溅射装置及基板处理装置制造方法及图纸

一种溅射装置，所述溅射装置包括腔室、可以在所述腔室中保持基板并围绕与在基板保持表面垂直的轴线转动的基板保持件、第一至第四靶材保持件、遮挡单元、及通过其传送基板的闸阀。第一至第四靶材保持件布置在具有长边及短边并内接于以所述轴线为中心的假想圆的假想长方形的顶点上，第一靶材保持件及第二靶材保持件分别布置在假想长方形的限定一个短边的两个顶点上，并且第一靶材保持件及第二靶材保持件到闸阀的距离小于第三靶材保持件及第四靶材保持件到闸阀的距离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】溅射装置及基板处理装置
本专利技术涉及溅射装置及基板处理装置。
技术介绍
专利文献1公开了一种围绕传送腔室布置多个溅射装置的布置。在每个溅射装置中，在形成沉积腔室的容器的顶部布置有四个靶材。在这些靶材与基板保持件之间，布置有双重转动遮挡机构。在先技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2009-41108号
技术实现思路
技术问题为了以高产出量形成许多膜以用于装置的制造，使用具有围绕传送腔室布置的多个溅射装置的基板处理装置是有利的。多个溅射装置可以通过闸阀围绕传送腔室布置。在这种情况中，为了围绕传送腔室布置更多的溅射装置，应缩小每个溅射装置在与通过闸阀传送基板的方向垂直的方向上的宽度，尤其是每个溅射装置在闸阀侧的宽度。在专利文献1的图2所示的沉积腔室中，靶材35、36、37、38布置在假想等腰梯形的顶点处。布置在闸阀20侧的靶材36、38之间的距离小于布置在闸阀20对侧的靶材35、37之间的距离。这种布置对围绕传送腔室布置许多沉积腔室是有利的。然而，每个靶材的背面侧设置有用于引起磁控放电的磁体。每个磁体通常布置为使得N极和S极中的一个磁极朝向沉积腔室的内侧方向，而另一个磁极朝向沉积腔室的外侧方向。通过布置在每个靶材的背面侧的磁体形成在沉积腔室内的磁场受到布置在每个相邻靶材的背面侧的磁体的影响。在专利文献1的图2所示的每个沉积腔室中，由于靶材35、36、37、38布置在假想等腰梯形的顶点处，形成在各个靶材的正面的磁场可以彼此不同。例如，形成在靶材35的正面的磁场受到用于靶材36、37、38的磁体的影响，而形成在靶材36的正面的磁场受到用于靶材35、37、38的磁体的影响。由于靶材36、37、38相对于靶材35的位置不同于靶材35、37、38相对于靶材36的位置，形成在靶材35的正面的磁场可以不同于形成在靶材36的正面的磁场。因此，在专利文献1的图2所示的布置中，溅射特性可以根据待使用的靶材的布置位置而改变。本专利技术通过对上述问题的认识而产生，其目的在于提供一种溅射装置，该溅射装置例如有利于围绕传送腔室布置，并有利于降低可以因待使用的靶材的位置而产生的溅射特性的差异。问题的解决方案根据本专利技术的第一方面，提供一种溅射装置，该溅射装置包括腔室、被构造用于在腔室中保持基板并围绕与在其上保持所述基板的表面垂直的轴线转动的基板保持件、以及被构造用于分别保持靶材的第一至第四靶材保持件，其中基板通过闸阀在腔室的内部空间与腔室的外部空间之间被传送，溅射装置还包括被构造用于从由第一至第四靶材保持件分别保持的四个靶材选择用于溅射的靶材的遮挡单元，其中第一至第四靶材保持件布置在具有长边及短边并内接于以所述轴线为中心的假想圆的假想长方形的顶点上，其中第一靶材保持件和第二靶材保持件分别布置在假想长方形的限定一个短边的两个顶点上，并且第一靶材保持件和第二靶材保持件到闸阀的距离小于第三靶材保持件和第四靶材保持件到闸阀的距离。根据本专利技术的第二方面，提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括具有多个连接表面的传送腔室，以及与所述多个连接表面中的至少一个相连的溅射装置，其中溅射装置包括根据第一方面的溅射装置，并且由所述多个连接表面的相邻连接表面限定的角度大于90度。本专利技术的有利效果本专利技术提供一种溅射装置，该溅射装置例如有利于围绕传送腔室布置，并且有利于降低因待使用的靶材的位置而产生的溅射特性的差异。附图说明图1A是根据本专利技术的一个实施例的溅射装置的示意性平面图；图1B是根据本专利技术的一个实施例的溅射装置的示意性剖面图；图2A是示出第一遮挡件的布置实例的视图；图2B是示出第二遮挡件的布置实例的视图；图3A是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；图3B是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；图4A是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；图4B是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；图5A是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；图5B是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；图6A是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；图6B是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；图7A是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；图7B是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；图7C是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；图7D是例示出对靶材、第一遮挡件的开口及第二遮挡件的开口之间的位置关系的控制的视图；图8是根据本专利技术的一个实施例的溅射装置的示意性剖面图；图9是根据本专利技术的一个实施例的基板处理装置的剖面图；以及图10是用于说明提供在根据本专利技术的一个实施例的基板处理装置中的控制器的框图。