本发明专利技术公开了一种膜层结构及测试方法、显示基板及测试方法和制备方法，该膜层结构包括：第一金属层、第二金属层、第一测试端子、第二测试端子，以及位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层；其中，第一测试端子与第一金属层相连，第二测试端子与第二金属层相连；第一金属层、绝缘层和第二金属层三层之间在至少一侧形成阶梯结构，这样对上述膜层结构进行测试时，通过测试探针上升或下降的移动轨迹测试阶梯结构的落差，进而获得较精确的绝缘层的厚度，再根据第一金层与第二金属层之间的电容值和相对面积，可以计算获得较精确的绝缘层的介电常数。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种。
技术介绍
目前，显示技术被广泛应用于电视、手机以及公共信息的显示，用于显示画面的平板显示器因其超薄节能的优点而被大力推广。而对于制造出的显示产品中，通常需要对用于实现显示功能的显示基板进行待测膜层的介电常数的测试，传统的介电常数测试是先测试出待测膜层结构的电容值，然后再根据公式C= e*A/D进行计算获得待测膜层的介电常数ε，其中A为待测膜层结构上下电极(也就是相对设置的两层金属层)的相对面积，D为上下电极之间的距离(也就是绝缘膜层的厚度)。通常情况下D值都是根据化学气相沉积成膜后的测量数值进行估算，或者切片后通过扫描式电子显微镜进行测量获得厚度值D，然而由于受限于样品制作时不能保证切片完全垂直，且样品测试时也有可能测量的切片为斜面，其测量后获得的膜层厚度值准确性受到一定程度的影响，因此通过化学气相沉积成膜后的测量估算和通过扫描式电子显微镜的测量得到的厚度值均不够精确，因此最后求得的待测膜层的介电常数值不精确。因此，如何测得较精确的待测膜层的厚度值，从而获得较精确地待测膜层的介电常数，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种，用以解决现有技术中存在的测量的待测膜层厚度值不够精确的问题。本专利技术实施例提供了一种膜层结构，包括:第一金属层、第二金属层、第一测试端子、第二测试端子，以及位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的绝缘层；其中，所述第一测试端子与所述第一金属层相连，所述第二测试端子与所述第二金属层相连；所述第一金属层、所述绝缘层和所述第二金属层三层之间在至少一侧形成阶梯结构。本专利技术实施例提供了一种上述膜层结构的测试方法，其用于测试所述绝缘层的介电常数，包括:采用第一探针对第一测试端子加载第一电压信号，采用第二探针对第二测试端子加载第二电压信号，确定出第一金属层和第二金属层之间的电容值；在第一金属层、绝缘层、第二金属层具有阶梯结构的一侧，通过测试探针的移动轨迹获得阶梯结构层级之间的落差值，确定出绝缘层的厚度值；根据确定出的第一金属层和第二金属层之间的电容值，以及绝缘层的厚度和第一金属层与第二金属层之间的相对面积，确定出绝缘层的介电常数。本专利技术实施例提供了一种显示基板，分为显示区域和周边区域，所述显示基板的周边区域具有至少一个测试区，在所述测试区内包括:第一金属层、第二金属层、第一测试端子、第二测试端子，以及位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的绝缘层；其中，所述第一测试端子与所述第一金属层相连，所述第二测试端子与所述第二金属层相连；所述第一金属层、所述绝缘层和所述第二金属层三层之间在至少一侧形成阶梯结构；所述第一金属层和所述第二金属层分别对应于所述显示区域内不同层的两层金属层且分别与对应的金属层同层设置，所述绝缘层与所述不同层的两层金属层之间的绝缘层同层设置。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述显示基板中，所述阶梯结构中位于所述绝缘层下层第一金属层或第二金属层的台阶面积等于或大于绝缘层的台阶面积。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述显示基板中，所述第一测试端子与所述第一金属层同层设置，所述第二测试端子与所述第二金属层同层设置。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述显示基板中，所述显示基板的显示区域包括:公共电极层、像素电极层和源漏电极层；所述第一金属层与所述公共电极层同层设置，所述第二金属层与所述像素电极层或所述源漏电极层同层设置。