本发明专利技术涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置。所述显示基板包括多个像素，每个像素具有一个显示区，多个像素的显示区之间为非显示区，所述显示基板还包括保护金属层，所述保护金属层覆盖所述非显示区。在上述显示基板中，保护金属层将显示基板的非显示区覆盖，将显示基板上的薄膜晶体管和各信号线等结构遮蔽，可以省去黑矩阵，从而可以减少生产工艺流程，提高生产效率，降低生产成本；同时，还可以省去黑矩阵制备过程中的技术难点，从而有助于减少显示基板制备过程中的工艺难点。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，具体地，涉及一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器（ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，以下简称为TFT IXD)包括对盒在一起的第一基板和第二基板，以及位于第一基板和第二基板之间的液晶层。在已有的一种TFT IXD中，第一基板上制备有薄膜晶体管，所述薄膜晶体管用作驱动开关；第二基板上制备有彩膜和黑矩阵，所述彩膜用于实现彩色显示，所述黑矩阵用于遮蔽薄膜晶体管和各信号线。在该种TFT LCD中，第一基板和第二基板对盒时不可避免地会存在对盒偏差，因此，黑矩阵的宽度必须设置地较大，以便在存在对盒偏差的情况下，能够将薄膜晶体管和各信号线遮蔽；而黑矩阵的宽度增大，会降低显示面板的开口率，进而影响显示面板的亮度和画面品质。在已有的另一种TFT IXD中，将薄膜晶体管、彩膜和黑矩阵制备在一张基板上，即COA技术（Color filter On Array，彩膜制备在阵列基板上），该TFT IXD的显示面板的结构如图I所示。具体地，该TFT IXD的显示面板包括第一基板I、第二基板2、液晶层3 ;第一基板I和第二基板2之间设有隔垫物4，以维持第一基板I和第二基板2之间的距离，即液晶层3的厚度；第一基板I上设置有薄膜晶体管10、第一绝缘层11、黑矩阵12、彩膜13、平坦化层14、像素电极15、第二绝缘层16、公共电极17 ;薄膜晶体管10包括栅极100、栅绝缘层101、有源层102、源极103、漏极104。其中，第一绝缘层11、第二绝缘层16—般由硅的氮化物（SiNx)制成。而上述各结构的位置连接关系如图3所示，在此不再赘述。在上述TFT IXD中，薄膜晶体管10、彩膜13和黑矩阵12制备在第一基板I上，这样可以避免第一基板I和第二基板2的对盒偏差影响黑矩阵12遮蔽薄膜晶体管10和各信号线，使黑矩阵12的宽度无需设置地较大，从而，与上一种TFT IXD相比，该TFT IXD可以提升开口率，进而提升显不面板的壳度和画面品质。但在上述采用COA技术的TFT IXD中，在第一绝缘层11上形成黑矩阵12的图形具有较大的难度，具体表现为：基于现有的制备黑矩阵12的材料的特性，难以满足显示面板高分辨率的要求；黑矩阵12的材料与第一绝缘层11的材料如队等）之间的粘附力不足，从而会导致显示面板的结构不稳定；在形成黑矩阵12图形的光刻工艺的显影步骤后，第一绝缘层11的表面容易残留黑矩阵材料，从而会导致显示不良。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置，其可以避免黑矩阵制备过程中的技术难点和黑矩阵制备过程中存在的问题，从而减少显示基板制备过程中的工艺难点。为实现本专利技术的目的而提供一种显示基板，其包括多个像素，每个像素具有一个显示区，多个像素的显示区之间为非显示区，所述显示基板还包括保护金属层，所述保护金属层覆盖所述非显示区。其中，所述保护金属层的反射率不大于20%。其中，所述保护金属层由MoNbO、MoNbON、MoTiO、MoTiON、MoSi中的至少一种制成。其中，所述显示基板包括公共电极，且所述公共电极由ITO、ITZO、IGZO、IZO中的至少一种制成。其中，所述保护金属层与所述公共电极接触。其中，所述显示基板还包括薄膜晶体管、彩膜、像素电极和公共电极。