一种多晶硅还原炉电源柜制造技术

本申请公开了一种多晶硅还原炉电源柜，包括高压隔离保护单元和还原炉功率供给单元，所述电源柜包括前室和后室。利用本申请提供的多晶硅还原炉电源柜，既能使还原炉功率供给单元免受高压损伤，又能为多晶硅还原炉提供功率，另外，还采用了前室和后室相结合的纵向布局结构，减少了设备占地面积，还能减少铜排和高压电缆的长度，从而节约材料和设备投资，减少设备安装时间和安装费用。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电气设备制造
，更具体地说，涉及一种多晶硅还原炉电源柜。
技术介绍
目前，国内外多晶硅还原炉硅芯击穿启动方式大都采用高电压使硅芯击穿，待硅芯全部击穿后，停止高压启动电源，切换到还原电源，进入硅芯还原生长阶段。在对硅芯进行高压击穿的过程中，为了保护还原电源侧的电气设备不被高压损坏，一般采用的做法是在高压启动电源柜和还原炉电源柜之间加设一台隔离柜，如果需要6台电源柜，就需要同时配置6台隔离柜，占厂房安装空间较大，配套安装的大截面铜母排和安装支架钢材用量大，生产成本高。目前，多晶硅领域做成套设备产品的同行里，还原炉功率柜主要分两种布局，即横向布局和纵向布局。横向布局就是柜体分左右室，这种方式横向占地空间大，特别是一套系统需要6台并柜安装，另外还要并列安装一台PLC控制柜，对于厂房空间不是很宽裕的用户来说，这种柜型的局限性就体现得很明显了。纵向布局是把柜体分前室和后室两个空间，这样单台设备横向占地面积小，一套排列会省出近一半的空间。所以，部分厂家也在开发纵向布局的柜型，但是，在配套使用的设备中，无论使用哪种柜型，都得将一台还原炉功率柜配一台隔离柜，整个安装占地面积较大，而且存在设备及其接线复杂，铜材及钢材用量大，设备投入成本较高的问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本技术提供了一种多晶硅还原炉电源柜，能够减小占地面积，节约材料和设备投资，减少设备安装时间和安装费用。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案:本技术提供的一种多晶硅还原炉电源柜，包括高压隔离保护单元和还原炉功率供给单元，所述电源柜包括前室和后室。优选的，在上述多晶硅还原炉电源柜中，所述高压隔离保护单元包括:设置于所述电源柜后室上部的真空断路器；设置于所述电源柜前室下部的真空接触器。优选的，在上述多晶硅还原炉电源柜中，所述还原炉功率供给单元包括:设置于所述电源柜前室上部的可控硅、高压熔断器和水冷组件；设置于所述电源柜后室中部的接地监测装置和阻容保护器；设置于所述电源柜前室下部的电压互感器；设置于所述电源柜后室下部的电抗器。优选的，在上述多晶硅还原炉电源柜中，所述电源柜的后室中部设置有检修空间。优选的，在上述多晶硅还原炉电源柜中，所述电源柜与多晶硅还原炉之间用于连接的进出线设置于所述电源柜的上部。优选的，在上述多晶硅还原炉电源柜中，所述进出线设置于穿墙套管或绝缘套管内，且利用黄蜡板支撑。优选的，在上述多晶硅还原炉电源柜中，所述电源柜的主体框架为焊接型框架。优选的，在上述多晶硅还原炉电源柜中，所述电源柜内部设置有透明有机玻璃板，所述透明有机玻璃板通过固定支件固定在柜体框架上，且与所述电源柜的门内侧相对。优选的，在上述多晶硅还原炉电源柜中，所述电源柜内的固定支件为采用镀锌钢板成型的C型材支件。优选的，在上述多晶硅还原炉电源柜中，所述水冷组件的材质为铝合金。从上述技术方案可以看出，本技术所提供的一种多晶硅还原炉电源柜，包括高压隔离保护单元和还原炉功率供给单元，所述电源柜包括前室和后室。这种一体化的多晶硅还原炉电源柜将隔离柜和功率柜的功能整合在一起，利用一个多晶硅还原炉电源柜，既能使还原炉功率供给单元免受高压损伤，又能为多晶硅还原炉提供功率，另外，还采用了前室和后室相结合的纵向布局结构，从而减少了设备占地面积，还能减少铜排和高压电缆的长度，从而节约材料和设备投资，减少设备安装时间和安装费用。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种多晶硅还原炉电源柜的正视图；图2为本申请实施例提供的一种多晶硅还原炉电源柜的后视图；图3为本申请实施例提供的一种多晶硅还原炉电源柜的侧视图。【具体实施方式】下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本申请实施例提供的一种多晶硅还原炉电源柜如图1、图2和图3所示，其中，图1为本申请实施例提供的一种多晶硅还原炉电源柜的正视图，图2为本申请实施例提供的一种多晶硅还原炉电源柜的后视图，图3为本申请实施例提供的一种多晶硅还原炉电源柜的侧视图。该多晶硅还原炉电源柜包括高压隔离保护单元和还原炉功率供给单元，所述电源柜包括前室和后室。其中，所述还原炉功率供给单元为还原炉提供功率，并且根据生产阶段的不同，对电流电压进行调节，而所述高压隔离保护单元能够在高压击穿硅芯的过程中对元器件形成保护。这种一体化的多晶硅还原炉电源柜将隔离柜和功率柜的功能整合在一起，利用一个多晶硅还原炉电源柜，既能使还原炉功率供给单元免受高压损伤，又能为多晶硅还原炉提供功率，另外，还采用了前室和后室相结合的纵向布局结构，从而减少了设备占地面积，还能减少铜排和高压电缆的长度，从而节约材料和设备投资，减少设备安装时间和安装费用。在上述多晶硅还原炉电源柜中，所述高压隔离保护单元可以优选的包括:设置于所述电源柜后室上部的真空断路器I ;设置于所述电源柜前室下部的真空接触器2。当高压电源柜对还原炉中的硅芯进行高压击穿，待还原炉中所有硅芯击穿后才转变为正常的功率供电模式，其中，在击穿硅芯时，为防止高电压对功率元器件造成损坏，所以设置真空断路器I和真空接触器2，这两种器件相配合，就实现高压隔离保护功能，有效的保护元器件不受高压损坏，另外，上述两种器件还用于切换串、并联运行方式。通过将上述高压隔离保护单元与还原炉功率供给单元整合在同一台设备中，有效的减少了设备占地面积，节约材料和设备投资，减少设备安装时间和安装费用。在上述多晶硅还原炉电源柜中，所述还原炉功率供给单元可以优选的包括:设置于所述电源柜前室上部的可控硅3、高压熔断器4和水冷组件5 ;设置于所述电源柜后室中部的接地监测装置9和阻容保护器6 ;[00当前第1页1 2 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多晶硅还原炉电源柜，其特征在于，包括高压隔离保护单元和还原炉功率供给单元，所述电源柜包括前室和后室；所述高压隔离保护单元包括：设置于所述电源柜后室上部的真空断路器；设置于所述电源柜前室下部的真空接触器；所述还原炉功率供给单元包括：设置于所述电源柜前室上部的可控硅、高压熔断器和水冷组件；设置于所述电源柜后室中部的接地监测装置和阻容保护器；设置于所述电源柜前室下部的电压互感器；设置于所述电源柜后室下部的电抗器。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王清华，杨明，聂彬彬，
申请(专利权)人：重庆大全泰来电气有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;85