一种金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路和平板显示及其相关制造技术领域。本发明专利技术核心是采用了叠层结构源电极和漏电极，电极的下层为金属氧化物半导体薄膜，电极的上层为导电薄膜。叠层源电极和漏电极的下层金属氧化物薄膜采用与沟道有源层相同或不同的材料，其电导率小于有源层金属氧化物薄膜。两层金属氧化物薄膜由射频磁控溅射方法形成。本发明专利技术氧化物半导体薄膜晶体管具有高迁移率,关态电流小，大开关电流比等优点，且与传统结构器件相比工艺复杂度未提高，制备方法和传统CMOS工艺相兼容，具有较高的实用价值，有望在未来的TFT集成电路中得到应用。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种金属氧化物半导体薄膜晶体管，包括栅电极、栅介质、有源区、源电极和漏电极，所述栅电极位于衬底之上，栅介质位于栅电极之上，有源区位于栅介质之上，源电极和漏电极分别位于有源区之上，其特征在于，所述有源区为金属氧化物半导体薄膜，所述源电极和漏电极分别由上、下两层薄膜组成叠层结构，其中源电极或漏电极的下层薄膜为金属氧化物薄膜，源电极或漏电极的上层薄膜为导电薄膜，且有源区金属氧化物半导体薄膜电导率或载流子浓度高于源电极或漏电极的下层金属氧化物半导体薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王漪，周晓梁，丛瑛瑛，赵飞龙，董俊辰，韩德栋，张盛东，刘晓彦，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：北京;11