其中，所述薄膜晶体管设置在衬底基板上，且所述薄膜晶体管上设有第一绝缘层；所述彩膜设置在所述第一绝缘层上，且所述彩膜上设有平坦化层；所述像素电极设置在所述平坦化层上，且所述像素电极上设有第二绝缘层；所述保护金属层设置在所述第二绝缘层上，且所述保护金属层上设有所述公共电极。作为另一个技术方案，本专利技术还提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板的制备方法用于制备本专利技术提供的上述显示基板；所述显示基板的制备方法包括：在显示基板的非显示区形成保护金属层的步骤。其中，通过光刻工艺制备所述保护金属层。其中，所述显示基板的制备方法还包括：在衬底基板上形成薄膜晶体管的步骤；在薄膜晶体管上形成第一绝缘层的步骤；在第一绝缘层上形成彩膜的步骤；在所述彩膜上形成平坦化层的步骤；在所述平坦化层上形成像素电极的步骤；在所述像素电极上形成第二绝缘层的步骤；所述保护金属层形成在所述第二绝缘层上；在所述保护金属层上形成公共电极的步骤。作为另一个技术方案，本专利技术还提供一种显示面板，所述显示面板包括本专利技术提供的上述显示基板。作为另一个技术方案，本专利技术还提供一种显示装置，所述显示装置包括本专利技术提供的上述显示面板。本专利技术具有以下有益效果：本专利技术提供的显示基板，其保护金属层将显示基板的非显示区覆盖，将显示基板上的薄膜晶体管和各信号线等结构遮蔽，可以省去黑矩阵，从而可以减少生产工艺流程，提高生产效率，降低生产成本；同时，还可以省去黑矩阵制备过程中的技术难点，从而有助于减少显示基板制备过程中的工艺难点。本专利技术提供的显示基板的制备方法，在显示基板的非显示区形成保护金属层，该保护金属层会将显示基板上的薄膜晶体管和各信号线等结构遮蔽，避免对显示造成不良影响，从而可以保证较好的显示效果。同时，由于保护金属层会将薄膜晶体管和各信号线等结构遮蔽，在制备显示基板时就无需再制备黑矩阵，从而可以减少制备显示基板的工艺流程，提高生产效率，以及降低生产成本，而且，还可以省去黑矩阵制备过程中的技术难点，从而有助于减少显示基板制备过程中的工艺难点。本专利技术提供的显示面板，其采用本专利技术提供的上述显示基板，可以省去黑矩阵，从而可以减少生产工艺流程，提高生产效率，降低生产成本；同时，还可以省去黑矩阵制备过程中的技术难点，从而有助于减少显示基板制备过程中的工艺难点。本专利技术提供的显示装置，其采用本专利技术提供的上述显示面板，可以省去黑矩阵，从而可以减少生产工艺流程，提高生产效率，降低生产成本；同时，还可以省去黑矩阵制备过程中的技术难点，从而有助于减少显示基板制备过程中的工艺难点。【附图说明】附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的【具体实施方式】一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图I为现有采用COA技术的显示面板的示意图；图2为本专利技术实施方式提供的显示基板的示意图；图3为图2所示显示基板的A-A剖视图；图4为保护金属层的另一种结构的示意图；图5为本专利技术实施方式提供的显示基板的制备方法的流程图；图6为薄I旲晶体管制备完成后的显不基板的不意图；图7为棚极制备完成后的显不基板的不意图；图8为第一绝缘层制备完成后的显不基板的不意图；图9为彩I旲制备完成后的显不基板的不意图；图10为平坦化层制备完成后的显示基板的示意图；图11为像素电极制备完成后的显不基板的不意图；图12为第一绝缘层制备完成后的显不基板的不意图；图13为保护金属层制备完成后的显不基板的不意图；图14为公共电极制备完成后的显不基板的不意图。其中，附图标记：...
【技术保护点】
一种显示基板，包括多个像素，每个像素具有一个显示区，多个像素的显示区之间为非显示区，其特征在于，所述显示基板还包括保护金属层，所述保护金属层覆盖所述非显示区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：操彬彬，江鹏，陈鹏，文锺源，黄寅虎，杨成绍，杨海鹏，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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