一种晶圆处理工艺及晶圆处理装置制造方法及图纸

技术编号:11529265 阅读:86 留言:0更新日期:2015-05-31 17:57
本发明专利技术实施例公开了一种晶圆处理工艺及晶圆处理装置,所述工艺包括:对激光切割后的晶圆进行裂片,以形成分散的多个晶粒;在裂片后的晶圆的P面覆盖粘贴紫外固化胶带,及在N面覆盖粘贴蓝膜胶带,对覆盖所述紫外固化胶带的P面进行曝光,然后去除所述紫外固化胶带,以使所述多个晶粒转移至所述蓝膜胶带上,实现提高切割晶圆速度,以及高效、准确的将晶粒阵列在蓝膜胶带上,提高晶粒电气特性的稳定性,并应用于封装线自动取料,有效提高生产效率和降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种晶圆处理工艺,其特征在于,晶圆包括P面和N面,包括:对激光切割后的晶圆进行裂片,以形成分散的多个晶粒;在裂片后的晶圆的P面覆盖粘贴紫外固化胶带,及在所述N面覆盖粘贴蓝膜胶带;对覆盖所述紫外固化胶带的P面进行曝光,以减小所述紫外固化胶带的粘性;去除所述紫外固化胶带,以使所述多个晶粒转移至所述蓝膜胶带上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:汪良恩张小明熊永平
申请(专利权)人:安徽安芯电子科技有限公司
类型:发明
国别省市:安徽;34

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