本实用新型专利技术涉及一种引线框架，具体涉及一种DFN2020-6 26排引线框架，包括承装的框架，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，所述框架从上至下间隔排列有26排晶体管的焊接区域，所述26排焊接区域每排有96个放置晶体管的单个封装单元，所述单个封装单元内设置有芯片槽，所述每排上的96个单个封装单元位于框架的同一水平线上，所述单个封装单元的长度方向与框架的长度方向平行布置，沿框架的长度方向将框架等分为四个A、B、C、D区域，每个区域之间间隔6mm，靠近边缘的A区和D区距离框架边缘10mm，所述四个区域之间的框架背面上沿框架的宽度方向设置有间隔凹槽。该引线框架较传统的引线框架结构增大了产品的密度，提高了生产效率，降低了成本，利于焊接。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种引线框架，特别是一种DFN2020-6 26排引线框架。
技术介绍
引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。芯片封装形式为DFN2020-6 (DFN是小型电子元器件的封装形式，6表示芯片槽有6个引脚，2020表示单个电子元器件封装尺寸为长2.0mm、宽2.0mm)时，要在相同的引线框架尺寸布置更多的芯片，就需要对布置形式进行合理设计。目前的引线框架产品，如市场上的20排/1120粒引线框架，每条该引线框架有20排，每排上有56粒晶体管，该引线框架长度为252臟，宽度为78臟，这种产品密度低，导致生产效率低，生产成本高，低利用率的产品，其所耗用的资源浪费大。随着市场用量的增长，目前的设备和产品的设计生产力已经不能满足市场需要，需要提高产品的有效利用率，随着生产成本和劳力成本的提高，有必要通过技术改良降低生产成本。
技术实现思路
本技术的目的在于:针对现有技术存在的问题，提供一种密度大、成本低，更有利于焊接的DFN2020-6 26排引线框架。为了实现上述目的，本技术采用的技术方案为:一种DFN2020-6 26排引线框架，包括承装的框架，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，所述框架从上至下间隔排列有26排晶体管的焊接区域，所述26排焊接区域每排有96个放置晶体管的单个封装单元，所述单个封装单元内设置有芯片槽，所述每排上的96个单个封装单元位于框架的同一水平线上，所述单个封装单元的长度方向与框架的长度方向平行布置，沿框架的长度方向将框架等分为四个A、B、C、D区域，每个区域之间间隔6mm，靠近边缘的A区和D区距离框架边缘10mm，所述四个区域之间的框架背面上沿框架的宽度方向设置有间隔凹槽。由于DFN2020-6型号的单个封装单元的尺寸是固定的2.0*2.0mm,因此在框架尺寸固定的情况下，合理地对框架焊接区域分区有助于提高框架利用率，本引线框架沿框架长度方向分成四个相同的区域，且单个封装单元的长度方向与框架的长度方向平行布置，每排有96个放置晶体管的单个封装单元，那么每个区域内布置24个单个封装单元即可；该框架的长为250mm，除去A、B、C、D区域之间的间隔尺寸以及边缘的预留尺寸，每个区域用于布置单个封装单元的尺寸为53mm，而2.0*24为48mm，满足框架上每排布置96个放置晶体管的单个封装单元的需求；而框架的宽为70_，单个封装单元的宽度为2.0mm, 2.0*26为52.0mm，完全满足使用需求，这样的设置增加了框架密度，提高了设备效率，降低成本。所述四个区域之间的框架背面上沿框架宽度方向设置的间隔凹槽增大了框架背面的表面积，使得其在塑封是增加了塑封体与框架的接触面积，提高密封性和稳定性；另夕卜，由于该引线框架分区合理，各个区域都留有间隔尺寸，有利于封装单元的焊接和安装。作为本技术的优选方案，所述间隔凹槽的数量为6个，间隔凹槽的槽宽为4mm、长为10mm。间隔凹槽的数量设为6个，且长度为10mm，刚好合理利用了框架的宽度尺寸，使得框架背面的表面积增量最大，有利于提高塑封时的塑封效果。作为本技术的优选方案，所述芯片槽为用于安装DFN2020-6封装晶体管的芯片槽，每个芯片槽中设有6个引脚。综上所述，由于采用了上述技术方案，本技术的有益效果是:1、本引线框架合理地将框架分成四个相同的区域，尺寸分布合理，完全满足将DFN2020-6型号的单个封装单元在固定的框架尺寸下布置26排/2496个封装单元的需求，增加了框架密度，提高了设备效率，降低成本；且由于该引线框架分区合理，各个区域都留有间隔尺寸，有利于封装单元的焊接和安装；2、所述四个区域之间的框架背面上沿框架宽度方向设置的间隔凹槽增大了框架背面的表面积，使得其在塑封是增加了塑封体与框架的接触面积，提高密封性和稳定性；3、提高生产效率，前段提高20%的设备效率.Molding提高1.2倍的效率；4、成本降低，框架成本降低20%，Compound成本降低30% ；5、提高资源利用率，框架利用率提高30%，Compound用量降低30%。【附图说明】图1是本技术DFN2020-6 26排引线框架背面的结构示意图。图2为本技术DFN2020-6 26排引线框架正面的结构示意图。图3为图2的局部放大图。图中标记:1-框架，2-单个封装单元，3-间隔凹槽，4-框架固定孔。【具体实施方式】下面结合附图，对本技术作详细的说明。为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。实施例1如图1至图3所示，图1是本实施的DFN2020-6 26排引线框架背面的结构示意图，图中有4个区域A、B、C、D，图2本DFN2020-6 26排引线框架正面的结构示意图。图1中区域B、C、D的结构和区域A —样。本实施例的26排DFN2020-6 (DFN2020-6是小型电子元器件的封装形式的名称)引线框架从上至下间隔排列有26排晶体管的焊接区域，所述26排焊接区域每排有96个放置晶体管的单个封装单元2，所述单个封装单元2内设置有芯片槽，所述每排上的96个单个封装单元2位于框架I的同一水平线上。所述框架I长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm。沿框架I的长度方向将框架I等分的四个A、B、C、D区域，每个区域之间间隔6mm，靠近边缘的A区和D区距离框架I边缘10mm，所述四个区域之间的框架I背面上沿框架I的宽度方向设置有间隔凹槽3。由于DFN2020-6型号的单个封装单元的尺寸是固定的2.0*2.0mm,因此在框架尺寸固定的情况下，合理地对框架焊接区域分区有助于提高框架利用率，本引线框架沿框架长度方向分成四个相同的区域，且单个封装单元的长度方向与框架的长度方向平行布置，每排有96个放置晶体管的单个封装单元，那么每个区域内布置24个单个封装单元即可。该框架的长为250_，除去A、B、C、D区域之间的间隔尺寸以及边缘的预留尺寸，每个区域用于布置单个封装单元的尺寸为53mm，而2.0*24为48mm，满足框架上每排布置96个放置晶体管的单个封装单元的需求；而框架的宽为70_，单个封装单元的宽度为2.0mm, 2.0*26为52.0mm，完全满足使用需求，增加了框架密度，提高了设备效率，降低成本。所述四个区域之间的框架背面上沿框架宽度方向设置的间隔凹槽增大了框架背面的表面积，使得其在塑封是增加了塑封体与框架的接触面积，提高密封性和稳定性；另夕卜，由于该引线框架分区合理，各个区域都留有间隔尺寸，有利于封装单元的焊接和安装。如图2所示，在框架I的四个角上开有框架固定孔4，便于该引线框架的塑封固定及框架装配。而在图1中可以看到，把框架I的宽度方向边缘设置成了凹凸形的不平边，这样的设置有利于引线框架与其他配件的连接，也有利于多个引线框架叠加存放时的固定。在本实施例中，所本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种DFN2020‑6 26排引线框架，其特征在于，包括承装的框架，所述框架长度为250±0.1mm，宽度为70±0.05mm，所述框架从上至下间隔排列有26排晶体管的焊接区域，所述26排焊接区域每排有96个放置晶体管的单个封装单元，所述单个封装单元内设置有芯片槽，所述每排上的96个单个封装单元位于框架的同一水平线上，所述单个封装单元的长度方向与框架的长度方向平行布置，沿框架的长度方向将框架等分为四个A、B、C、D区域，每个区域之间间隔6mm，靠近边缘的A区和D区距离框架边缘10mm，所述四个区域之间的框架背面上沿框架的宽度方向设置有间隔凹槽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：罗天秀，樊增勇，许兵，任伟，崔金忠，
申请(专利权)人：成都先进功率半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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