溅射装置及基板处理装置制造方法及图纸

一种溅射装置，所述溅射装置包括腔室、可以在所述腔室中保持基板并围绕与在基板保持表面垂直的轴线转动的基板保持件、第一至第四靶材保持件、遮挡单元、及通过其传送基板的闸阀。第一至第四靶材保持件布置在具有长边及短边并内接于以所述轴线为中心的假想圆的假想长方形的顶点上，第一靶材保持件及第二靶材保持件分别布置在假想长方形的限定一个短边的两个顶点上，并且第一靶材保持件及第二靶材保持件到闸阀的距离小于第三靶材保持件及第四靶材保持件到闸阀的距离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】溅射装置及基板处理装置
本专利技术涉及溅射装置及基板处理装置。
技术介绍
专利文献1公开了一种围绕传送腔室布置多个溅射装置的布置。在每个溅射装置中，在形成沉积腔室的容器的顶部布置有四个靶材。在这些靶材与基板保持件之间，布置有双重转动遮挡机构。在先技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2009-41108号
技术实现思路
技术问题为了以高产出量形成许多膜以用于装置的制造，使用具有围绕传送腔室布置的多个溅射装置的基板处理装置是有利的。多个溅射装置可以通过闸阀围绕传送腔室布置。在这种情况中，为了围绕传送腔室布置更多的溅射装置，应缩小每个溅射装置在与通过闸阀传送基板的方向垂直的方向上的宽度，尤其是每个溅射装置在闸阀侧的宽度。在专利文献1的图2所示的沉积腔室中，靶材35、36、37、38布置在假想等腰梯形的顶点处。布置在闸阀20侧的靶材36、38之间的距离小于布置在闸阀20对侧的靶材35、37之间的距离。这种布置对围绕传送腔室布置许多沉积腔室是有利的。然而，每个靶材的背面侧设置有用于引起磁控放电的磁体。每个磁体通常布置为使得N极和S极中的一个磁极朝向沉积腔室的内侧方向，而另一个磁极朝向沉积腔室的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溅射装置，所述溅射装置包括腔室、被构造用于在所述腔室中保持基板并围绕与在其上保持所述基板的表面垂直的轴线转动的基板保持件、及被构造用于分别保持靶材的第一至第四靶材保持件，其中所述基板通过闸阀在所述腔室的内部空间与所述腔室的外部空间之间传送，所述溅射装置包括：遮挡单元，所述遮挡单元被构造用于从由所述第一至第四靶材保持件分别保持的四个靶材中选择用于溅射的靶材，其中所述第一至第四靶材保持件布置在具有长边及短边并内接于以所述轴线为中心的假想圆的假想长方形的顶点上，以及其中所述第一靶材保持件及所述第二靶材保持件分别布置在所述假想长方形的限定一个短边的两个顶点上，并且所述第一靶材保持件及所述第二靶材保...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.11.30 JP 2012-2636481.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：传送腔室，所述传送腔室具有多个连接表面，由所述多个连接表面当中的相邻连接表面限定的夹角大于90度，以及溅射装置，所述溅射装置被连接到所述多个连接表面中的至少一个，所述溅射装置包括腔室、被构造用于在所述腔室中保持基板并围绕与在其上保持所述基板的表面垂直的轴线转动的基板保持件、及被构造用于分别保持靶材的第一至第四靶材保持件，所述溅射装置包括：遮挡单元，所述遮挡单元被构造用于从由所述第一至第四靶材保持件分别保持的四个靶材中选择用于溅射的靶材，其特征在于：所述基板通过闸阀在所述溅射装置的腔室的内部空间与所述传送腔室的内部空间之间传送；所述第一至第四靶材保持件布置在具有长边及短边并内接于以所述轴线为中心的假想圆的假想长方形的顶点上，以及所述第一靶材保持件及所述第二靶材保持件分别布置在所述假想长方形的限定一个短边的两个顶点上，并且所述第一靶材保持件及所述第二靶材保持件到所述闸阀的距离小于所述第三靶材保持件及所述第四靶材保持件到所述闸阀的距离。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第一至第四靶材保持件中的每一个将靶材保持在靶材的表面相对于由所述基板保持件保持的基板的表面倾斜的姿势。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第一靶材保持件及所述第二靶材保持件到所述闸阀的距离彼此相等。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第一至第四靶材保持件沿所述假想圆以所述第一靶材保持件、所述第二靶材保持件、所述第三靶材保持件、所述第四靶材保持件的顺序相继布置，所述遮挡单元包括被构造用于围绕轴线转动的第一遮挡件及第二遮挡件，所述第一遮挡件及...

【专利技术属性】
技术研发人员：石原繁纪，小长和也，户谷宽行，须田真太郎，安松保志，藤本雄，中泽俊和，中村英司，今井慎，
申请(专利权)人：佳能安内华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP