多触点凸块焊合晶片座制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多触点凸块焊合晶片座，包括晶片座本体，所述晶片座本体中央开设有焊合凹槽，所述焊合凹槽内设有多个凸焊块，所述凸焊块内部为空腔结构，所述凸焊块底部漏空设置，所述凸焊块上端面设置有平整状焊合接触面，所述凸焊块外侧壁上开设有多个透气孔。通过上述方式，本实用新型专利技术能够提供多触点粘合度更高的晶片座，使得晶片能牢牢焊合于晶片座上，并且晶片座具备良好透气性，散热效果更佳。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶片座领域，特别是涉及一种多触点凸块焊合晶片座。
技术介绍
通常，GaN基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点，首先蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好；其次蓝宝石的稳定性很好，能够运用在高温生长过程中；最后蓝宝石的机械强度高，易于处理和清洗。因此，大多数工艺一般都以蓝宝石作为衬底。蓝宝石的硬度非常高，在自然材料中其硬度仅次于金刚石。但蓝宝石的导热性能不是很好。因此在使用LED器件时，会传导出大量的热量；特别是对面积较大的大功率器件，导热性能是一个非常重要的考虑因素。而传统的晶片在焊合到晶片座时往往缺乏散热性的考虑，长时间使用后积攒的温度很容易使晶片发生一定的变化，影响使用。
技术实现思路
本技术主要解决的技术问题是提供一种多触点凸块焊合晶片座，能够提供多触点粘合度更高的晶片座，使得晶片能牢牢焊合于晶片座上，并且晶片座具备良好透气性，散热效果更佳。为解决上述技术问题，本技术采用的一个技术方案是:提供一种多触点凸块焊合晶片座，包括晶片座本体，所述晶片座本体中央开设有焊合凹槽，所述焊合凹槽内设有多个凸焊块，所述凸焊块内部为空腔结构，所述凸焊块底部漏空设置，所述凸焊块上端面设置有平整状焊合接触面，所述凸焊块外侧壁上开设有多个透气孔。在本技术一个较佳实施例中，所述凸焊块设置高度与所述焊合凹槽槽体高度相同齐平设置。在本技术一个较佳实施例中，所述透气孔与所述凸焊块底部连通。在本技术一个较佳实施例中，所述焊合凹槽深度为5mm-10mm。在本技术一个较佳实施例中，所述凸焊块为圆形体或者方形体。本技术的有益效果是:本技术能够提供多触点粘合度更高的晶片座，使得晶片能牢牢焊合于晶片座上，并且晶片座具备良好透气性，散热效果更佳。【附图说明】为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中:图1是本技术多触点凸块焊合晶片座一较佳实施例的结构示意图；附图中各部件的标记如下:1、晶片座本体；2、焊合凹槽；3、凸焊块；4、焊合接触面；5、透气孔。【具体实施方式】下面将对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术实施例包括:一种多触点凸块焊合晶片座，包括晶片座本体1，所述晶片座本体I中央开设有焊合凹槽2，所述焊合凹槽2内设有多个凸焊块3，所述凸焊块3内部为空腔结构，所述凸焊块3底部漏空设置，所述凸焊块3上端面设置有平整状焊合接触面4，所述凸焊块3外侧壁上开设有多个透气孔5。另外，所述凸焊块3设置高度与所述焊合凹槽2槽体高度相同齐平设置。另外，所述透气孔5与所述凸焊块3底部连通。另外，所述焊合凹槽2深度为5mm-10mm。另外，所述凸焊块3为圆形体或者方形体。本技术的工作原理为在晶片座本体I中央开设有焊合凹槽2，焊合凹槽2深度为5mm-10mm，焊合凹槽2内设有多个凸焊块3，凸焊块3设置高度与焊合凹槽2槽体高度相同齐平设置，凸焊块3内部为空腔结构，凸焊块3底部漏空设置，凸焊块3上端面设置有平整状焊合接触面4，凸焊块3外侧壁上开设有多个透气孔5，透气孔5与凸焊块3底部连通，凸焊块3的设置增加了晶片焊合时与晶片座本体I的接触度，并且凸焊点3有很好的散热效果，延长了使用寿命。以上所述仅为本技术的实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的
，均同理包括在本技术的专利保护范围内。【主权项】1.一种多触点凸块焊合晶片座，包括晶片座本体，其特征在于，所述晶片座本体中央开设有焊合凹槽，所述焊合凹槽内设有多个凸焊块，所述凸焊块内部为空腔结构，所述凸焊块底部漏空设置，所述凸焊块上端面设置有平整状焊合接触面，所述凸焊块外侧壁上开设有多个透气孔。2.根据权利要求1所述的多触点凸块焊合晶片座，其特征在于，所述凸焊块设置高度与所述焊合凹槽槽体高度相同齐平设置。3.根据权利要求1所述的多触点凸块焊合晶片座，其特征在于，所述透气孔与所述凸焊块底部连通。4.根据权利要求1所述的多触点凸块焊合晶片座，其特征在于，所述焊合凹槽深度为5mm_1mmο5.根据权利要求1所述的多触点凸块焊合晶片座，其特征在于，所述凸焊块为圆形体或者方形体。【专利摘要】本技术公开了一种多触点凸块焊合晶片座，包括晶片座本体，所述晶片座本体中央开设有焊合凹槽，所述焊合凹槽内设有多个凸焊块，所述凸焊块内部为空腔结构，所述凸焊块底部漏空设置，所述凸焊块上端面设置有平整状焊合接触面，所述凸焊块外侧壁上开设有多个透气孔。通过上述方式，本技术能够提供多触点粘合度更高的晶片座，使得晶片能牢牢焊合于晶片座上，并且晶片座具备良好透气性，散热效果更佳。【IPC分类】H01L23-13【公开号】CN204361075【申请号】CN201420802814【专利技术人】黄根友 【申请人】无锡科诺达电子有限公司【公开日】2015年5月27日【申请日】2014年12月18日本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多触点凸块焊合晶片座，包括晶片座本体，其特征在于，所述晶片座本体中央开设有焊合凹槽，所述焊合凹槽内设有多个凸焊块，所述凸焊块内部为空腔结构，所述凸焊块底部漏空设置，所述凸焊块上端面设置有平整状焊合接触面，所述凸焊块外侧壁上开设有多个透气孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：黄根友，
申请(专利权)人：无锡科诺达电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32