一种硅通孔刻蚀装置制造方法及图纸

一种硅通孔刻蚀装置，包括：反应腔，基座，射频功率发生装置和反应气体供气系统；所述基座设置在反应腔内，反应气体供气系统供应刻蚀气体和沉积气体到反应腔内，射频功率发生装置施加射频功率到反应腔内；待处理基片设置在所述基座上，其特征在于所述反应气体供气系统包括刻蚀气体供应管道和沉积气体供应管道，所述刻蚀气体供应管道通过一个刻蚀气体阀门连接到第一反应气体输入端；所述沉积气体供应管道通过一个沉积气体阀门连接到第二反应气体输入端；所述刻蚀气体供应管道联通到一个刻蚀气体喷口向反应腔喷入刻蚀气体，所述沉积气体供应管道联通到一个沉积气体喷口，向反应腔喷入沉积气体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种深硅(TSV)通孔刻蚀装置。
技术介绍
近年来，计算机、通讯、汽车电子、航空航天工业和其他消费类产品对微电子封装提出了更高的要求，即更小、更薄、更轻、高可靠、多功能、低功耗和低成本，需要在硅晶圆上制备出许多垂直互连通孔来实现不同芯片之间的电互连，硅通孔刻蚀工艺逐渐成为微纳加工领域的一个重要技术。而随着微电子机械器件和微电子机械系统(MicroElectromechanical System, MEMS)被越来越广泛的应用于汽车和电费电子等领域，以及TSV (Through Silicon Via)通孔刻蚀(Through Silicon Etch)技术在未来封装领域的广阔前景，深娃刻蚀工艺逐渐成为MEMS制造领域和TSV技术中最炎手可热的工艺之一。硅通孔刻蚀工艺是一种采用等离子体干法刻蚀的深硅刻蚀工艺，相对于一般的硅刻蚀工艺，其主要区别在于:刻蚀深度远大于一般的硅刻蚀工艺。一般的硅刻蚀工艺的刻蚀深度通常小于I μ m,而深硅刻蚀工艺的刻蚀深度则为几十微米甚至上百微米，具有很大的深宽比。因此，为获得良好的深孔形貌，需要刻蚀去除深度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅通孔刻蚀装置，包括：反应腔，基座，射频功率发生装置和反应气体供气系统；所述基座设置在反应腔内，反应气体供气系统供应刻蚀气体和沉积气体到反应腔内，射频功率发生装置施加射频功率到反应腔内，待处理基片设置在所述基座上；其特征在于：所述反应气体供气系统包括刻蚀气体供应管道和沉积气体供应管道，所述刻蚀气体供应管道第一端通过一个刻蚀气体阀门连接到第一反应气体输入端；所述沉积气体供应管道第一端通过一个沉积气体阀门连接到第二反应气体输入端；所述刻蚀气体供应管道第二端联通到一个刻蚀气体喷口向反应腔喷入刻蚀气体，所述沉积气体供应管道第二端联通到一个沉积气体喷口，向反应腔喷入沉积气体。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：倪图强，李俊良，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31