本发明专利技术公开了一种氧化物薄膜晶体管TFT及制作方法和阵列基板、显示装置，用以防止侧漏光或曝光反射光或外界光等光线在源极层、漏极层界面发生反射，进而减小光线对氧化物有源层的影响，提高氧化物TFT的性能和信赖性。所述氧化物薄膜晶体管TFT，包括：基板、依次形成在所述基板上的栅极、栅极绝缘层、源极层、漏极层，其特征在于，在所述栅极绝缘层和所述源极层之间，以及在所述栅极绝缘层和所述漏极层之间，还包括：遮光层。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种氧化物薄膜晶体管TFT及制作方法和阵列基板、显示装置。
技术介绍
目前，平板显示器已经占据了显示器市场的主导地位，并且朝着大尺寸，高分辨率的方向发展。为了满足大尺寸，高分辨率的要求，需要提高显示器中薄膜晶体管TFT的迀移率以提高显示效果，但是现有技术中非晶娃(a-Si)薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)的迀移率较低，已经成为提高显示效果的制约因素，氧化物TFT由于其比a-Si TFT高的迀移率，应用前途越来越广。但是，现有的氧化物TFT，如图1所示，包括:基板102，依次形成在基板102上的栅极104、栅极绝缘层106、漏极层108、源极层110、氧化物有源层112、刻蚀阻挡层114，从图1中可以看出，氧化物有源层112处于漏极层108和源极层110之间，在氧化物TFT的制作及使用过程中，其它工艺(例如:曝光、显影)的侧漏光或曝光反射光或外界光等光线能够在源极层110、漏极层108界面发生反射，也即在源极层110和栅极104、漏极层108和栅极104之间发生反射，当反射光照射到氧化物有源层112时，由于氧化物有源层112采用的铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZ0)不太稳定，受外界光照射时容易造成氧化物有源层的漏电流增加，使得氧化物TFT的信赖性降低，影响显示质量。综上所述，现有技术中侧漏光或曝光反射光或外界光等非垂直入射光能够在源极层和栅极、漏极层和栅极之间反射，当反射光照射到氧化物有源层时，容易造成氧化物有源层的漏电流增加，使得氧化物TFT的信赖性降低，影响显示质量。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种氧化物薄膜晶体管TFT及制作方法和阵列基板、显示装置，用以防止侧漏光或曝光反射光或外界光等光线在源极层、漏极层界面发生反射，进而减小光线对氧化物有源层的影响，提高氧化物TFT的性能和信赖性。本专利技术实施例提供的一种氧化物薄膜晶体管TFT，包括:基板、依次形成在所述基板上的栅极、栅极绝缘层、源极层、漏极层，在所述栅极绝缘层和所述源极层之间，以及在所述栅极绝缘层和所述漏极层之间，还包括:遮光层。本专利技术实施例提供的上述氧化物TFT中，通过在氧化物薄膜晶体管TFT的栅极绝缘层和源极层之间以及栅极绝缘层和漏极层之间形成遮光层，该遮光层与源极层、漏极层紧密接触，且当光照射到该遮光层时不会发生反射，从而能够防止其他工艺(例如:曝光、显影)的侧漏光或曝光反射光或外界光等光线在源极层和漏极层界面发生反射，从而防止反射光照射到氧化物有源层，与现有技术中源极层和漏极层界面的反射光能够照射到氧化物有源层相比，在栅极绝缘层和源极层之间以及栅极绝缘层和漏极层之间形成遮光层，当侧漏光或曝光反射光或外界光照射到遮光层时，不会发生反射，防止反射光照射到氧化物有源层，从而减小对氧化物有源层的影响，提高氧化物TFT的性能和信赖性。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述氧化物TFT中，所述遮光层为不透光的金属层。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述氧化物TFT中，所述遮光层为包含炭黑的组合物。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述氧化物TFT中，所述包含炭黑的组合物的组成成分包括:感光树脂5 %?20 %、光引发剂0.1 %?5 %、炭黑分散溶液10%?50%、溶剂30%?50%、添加剂0.1%?1%。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述氧化物TFT中，所述包含炭黑的组合物中炭黑的粒径大于或等于20埃米，且小于或等于1000埃米。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述氧化物TFT中，所述包含炭黑的组合物中炭黑的粒径大于或等于20埃米，且小于或等于500埃米。