋，且在所述绝缘膜上稍微突出的方式，利用第一电镀形成中心导体膜；将所述中心导体膜从所述转印模具中剥离；以及以所述中心导体膜为基底而利用第二电镀形成表面导体膜，从而形成包含所述中心导体膜与所述表面导体膜的线圈元件。本专利技术的第二方案为使用转印模具来制造线圈元件的方法，其特征在于包括下述步骤:准备蚀刻有反转线圈元件图案的转印模具；在所述转印模具的表面重叠并形成剥离膜与绝缘膜；在所述绝缘膜上的未形成所述反转线圈元件图案的区域形成抗蚀剂膜；将所述抗蚀剂膜作为掩模而蚀刻去除所述绝缘膜；在去除所述抗蚀剂膜之后，以将形成着所述反转线圈元件图案的区域填埋，且于所述绝缘膜内保留的方式，利用第一电镀形成中心导体膜；在去除所述绝缘膜之后，将所述中心导体膜从所述转印模具中剥离；将所述中心导体膜从所述转印模具中剥离；以及以所述中心导体膜为基底而利用第二电镀形成表面导体膜，从而形成包含所述中心导体膜与所述表面导体膜的线圈元件。本专利技术的第三方案为使用转印模具来制造线圈元件的方法，其特征在于包括下述步骤:准备蚀刻有反转线圈元件图案的转印模具；在所述转印模具的表面重叠并形成剥离膜与绝缘膜；在所述绝缘膜上的未形成所述反转线圈元件图案的区域形成抗蚀剂膜；将所述抗蚀剂膜作为掩模而蚀刻去除所述绝缘膜；在去除所述抗蚀剂膜之后，以将形成着所述反转线圈元件图案的区域填埋，且于所述转印模具内保留的方式，利用第一电镀形成中心导体膜；将所述中心导体膜从所述转印模具中剥离；以及以所述中心导体膜为基底而利用第二电镀形成表面导体膜，从而形成包含所述中心导体膜与所述表面导体膜的线圈元件。本专利技术的第四方案为使用转印模具来制造线圈元件的方法，其特征在于包括下述步骤:准备蚀刻有反转线圈元件图案的金属制的转印模具；在所述转印模具的表面重叠并形成剥离膜与绝缘膜；在所述绝缘膜上的未形成所述反转线圈元件图案的区域形成抗蚀剂膜；将所述抗蚀剂膜作为掩模而蚀刻去除所述绝缘膜；以将形成着所述反转线圈元件图案的区域全部填埋，且于所述抗蚀剂膜内保留的方式，利用第一电镀形成中心导体膜；在去除所述抗蚀剂膜之后，将所述中心导体膜从所述转印模具中剥离；以及以所述中心导体膜为基底而利用第二电镀形成表面导体膜，从而形成包含所述中心导体膜与所述表面导体膜的线圈元件。根据第一方案，其特征在于:利用逆电镀处理将在所述绝缘膜上稍微突出的所述中心导体膜的端部去除。而且，根据第三方案，其特征在于:所述中心导体膜的从所述转印模具的剥离是通过如下来进行:在所述绝缘膜上形成脱模剂膜，以覆盖所露出的所述中心导体膜表面与所述脱模剂膜的方式来黏附粘合剂膜，在将所述中心导体膜与所述粘合剂膜一起从所述转印模具中剥离后，去除所述粘合剂膜。根据第三方案，其特征在于:所述中心导体膜的从所述转印模具的剥离是通过如下来进行:以覆盖所露出的所述中心导体膜表面与所述绝缘膜的方式来黏附金属膜，在将所述中心导体膜与所述金属膜一起从所述转印模具中剥离后，去除所述金属膜。此外，根据第三方案，其特征在于:所述脱模剂膜为硅酮或特氟龙(注册商标)，所述粘合剂膜为丙稀酸，所述粘合剂膜的去除利用甲基乙基酮(Methyl Ethyl Ketone，MEK)或丙酮来进行，所述金属膜为Sn、N1、Ag或Al中的任一个。根据第一方案至第四方案中的任一方案，其特征在于:所述转印模具利用转印由主模具经由母模具而制作，所述转印模具的形成着所述反转线圈元件图案的表面部为金属制，所述表面部为Ni，所述剥离膜为N1。而且，根据第一方案至第四方案中的任一方案，其特征在于:所述表面部为Ni，所述剥离膜为聚乙稀醇(polyvinyl alcohol，PVA)、聚对苯二甲酸乙二醇醋(PolyethyleneTerephthalate, PET)、或聚甲基丙稀酸甲醋(polymethyl methacrylate, PMMA)中的任一个，所述绝缘膜为S12、玻璃上覆硅(Silicon On Glass, S0G)树脂，且利用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposit1n, CVD)或派镀(sputter)来形成所述绝缘膜。根据第一方案、第二方案或第四方案中的任一方案，其特征在于:所述中心导体膜的从所述转印模具的剥离是使用紫外线(Ultrav1let，UV)片材、热剥离片材、真空夹盘或静电夹盘中的任一个来进行。而且，根据第一方案至第四方案中的任一方案，其特征在于:所述抗蚀剂膜为光阻剂膜、热抗蚀剂膜或凹印油墨膜中的任一个，所述第一电镀及第二电镀为镀铜。本专利技术的第五方案是使用转印模具基板来制造线圈元件集合体的方法，其特征在于包括下述步骤:准备转印模具基板，所述转印模具基板具备各自蚀刻有反转线圈元件图案的多个转印模具；在所述多个转印模具的表面重叠并形成剥离膜与绝缘膜；在所述绝缘膜上的未形成所述反转线圈元件图案的区域形成抗蚀剂膜；将所述抗蚀剂膜作为掩模而蚀刻去除所述绝缘膜；在去除所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，是使用转印模具来制造线圈元件的方法，其特征在于包括下述步骤：准备蚀刻有反转线圈元件图案的转印模具；在所述转印模具的表面重叠并形成剥离膜与绝缘膜；在所述绝缘膜上的未形成所述反转线圈元件图案的区域形成抗蚀剂膜；将所述抗蚀剂膜作为掩模而蚀刻去除所述绝缘膜；在去除所述抗蚀剂膜之后，以将形成着所述反转线圈元件图案的区域全部填埋，且在所述绝缘膜上稍微突出的方式，利用第一电镀形成中心导体膜；将所述中心导体膜从所述转印模具中剥离；以及以所述中心导体膜为基底而利用第二电镀形成表面导体膜，从而形成包含所述中心导体膜与所述表面导体膜的线圈元件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：佐野孝史，寺田常徳，
申请(专利权)人：株式会社LEAP，
类型：发明
国别省市：日本;JP