本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作工艺流程。所述阵列基板包括：衬底基板，分为显示区和非显示区；薄膜晶体管层，位于所述衬底基板上；所述显示区的所述薄膜晶体管层包含在所述衬底基板上依次设置的第一辅助层和源漏极金属层，所述源漏极金属层与所述第一辅助层电连接。通过采用本发明专利技术所述的阵列基板，能够实现降低VDD走线上的压降，减小有机发光二极管上驱动电压的差异，进而达到消除面板显示亮度不均的目的。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及平板显示技术，且特别涉及一种有机发光二极管阵列基板、显示装置及阵列基板制造方法。
技术介绍
有机发光显示器(Organic Light-Emitting D1de，0LED)的驱动方法分为被动矩阵式(Passive Matrix，PM)和主动矩阵式(Active Matrix，AM)两种。相比被动矩阵式驱动，主动矩阵式驱动具有显示信息量大、功耗低、器件寿命长、画面对比度高等优点。如图1所示，现有技术的一种主动矩阵式有机发光显示器的像素单元的等效电路包括:开关管M1、驱动管M2、存储电容Cl以及有机发光二极管D1。其中，开关管Ml在栅极被扫描信号Vscan (η)选通时打开，引入数据信号Vdata。驱动管M2—般工作在饱和区，其栅源电压Vgs(也就是数据信号Vdata)决定了流过其电流的大小，进而为有机发光二极管Dl提供了稳定的电流。其中，VDD为电源电压，提供有机发光二极管Dl发光所需要的能源，也就是说VDD影响有机发光二极管Dl的发光亮度。而存储电容Cl的作用是在一帧的时间内维持驱动管M2栅极电压的稳定。当然，也可以附加其它阈值补偿电路，用于补偿驱动晶体管M2的阈值漂移，使得流过驱动管M2的电流不受其阈值电压漂移的影响。目前的设计上，所有的像素都是通过显示区域外围和内部的VDD走线连接在一起，但是随着分辨率的提高，每个像素单元越来越小，故当VDD走线变得非常细且非常长的时候会造成比较大的压降，导致不同像素单元VDD的电压有差异，从而导致有机发光二极管Dl的驱动电压有差异，严重时可能会导致面板显示亮度不均一。
技术实现思路
鉴于现有技术存在的不足，本专利技术提供了一种触控显示装置及其制造方法。为了实现上述目的，本专利技术的实施例提出一种阵列基板，包括:衬底基板，分为显示区和非显示区；薄膜晶体管层，位于所述衬底基板上；所述显示区的所述薄膜晶体管层包含在所述衬底基板上依次设置的第一辅助层和源漏极金属层，所述源漏极金属层与所述第一辅助层电连接。本专利技术的实施例还提出一种阵列基板，包括:衬底基板，分为显示区和非显示区；薄膜晶体管层，位于所述衬底基板上；第二辅助层，位于所述非显示区的所述薄膜晶体管层上；第一电极层，位于所述非显示区的所述第二辅助层上，并与所述第二辅助层电连接。同时，本专利技术还提出一种制造所述阵列基板的制造方法，包括:提供衬底基板，所述衬底基板分为显示区和非显示区；在所述衬底基板上形成薄膜晶体管层，其中，所述显示区的所述薄膜晶体管层包含在所述衬底基板上依次设置的第一辅助层和源漏极金属层，所述源漏极金属层与所述第一辅助层电连接。通过采用本专利技术所述的一种阵列基板，能够实现降低VDD走线上的压降，减小有机发光二极管上驱动电压的差异，进而达到消除面板显示亮度不均的目的。【附图说明】为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有技术提供的有机发光显示器的像素单元的等效电路图；图2是本专利技术实施例提供的一种阵列基板在显示区的剖视图；图3是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板显示区结构的剖视图；图4是本专利技术实施例提供的一种阵列基板非显示区结构的剖视图；图5是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板非显示区结构的剖视图；图6A至图6P是本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制造方法流程图；图7A至图7P是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的制造方法流程图；图8A至图SM是本专利技术实施例提供的另一种阵列基板的制造方法流程图。【具体实施方式】下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图2所示为本专利技术实施例提供的一种阵列基板10在显示区的剖视图。如图2所示，在衬底基板101上设置有隔离层102，在隔离层102上设置有薄膜晶体管层，薄膜晶体管层包含依次设置在隔离层102上的半导体层103、设置在半导体层103上的栅极绝缘层104、设置在栅极绝缘层104上的栅极金属层105、设置在栅极金属层105上的第三绝缘层106、设置在第三绝缘层106上的第一辅助层107、设置在第一辅助层107上的层间绝缘层108以及设置在层间绝缘层108上的源漏电极层。薄膜晶体管层包括多个薄膜晶体管单元和多个电容单元，如图2中下层电容电极141、第三绝缘层106和上层电容电极142共同形成一个电容单元。其中，薄膜晶体管层中栅极金属层105与下层电容电极141同层，第一辅助层107与上层电容电极142同层，这样，在制作第一辅助层107的过程中可以不用额外增加工艺步骤，利用制作上层电容电极142的工艺步骤即可以同时制作第一辅助层107。在薄膜晶体管层中的源漏电极层包括至少与半导体层103部分交叠的第一电极110和第二电极111、与第一电极110电连接的多条信号线220，第一电极110可以为源极或漏极，源漏电极层可以为单层金属层，也可以为金属复合层，复合金属层的材料为钛-铝-钛三层结构。在第一辅助层107上具有第四通孔109，第四通孔109暴露部分在第一辅助层107，第一辅助层107通过第四通孔109与第一电极110电连接，并且第一辅助层107位于信号线220下方，优选的，第一辅助层107的形状与信号线220的形状相同，为沿着信号线220延伸方向延伸的连续图形，第一辅助层107的形状也可以与信号线220的形状不相同，例如为沿着信号线220延伸方向延伸的非连续图形，即在第一辅助层上存在有多个镂空区域，使得第一辅助层107被分割成为多个相互间隔的图形，每个相互间隔的图形的形状可以相同也可以不相同，例如其图形可以是长条状、块状等等，每个相互间隔的图形分别通过多个通孔与第一电极110电连接。在薄膜晶体管层上设置有平坦化层112，平坦化层112具有第六通孔113，第六通孔暴露第二电极111。在平坦化层112上设置有机发光电极层，所述有机发光电极层包含阳极反射层114、像素定义层115、有机发光层117和阴极层118。其中，阳极反射层114通过第六通孔113与第二电极111接触。在阳极反射层114上设置像素定义层115，像素定义层115围绕有机发光电极层限定出像素单元，同时像素定义层具有第七通孔116，第七通孔116暴露部分阳极反射层114。在像素定义层115和阳极反射层114上设置有机发光层117，有机发光层117通过第七通孔116与阳极反射层114接触。在有机发光层117和像素定义层115上设置有阴极层118。在本实施例中所述的阵列基板10上，在薄膜晶体管层内包含了第一辅助层107，第一辅助层107的材料为金属材料钼(Mo)，并且第一辅助层107通过第四通孔109与第一电极110相接触，即两者实现了并联，根据电学原理我们可知，并联后的电阻小于二者中的任意一个，即通过采用此种并联方式，可以降低第一电极110的整体电阻。其中，优选的方式是第一辅助层107所采本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种阵列基板，包括：衬底基板，分为显示区和非显示区；薄膜晶体管层，位于所述衬底基板上；所述显示区的所述薄膜晶体管层包含在所述衬底基板上依次设置的第一辅助层和源漏极金属层，所述源漏极金属层与所述第一辅助层电连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李松，罗丽媛，钱栋，刘刚，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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