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述氧化物TFT中，所述遮光层的厚度大于或等于100埃米，且小于或等于5000埃米。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述氧化物TFT中，所述遮光层的厚度大于或等于100埃米，且小于或等于1000埃米。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述氧化物TFT中，所述TFT还包括:依次形成在所述栅极绝缘层上的氧化物有源层、刻蚀阻挡层；其中，所述氧化物有源层和所述刻蚀阻挡层位于所述源极层和所述漏极层之间。本专利技术实施例提供的一种阵列基板，所述阵列基板中的薄膜晶体管TFT为本专利技术上述实施例中所述的氧化物TFT。本专利技术实施例提供的一种显示装置，所述显示装置包括本专利技术上述实施例所述的阵列基板。本专利技术实施例提供的上述显示装置中，显示装置的阵列基板中的氧化物薄膜晶体管TFT的栅极绝缘层和源极层之间以及栅极绝缘层和漏极层之间形成遮光层，该遮光层与源极层、漏极层紧密接触，且当光照射到该遮光层时不会发生反射，从而能够防止其他工艺(例如:曝光、显影)的侧漏光或曝光反射光或外界光等光线在源极层和漏极层界面发生反射，从而防止反射光照射到氧化物有源层，与现有技术中源极层和漏极层界面的反射光能够照射到氧化物有源层相比，在栅极绝缘层和源极层之间以及栅极绝缘层和漏极层之间形成遮光层，当侧漏光或曝光反射光或外界光照射到遮光层时，不会发生反射，防止反射光照射到氧化物有源层，从而减小对氧化物有源层的影响，提高氧化物TFT的性能和信赖性，提高显示质量。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述显示装置中，所述显示装置为液晶显示装置。本专利技术实施例提供的一种如上述实施例中所述的氧化物TFT的制作方法，包括:在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上制备遮光层；在所述遮光层上制备源极层和漏极层，其中，所述遮光层位于所述栅极绝缘层和所述源极层以及所述栅极绝缘层和所述漏极层之间。 在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述方法中，在所述栅极绝缘层上制备遮光层，具体为:在所述栅极绝缘层上涂布遮光物质，对所述遮光物质进行曝光、显影、后烘工艺，形成遮光层。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述方法中，在所述栅极绝缘层上制备遮光层，具体为:在所述栅极绝缘层上利用转印法将图案化的遮光层转印到所述栅极绝缘层上，对所述图案化的遮光层进行后烘工艺，形成遮光层。在一种可能的实施方式中，本专利技术实施例提供的上述方法中，该方法还包括:在所述栅极绝缘层上依次形成氧化物有源层、刻蚀阻挡层，所述氧化物有源层和所述刻蚀阻挡层位于所述源极层和所述漏极层之间。【附图说明】图1为现有技术中氧化物薄膜晶体管TFT的结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的氧化物薄膜晶体管TFT的结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图，对本专利技术实施例提供的一种氧化物薄膜晶体管TFT及制作方法和阵列基板、显示装置的【具体实施方式】进行详细地说明。本专利技术实施例提供的一种氧化物薄膜晶体管TFT，如图2所示，包括:基板202、依次形成在基板202上的栅极204、栅极绝缘层206、源极层208、漏极层210，在栅极绝缘层206和源极层208之间，以及在栅极绝缘层206和漏极层210之间，还包括:遮光层212。本专利技术实施例提供的氧化物TFT中，通过在氧化物薄膜晶体管TFT的栅极绝缘层和源极层之间以及栅极绝缘层和漏极层之间形成遮光层，该遮光层与源极层、漏极层紧密接触，且当本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种氧化物薄膜晶体管TFT，包括：基板、依次形成在所述基板上的栅极、栅极绝缘层、源极层、漏极层，其特征在于，在所述栅极绝缘层和所述源极层之间，以及在所述栅极绝缘层和所述漏极层之间，还包括：遮光层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何璇，吴俊纬，刘兴东，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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