电子器件、用于制造电子器件的方法和用于操作电子器件的方法技术

公开了电子器件、用于制造电子器件的方法和用于操作电子器件的方法。根据各个实施例，电子器件可以包括：载体，所述载体包括彼此横向邻近的至少第一区域和第二区域；电绝缘结构，被布置在所述载体的第一区域中，其中所述载体的第二区域没有所述电绝缘结构；第一电子部件，被布置在所述载体的第一区域中在所述电绝缘结构之上；第二电子部件，被布置在所述载体的第二区域中；其中所述电绝缘结构包括一个或更多个空室，其中所述一个或更多个空室的侧壁被覆盖有电绝缘材料。

【技术实现步骤摘要】

各个实施例一般涉及。
技术介绍
一般而言，功率电子器件，诸如二极管、双极结型晶体管、绝缘栅双极晶体管或功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET)，可以在高电压(例如，达到1000 V或达到5000 V)和高电流(例如，达到100 A或达到5000 A)下操作。因此，可能需要附加的外部电子器件来控制功率电子器件或分析功率电子器件的功能，因为例如逻辑电路、开关电路或测量电路(例如，温度传感器)可能不耐受由功率电子器件所典型地操作的高电压和/或高电流。
技术实现思路
根据各个实施例，电子器件可以包括:载体，载体包括彼此横向邻近的至少第一区域和第二区域；电绝缘结构，被布置在载体的第一区域中，其中载体的第二区域没有电绝缘结构；第一电子部件，被布置在载体的第一区域中在电绝缘结构之上；第二电子部件，被布置在载体的第二区域中；其中电绝缘结构包括一个或更多个空室，其中一个或更多个空室的侧壁被覆盖有电绝缘材料。【附图说明】在附图中，贯穿不同的视图，同样的参考符号一般提及相同的部分。附图不一定是成比例的，相反重点一般被放在图解本专利技术的原理上。在下面的描述中，参考下面的附图来描述本专利技术的各个实施例，在附图中: 图1A示出了根据各个实施例的包括电绝缘结构的电子器件的示意图； 图1B至图1D分别示出了根据各个实施例的在电子器件中包括的电绝缘结构或电绝缘结构的一部分的示意图； 图2A至图2F分别示出了根据各个实施例的电子器件的示意图； 图3示出了根据各个实施例的电子器件的示意图； 图4示出了根据各个实施例的用于制造电子器件的方法的示意性流程图； 图5A至图5G分别示出了根据各个实施例的在电子器件的制造期间在各个处理阶段的载体(carrier)的示意图； 图5H示出了根据各个实施例的在电子器件的制造期间载体的处理流程和对应的示意图； 图6A至图6D分别示出了根据各个实施例的电子器件的示意图； 图7示出了根据各个实施例的在电子器件的制造期间载体的处理流程；以及图8A至图8D分别示出了根据各个实施例的在电子器件的制造期间在各个处理阶段的载体的示意图。【具体实施方式】下面的详细描述提及通过图解的方式示出特定细节的附图和其中可以实践本专利技术的实施例。词语“示例性的”在本文中被用于意味着“用作例子、实例或图解”。在本文中被描述为“示例性”的任何实施例或设计不一定要被解释为较之其它实施例或设计是优选的或有利的。关于形成在一侧或表面“上”的沉积材料或者在载体“上”沉积层所使用的词语“在…上”，在本文中可以被用于意味着所沉积的材料可以被“直接地形成”在所意指的侧、表面或载体上，例如，与所意指的侧、表面或载体直接接触。关于形成在一侧或表面“上”的沉积材料或者在载体“上”沉积层所使用的词语“在…上”，在本文中可以被用于意味着所沉积的材料可以在一个或更多个附加层被布置在所意指的侧、表面或载体与所沉积的材料之间的情况下，被“间接地形成”在所意指的侧、表面或载体上。关于结构的(或载体的)“横向”延伸、横向方向、或“横向”邻近所使用的术语“横向”，在本文中可以被用于意味着沿着与载体的表面平行的方向的延伸、或与载体的表面平行的方向。这意味着载体的表面(例如，衬底的表面或晶片的表面)可以用作参照，通常被提及为载体的主处理表面(或另一类型载体的主处理表面)。进一步地，关于结构的(或结构元件(例如，腔(cavity))的)“宽度”所使用的术语“宽度”，在本文中可以被用于意味着结构的横向延伸。进一步地，关于结构的(或结构元件的)高度所使用的术语“高度”，在本文中可以被用于意味着沿着与载体的表面垂直的(例如，与载体的主处理表面垂直的)方向的结构的延伸。