【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成牺牲栅堆叠；在牺牲栅堆叠的侧壁上形成栅侧墙；在衬底上形成层间电介质层，并对其平坦化，以露出牺牲栅堆叠；部分地回蚀牺牲栅堆叠以形成开口；对所得的开口进行扩大，以使开口呈现从靠近衬底一侧向远离衬底一侧逐渐增大的形状；去除剩余的牺牲栅堆叠，并在栅侧墙内侧形成栅堆叠，其中栅堆叠包括栅介质层和栅导体层；部分地回蚀栅导体层；以及在回蚀后的栅导体层上形成应力施加层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧珑，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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