【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种半导体装置，具备：半导体基板；多个沟槽栅，其在第一方向上延伸，并且在与第一方向正交的第二方向上以隔开间隔的方式而配置；多个沟槽栅具有：第一部分，其在半导体基板的表面上开口；第二部分，其从第一部分起在相对于半导体基板的深度方向而向第二方向的正方向倾斜的方向上延伸；第三部分，其从第一部分起在相对于半导体基板的深度方向而向第二方向的负方向倾斜的方向上延伸。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
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