本专利技术实施例提供了一种上述显示基板的测试方法，其用于测试所述绝缘层的介电常数，包括:采用第一探针对第一测试端子加载第一电压信号，采用第二探针对第二测试端子加载第二电压信号，确定出第一金属层和第二金属层之间的电容值；在第一金属层、绝缘层、第二金属层具有阶梯结构的一侧，通过测试探针的移动轨迹获得阶梯结构层级之间的落差值，确定出绝缘层的厚度值；根据确定出的第一金属层和第二金属层之间的电容值，以及绝缘层的厚度和第一金属层与第二金属层之间的相对面积，确定出绝缘层的介电常数。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述显示基板的测试方法中，所述在第一金属层、绝缘层、第二金属层具有阶梯结构的一侧，通过测试探针的移动轨迹获得阶梯结构的落差值，确定出绝缘层的厚度值，具体包括:在第一金属层、绝缘层、第二金属层具有阶梯结构的一侧，采用测试探针测试阶梯结构层级之间的落差，并记录所述测试探针上升或下降的移动轨迹；根据记录的所述测试探针上升或下降的移动轨迹，获得阶梯结构层级之间的落差值；根据获得的阶梯结构层级之间的落差值，确定出绝缘层的厚度值。本专利技术实施例提供了一种上述显示基板的制备方法，包括:在衬底基板上通过一次构图工艺形成第一金属层和第一测试端子的图形；在形成有所述第一金属层的衬底基板上形成绝缘层的图形；通过一次构图工艺在形成有所述绝缘层的衬底基板上形成第二金属层和第二测试端子的图形。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述显示基板的制备方法中，所述第一金属层的图形与所述公共电极层的图形通过一次构图工艺形成，所述第二金属层的图形与所述像素电极层或源漏电极层的图形通过一次构图工艺形成。本专利技术实施例的有益效果包括:本专利技术实施例提供了一种，该膜层结构包括:第一金属层、第二金属层、第一测试端子、第二测试端子，以及位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层；其中，第一测试端子与第一金属层相连，第二测试端子与第二金属层相连；第一金属层、绝缘层和第二金属层三层之间在至少一侧形成阶梯结构，这样对上述膜层结构进行测试时，通过测试探针上升或下降的移动轨迹测试阶梯结构的落差，进而获得较精确的绝缘层的厚度，相对于现有技术中通过化学气相沉积成膜后测量估算出待测膜层的厚度，或通过扫描式电子显微镜获得的待测膜层的厚度值，本专利技术实施例可以通过测试探针上升或下降的移动轨迹测试阶梯结构的落差，进而获得较精确的绝缘层的厚度，再根据第一金层与第二金属层之间的电容和相对面积，可以计算获得较精确的绝缘层的介电常数。【附图说明】图1为本专利技术实施例提供的膜层结构的结构示意图之一；图2为本专利技术实施例提供的膜层结构的结构示意图之二 ；图3为本专利技术实施例提供的膜层结构的测试方法的流程图；图4为本专利技术实施例提供的显示基板的制备方法的流程图。【具体实施方式】下面结合附图，对本专利技术实施例提供的测元器件及测试方法、显示基板及测试方法和制备方法的【具体实施方式】进行详细地说明。本专利技术实施例提供了一种膜层结构，如图1和图2所示，包括:第一金属层1、第二金属层2、第一测试端子3、第二测试端子4，以及位于第一金属层I和第二金属层2之间的绝缘层5 ;其中，第一测试端子3与第一金属层I相连，第二测试端子4与第二金属层2相连；第一金属层1、绝缘层5和第二金属层2三层之间在至少一侧形成阶梯结构。本专利技术实施例提供的上述膜层结构，如图1所示，包括:第一金属层1、第二金属层2、第一测试端子3、第二测试端子4，以当前第1页1 2 3 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种膜层结构，其特征在于，包括：第一金属层、第二金属层、第一测试端子、第二测试端子，以及位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的绝缘层；其中，所述第一测试端子与所述第一金属层相连，所述第二测试端子与所述第二金属层相连；所述第一金属层、所述绝缘层和所述第二金属层三层之间在至少一侧形成阶梯结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张玉军，刘超，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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