进一步地，关于凹陷(recess)的(或结构元件的)深度所使用的术语“深度”，在本文中可以被用于意味着沿着与载体的表面垂直的(例如，与载体的主处理表面垂直的)方向的凹陷的延伸。进一步地，“竖向”结构可以被提及为在与横向方向垂直的(例如，与载体的主处理表面垂直的)方向上延伸的结构，并且“竖向”延伸可以被提及为沿着与横向方向垂直的方向的延伸(例如，与载体的主处理表面垂直的延伸)。关于覆盖结构的(或结构元件的)沉积材料所使用的词语“覆盖”，在本文中可以被用于意味着所沉积的材料可以完全地覆盖结构(或结构元件)，例如，覆盖结构的表面和所有暴露的侧。关于覆盖结构(或结构元件)的沉积材料所使用的词语“覆盖”，在本文中可以被用于意味着所沉积的材料可以至少部分地覆盖结构，例如，材料可以至少部分地覆盖结构的表面和所暴露的侧。根据各个实施例，空室例如还可以被填充有材料，例如，硅晶片中的空室可以被填充或部分地填充有氧化硅。因此，关于“空”室所使用的术语“空”，在本文中可以被用于意味着空室本身(例如腔，例如空隙(void)，例如空结构)可以没有材料。然而，空室可以被部分地填充有填充材料，或者可以被完全地填充有填充材料。提到这点，空室可以被部分地填充或完全地填充有与提供空室的材料不同的另一材料。根据各个实施例，如本文所描述的形成层(例如，沉积层，沉积材料，和/或应用成层处理)还可以包括形成层，其中该层可以包括各个子层，从而不同的子层分别可以包括不同的材料。换言之，各个不同的子层可以被包括在层中，或者各个不同的区域可以被包括在所沉积的层和/或所沉积的材料中。根据各个实施例，如本文描述那样，用于处理载体的方法(例如，用于在载体中形成一个或更多个空室或空结构的方法)或用于制造电子器件的方法可以包括若干基本的半导体制造技术，可以在整个制造处理中至少一次地或者在载体的处理期间的至少一次中至少一次地使用这些基本的半导体制造技术。对基本技术的下面的描述应当被理解为图解例子，这些技术可以被包括在本文描述的处理中。被示例性地描述的基本技术可能不一定需要被解释为较之其它技术或方法是优选的或有利的，因为它们仅用来图解可以如何实践本专利技术的一个或更多个实施例。为了简明，被示例性地描述的基本技术的图解可以仅是短的概况，并且不应当被视为穷举的说明。根据各个实施例，如本文所描述那样，成层处理(或成层)可以被包括在用于处理载体的方法中、用于制造电子器件的方法中、或者另一处理或方法中。在成层处理中，根据各个实施例(成层处理因此可以包括沉积材料)，可以使用沉积技术将层沉积在表面上(例如，在载体上，在晶片上，在衬底上，或在另一层上等)，沉积技术可以包括化学气相沉积(CVD，或CVD处理)和物理气相沉积(PVD，或PVD处理)。根据各个实施例，所沉积的层的厚度可以取决于其特定功能而在从几纳米达到若干微米的范围内。进一步地，根据各个实施例，取决于层的相应的特定功能，层可以包括电绝缘材料、电半传导材料和导电材料中的至少一种。根据各个实施例，PVD和CVD处理的变更可以被用在用于处理载体的方法中，例如，用于沉积电绝缘层、或用于利用导电材料填充空结构。根据各个实施例，化学气相沉积处理(CVD处理)可以包括多种变更，如例如，大气压 CVD (APCVD)JgS CVD (LPCVD)，超高真空 CVD (UHVCVD)、等离子体增强 CVD (PECVD)、高密度等离子体CVD (HDPCVD)、远程等离子体增强CVD (RPECVD)、原子层沉积(AL本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子器件，包括：载体，包括彼此横向邻近的至少第一区域和第二区域；电绝缘结构，被布置在所述载体的第一区域中，其中所述载体的第二区域没有所述电绝缘结构；第一电子部件，被布置在所述载体的第一区域中在所述电绝缘结构之上；第二电子部件，被布置在所述载体的第二区域中；其中所述电绝缘结构包括一个或更多个空室，其中所述一个或更多个空室的侧壁被覆盖有电绝缘材料。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：S比泽尔特，F希尔勒，T考奇，A毛德，FJ桑托斯罗德里格斯，W肖尔茨，HJ舒尔策，A希雷，
申请(专利权)人：英飞凌科技德累斯顿有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE