【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种防止结构层脱落的MEMS器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，提供一具有介质层的衬底结构，并于该介质层的上表面依次制备一金属层和一氧化层，所述衬底结构、所述金属层和所述氧化层形成一微机电结构；S2，依次刻蚀所述氧化层、所述金属层至所述介质层中，以于所述微机电结构的空乏区域中形成凹槽；S3，继续制备一结构层，且该结构层覆盖所述凹槽的底部及其侧壁和剩余的氧化层上表面。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王伟，郑超，郭亮良，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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