具体实施方式下面，参照附图，将通过示例性实施例对本专利技术进行说明。图1A和图1B是根据本专利技术的一个实施例的溅射装置100的示意性平面图和示意性剖面图。溅射装置100包括腔室7、基板保持件108、及第一至第四靶材保持件91、92、93、94。基板保持件108可以在腔室7中保持基板109，并且围绕与基板109的表面垂直的轴线8转动。第一至第四靶材保持件91、92、93、94分别保持靶材T1、T2、T3、T4。第一至第四靶材保持件91、92、93、94沿以轴线8为中心的假想圆VC以第一靶材保持件91、第二靶材保持件92、第三靶材保持件93、第四靶材保持件94的顺序顺时针布置。溅射装置100设置有闸阀6，基板109通过闸阀6在腔室7的内部空间与外部空间之间传送。溅射装置100还包括用于从由第一至第四靶材保持件91、92、93、94分别保持的四个靶材T1、T2、T3、T4中选择用于溅射的靶材的遮挡单元SU。遮挡单元SU可以包括可以围绕轴线8转动的第一遮挡件111及第二遮挡件112、以及分别转动第一遮挡件111及第二遮挡件112的驱动单元110。第一遮挡件111及第二遮挡件112每个可以具有至少一个开口。如果第一遮挡件111及第二遮挡件112每个具有两个开口，可以同时使用两个靶材进行溅射(共溅射(Co-sputtering))。如图2A所例示的，第一遮挡件111可以具有中心布置在以轴线8为中心的一个假想圆VC1上的两个开口H1、H2。如图2B所例示的，第二遮挡件112可以具有中心布置在以轴线8为中心的一个假想圆VC2上的两个开口H3、H4。驱动单元110驱动第一遮挡件111及第二遮挡件112，使得四个靶材T1、T2、T3、T4中的用于溅射的一个通过第一遮挡件111的开口及第二遮挡件112的开口暴露于基板109。第一遮挡件111及第二遮挡件112可以以沿轴线8的方向相互间隔的方式布置。第一遮挡件111布置在第一至第四靶材保持件91、92、93、94与第二遮挡件112之间。两端分别对应于第一遮挡件111的两个开口H1、H2的中心的弧的中心角等于两端分别对应于可以从第一至第四靶材保持件91、92、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溅射装置，所述溅射装置包括腔室、被构造用于在所述腔室中保持基板并围绕与在其上保持所述基板的表面垂直的轴线转动的基板保持件、及被构造用于分别保持靶材的第一至第四靶材保持件，其中所述基板通过闸阀在所述腔室的内部空间与所述腔室的外部空间之间传送，所述溅射装置包括：遮挡单元，所述遮挡单元被构造用于从由所述第一至第四靶材保持件分别保持的四个靶材中选择用于溅射的靶材，其中所述第一至第四靶材保持件布置在具有长边及短边并内接于以所述轴线为中心的假想圆的假想长方形的顶点上，以及其中所述第一靶材保持件及所述第二靶材保持件分别布置在所述假想长方形的限定一个短边的两个顶点上，并且所述第一靶材保持件及所述第二靶材保持件到所述闸阀的距离小于所述第三靶材保持件及所述第四靶材保持件到所述闸阀的距离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.11.30 JP 2012-2636481.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：传送腔室，所述传送腔室具有多个连接表面，由所述多个连接表面当中的相邻连接表面限定的夹角大于90度，以及溅射装置，所述溅射装置被连接到所述多个连接表面中的至少一个，所述溅射装置包括腔室、被构造用于在所述腔室中保持基板并围绕与在其上保持所述基板的表面垂直的轴线转动的基板保持件、及被构造用于分别保持靶材的第一至第四靶材保持件，所述溅射装置包括：遮挡单元，所述遮挡单元被构造用于从由所述第一至第四靶材保持件分别保持的四个靶材中选择用于溅射的靶材，其特征在于：所述基板通过闸阀在所述溅射装置的腔室的内部空间与所述传送腔室的内部空间之间传送；所述第一至第四靶材保持件布置在具有长边及短边并内接于以所述轴线为中心的假想圆的假想长方形的顶点上，以及所述第一靶材保持件及所述第二靶材保持件分别布置在所述假想长方形的限定一个短边的两个顶点上，并且所述第一靶材保持件及所述第二靶材保持件到所述闸阀的距离小于所述第三靶材保持件及所述第四靶材保持件到所述闸阀的距离。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第一至第四靶材保持件中的每一个将靶材保持在靶材的表面相对于由所述基板保持件保持的基板的表面倾斜的姿势。3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第一靶材保持件及所述第二靶材保持件到所述闸阀的距离彼此相等。4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第一至第四靶材保持件沿所述假想圆以所述第一靶材保持件、所述第二靶材保持件、所述第三靶材保持件、所述第四靶材保持件的顺序相继布置，所述遮挡单元包括被构造用于围绕轴线转动的第一遮挡件及第二遮挡件，所述第一遮挡件及...

【专利技术属性】
技术研发人员：石原繁纪，小长和也，户谷宽行，须田真太郎，安松保志，藤本雄，中泽俊和，中村英司，今井慎，
申请(专利权)人：佳能安内华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP