【技术实现步骤摘要】
一种Singulation料片切割校准识别方法
[0001]本专利技术涉及塑封后的DFN/QFN/BGA半导体料片切割领域，尤其涉及一种Singulation料片切割校准识别方法和装置。
技术介绍
[0002]料片切割现校准方式在设定产品切割道位置时，由于切割道上特征点因框架蚀刻工艺波动，造成腐蚀后金属波动较大难以用于识别，一般采用产品上的特征图案确定产品位置，再以切割道与特征点的相对位置来确定切割道位置，相对位置一般以标准产品样品来确定。
[0003]在校准时，料片切割设备会找若干个产品的特征点，并确认每个特征点对应的切割道位置，再将各个位置以最小二乘法拟合出最佳的切割直线，图1为产品特征区域，确定产品区域中心为特征点，坐标，如图2所示，因此切割道Y轴坐标，L为标准片切割道位置与特征点坐标Y向距离。
[0004]由于不同批次的产品PAD大小尺寸有差异，在校准时如果按照标准片的偏移距离L来校准切割道位置，会导致切割道位置偏移，如图3、图4所示，进而导致切割精度不好，另外在Singulation框架来料公差过大
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Singulation料片切割校准识别方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.根据PAD标准片确定PAD校准组，并根据PAD校准组的特征区域确定两个特征点，分别是和、PAD校准组的行切割道、PAD校准组的列切割道、到的距离、到的距离、到的距离和到的距离；S2.根据PAD校准组的特征区域，确定一组需要切割的PAD组；S3.在一组需要切割的PAD组上确定两个特征点，分别是和，定义的坐标为，定义的坐标为；S4.定义一组需要切割PAD组的行切割点为和列切割点为，的坐标为，的坐标为，以表示的值，是或，，以或表示的值，是或，；S5.根据步骤S1至步骤S4在n列分别确定m个切割点，根据m和n构成矩阵t，矩阵t中的元素分别为， 矩阵t中列序号相同的切割点间隔的PAD数量相同；在M行分别确定N个切割点，根据M和N构成矩阵T，矩阵T中的元素分别为，矩阵T中行序号相同的切割点间隔的PAD数量相同，m、n、M和N均为正整数；S6.根据最小二乘法将矩阵t中行序号相同的切割点进行拟合，确定行切割道，还将矩阵T中的列序号相同的切割点进行拟合，确定列切割道；S7.将相邻行切割道中列序号相同的切割点之间的距离的等分点作为相邻行切割道之间存在的未通过PAD校准组的特征区域识别到的PAD的行切割点，等分点的数量为相邻行切割道中列序号相同的切割点之间PAD的数量减去1以及将相邻列切割道中行序号相同的切割点之间的距离的等分点作为相邻列切割道之间存在的未通过PAD校准组的特征区域识别到的PAD的列切割点，等分点的数量为相邻列切割道中行序号相同的切割点之间PAD的数量减去1；S8.通过最小二乘法将确定的同一行的切割点分别进行拟合，确定横向切割道，还通过最小二乘法将确定的同一列的切割点分别进行拟合，确定纵向切割道；S9.根据行切割道、横向切割道、列切割道和纵向切割道完成PAD切割。2.根据权利要求1所述的一种Singulation料片切割校准识别方法，其特征在于，在步骤S1中，PAD校准组是相对方向上的两个PAD标准片或者一个PAD标准片，在PAD校准组是相对方向上的两个PAD标准片时，特征点和在不同的PAD标准片上，在PAD校准组为一个PAD标准片时，特征点和在此PAD标准片上。3.根据权利要求2所述的一种Singulation料片切割校准识别方法，其特征在于，在步骤S2中，根据PAD校准...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘剑，朱云飞，徐信尧，
申请(专利权)人：成都先进功率半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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