本发明专利技术提出了一种三维封装芯片硅通孔的测试装置，由探针卡、载片台和分别连接在探针卡和载片台上的第一测试信号线和第二测试信号组成了测试回路，测试部件的测试信号可以通过探针卡、第一测试信号线、第二测试信号线传输至载片台上的待测晶圆硅通孔的下表面，探针卡的探针能够逐一对待测晶圆的硅通孔上表面进行测试，从而能够精确的检验三维封装芯片硅通孔的质量，从得到的结果进一步寻找造成硅通孔不合格的原因，用于优化制造工艺。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造和测试领域，尤其涉及一种三维封装芯片硅通孔的测试装置。
技术介绍
三维封装芯片(3D芯片)由于其更高的密度、更高的传输速率及低功耗的优点逐渐受到人们的重视和研宄，而硅通孔(Through Silicon Via，TSV)技术能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大，使芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小，能够有效地实现这种3D芯片的层叠，制造出结构更复杂、性能更强大、更具成本效率的3D芯片。在三维封装芯片的制备工艺中，目前主要有四种不同的硅通孔互连制作技术:K0H溶液的湿法刻蚀、激光加工、深层等离子体刻蚀(DRIE)和光辅助电化学刻蚀(PAECE)。以DRIE为例，首先利用深层等离子刻蚀工艺在硅晶圆中刻蚀出半径为10 μ m的通孔。由于硅介质的导电性，所以必须在硅衬底与导电互连线之间形成电绝缘层来实现电隔离，通常为S12，对于铜材料填充的TSV，还需要在铜和绝缘层之间填加一层阻挡层如TiN，最后经化学电镀的方法在硅通孔中填充铜，经上述方法制作出的TSV。不同的方法有其自身不同的特点，由于制造工艺水平的限制，在制作完成后会出现一些失效TSV，这些失效TSV会导致由其互连的模块失效甚至整个3D芯片的失效。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种三维封装芯片硅通孔的测试装置，能够精确的检验三维封装芯片硅通孔的质量。为了实现上述目的，本专利技术提出了一种三维封装芯片硅通孔的测试装置，包括:测试部件、探针台、控制器、第一测试信号线及第二测试信号线，其中，所述测试部件上设有一探针卡，所述探针台内设有一用于承载待测晶圆的载片台，所述探针卡和载片台正对，所述探针卡连接所述第一测试信号线，所述载片台连接所述第二测试信号线，所述第一测试信号线和第二测试信号线相连，所述控制器与所述测试部件和探针台分别信号连接。进一步的，在所述的三维封装芯片硅通孔的测试装置中，所述第一测试信号线和第二测试信号均包括信号施加线和信号感知线，所述信号感知线为高阻线。进一步的，在所述的三维封装芯片硅通孔的测试装置中，所述载片台均匀连接4对第二测试信号线。进一步的，在所述的三维封装芯片硅通孔的测试装置中，所述探针台一侧壁设有开孔，固定一连接部件，所述第一测试信号线和第二测试信号线的一端均固定在所述连接部件内。进一步的，在所述的三维封装芯片硅通孔的测试装置中，所述控制器与所述探针台之间的通信协议为GPIB。进一步的，在所述的三维封装芯片硅通孔的测试装置中，所述载片台上设有若干个均匀分布的气孔。进一步的，在所述的三维封装芯片硅通孔的测试装置中，所述气孔的直径小于所述待测晶圆上硅通孔的直径。进一步的，在所述的三维封装芯片硅通孔的测试装置中，所述控制器与所述测试部件之间的通信协议为TC1。进一步的，在所述的三维封装芯片硅通孔的测试装置中，所述测试部件上还设有测试负载板和连接板，所述探针卡通过所述连接板连接在所述测试负载板上，所述测试负载板固定在所述测试部件上。与现有技术相比，本专利技术的有益效果主要体现在:由探针卡、载片台和分别连接在探针卡和载片台上的第一测试信号线和第二测试信号组成了测试回路，测试部件的测试信号可以通过探针卡、第一测试信号线、第二测试信号线传输至载片台上的待测晶圆硅通孔的下表面，探针卡的探针能够逐一对待测晶圆的硅通孔上表面进行测试，从而能够精确的检验三维封装芯片硅通孔的质量，从得到的结果进一步寻找造成硅通孔不合格的原因，用于优化制造工艺。【附图说明】图1为本专利技术一实施例中三维封装芯片硅通孔的测试装置的结构示意图。【具体实施方式】下面将结合示意图对本专利技术的三维封装芯片硅通孔的测试装置进行更详细的描述，其中表示了本专利技术的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本专利技术，而仍然实现本专利技术的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本专利技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本专利技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。请参考图1，在本实施例中，提出了一种三维封装芯片硅通孔的测试装置，包括:测试部件21、探针台30、控制器10、第一测试信号线41及第二测试信号线42，其中，所述测试部件21上设有一探针卡24，所述探针台30内设有一用于承载待测晶圆50的载片台31，所述探针卡24和载片台31正对，所述探针卡24连接所述第一测试信号线41，所述载片台31连接多对所述第二测试信号线42，所述第一测试信号线41和第二测试信号线42相连，所述控制器10与所述测试部件21和探针台30分别信号连接。具体的，所述测试部件21上还设有测试负载板(PIB)22和连接板(ToWer)23，所述探针卡24通过所述连接板23连接在所述测试负载板22上，所述测试负载板22固定在所述测试部件21上。所述控制器10与所述测试部件21之间的通信协议为TC1，用于进行信号的传输。在本实施例中，为了保证信号可精确加至载片台31，所述第一测试信号线41和所述第二测试信号42当前第1页1 2 本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种三维封装芯片硅通孔的测试装置，其特征在于，包括：测试部件、探针台、控制器、第一测试信号线及第二测试信号线，其中，所述测试部件上设有一探针卡，所述探针台内设有一用于承载待测晶圆的载片台，所述探针卡和载片台正对，所述探针卡连接所述第一测试信号线，所述载片台连接所述第二测试信号线，所述第一测试信号线和第二测试信号线相连，所述控制器与所述测试部件和探针台分别信号连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：余琨，祁建华，张志勇，叶守银，刘远华，罗斌，
申请(专利权)人：上海华岭集成电路技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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