本实用新型专利技术涉及集成电路封装技术领域，尤其涉及一种防氧化集成电路封装结构，它包括架体外框、四个“Y”型卡盖和四个芯片；所述架体外框冲压成型有四个封装区，每个封装区均包括芯片座及设置于芯片座四周的导脚，每个芯片座均开设有散热凹台，散热凹台内设置有散热层，所述芯片放置于散热层上，每个芯片座外围均开设有插接口，四个“Y”型卡盖分别在一个封装区内盖住芯片后与对应的插接口插接，Y”型卡盖的中部开设有圆形通孔；所述架体外框在每个封装区四周冲压成型有裁切长孔所述架体外框的上下端面镀有防氧化镀金层；可同时封装多个芯片，降低成本，提高生产效率，保证封装质量，改善散热效果，避免产生氧化。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及集成电路封装
，尤其涉及一种防氧化集成电路封装结构。
技术介绍
随着集成电路技术的发展，集成电路的封装要求越来越严格。常见的封装工艺为，将IC芯片固定在导线架上，接着再利用胶体封装包覆保护IC芯片，如此即可完成半导体封装构造的基本架构。现有的集成电路封装结构，芯片用银胶粘接于芯片座上，并需通过烘烤步骤来固化银胶，使芯片固定于芯片座上。使用银胶致使成本较高，且生产效率较低，且发生封装不良或芯片故障等问题时，只能将固定于芯片座上的芯片直接报废，因而影响芯片的封装质量和最终成品的制程良率。且每个导线架只能封装一个芯片，生产效率较低，散热效果不佳，还容易产生氧化。
技术实现思路
本技术的目的在于针对现有技术的不足而提供一种防氧化集成电路封装结构，可同时封装多个芯片，降低成本，提高生产效率，保证封装质量，改善散热效果，避免产生氧化。为实现上述目的，本技术采用如下技术方案。一种防氧化集成电路封装结构，它包括架体外框、四个“Y”型卡盖和四个芯片；所述架体外框冲压成型有四个封装区，每个封装区均包括芯片座及设置于芯片座四周的导脚，每个芯片座均开设有散热凹台，散热凹台内设置有散热层，所述芯片放置于散热层上，每个芯片座外围均开设有插接口，四个“Y”型卡盖分别在一个封装区内盖住芯片后与对应的插接口插接“Y”型卡盖的中部开设有圆形通孔；每个芯片与对应的导脚之间连接有导线；所述架体外框在每个封装区四周冲压成型有裁切长孔，左右相邻及上下相邻两个封装区之间共有一个所述裁切长孔；所述架体外框的上下端面镀有防氧化镀金层；所述每个封装区的上下端设置有封装胶体。所述“Y”型卡盖包括“Y”型卡接片，“Y”型卡接片的三端设置有卡边，卡边与插接口插接。本技术有益效果为:本技术所述一种防氧化集成电路封装结构，可同时封装多个芯片，降低成本，提高生产效率，保证封装质量，改善散热效果，避免产生氧化。【附图说明】图1为本技术的俯视图。图2为本技术的一个封装区的剖视图。图3为本技术的“Y”型卡盖的结构示意图。【具体实施方式】下面结合附图对本技术作进一步的说明。如图1至图3所示，本技术所述一种防氧化集成电路封装结构，它包括架体外框1、四个“Y”型卡盖3和四个芯片2 ;所述架体外框I冲压成型有四个封装区，每个封装区均包括芯片座10及设置于芯片座10四周的导脚11，每个芯片座10均开设有散热凹台，散热凹台内设置有散热层13，所述芯片2放置于散热层13上，每个芯片座10外围均开设有插接口。四个“Y”型卡盖3分别在一个封装区内盖住芯片2后与对应的插接口插接，“Y”型卡盖3的中部开设有圆形通孔32，有助于封装胶体5封装时流入圆形通孔32内，更好地固定“Y”型卡盖3 ;每个芯片2与对应的导脚11之间连接有导线4 ;所述架体外框I在每个封装区四周冲压成型有裁切长孔12，左右相邻及上下相邻两个封装区之间共有一个所述裁切长孔12 ;所述架体外框I的上下端面镀有防氧化镀金层14 ;所述每个封装区的上端设置有封装胶体5，用于包覆并保护芯片2。进一步的，所述“Y”型卡盖3包括“Y”型卡接片30，“Y”型卡接片30的三端设置有卡边31，卡边31与插接口插接，该“Y”型卡盖3可将芯片2固定安装于芯片座10上，且安装简单快捷。封装时，先对架体外框I的上下端面镀一层防氧化镀金层14，然后在散热凹台内设置散热层13，散热层13可以是填充散热材料或放置散热铝合金块，然后将芯片2放置于散热层13上，将四个芯片2分别放置于一个芯片座10上，再分别用“Y”型卡接片30固定芯片2，接着再利用封装胶封装每个封装区的上下端，包覆并保护芯片2，然后使用刀具沿架体外框I的裁切长孔12进行切割，如此即可完成四个芯片2封装结构的基本架构，可同时封装多个芯片2，降低成本，提高生产效率，保证封装质量，改善散热效果，避免产生氧化。以上所述仅是本技术的较佳实施方式，故凡依本技术专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均包括于本技术专利申请范围内。【主权项】1.一种防氧化集成电路封装结构，其特征在于:它包括架体外框(I)、四个“Y”型卡盖(3)和四个芯片(2);所述架体外框(I)冲压成型有四个封装区，每个封装区均包括芯片座(10)及设置于芯片座(10)四周的导脚(11)，每个芯片座(10)均开设有散热凹台，散热凹台内设置有散热层(13)，所述芯片(2)放置于散热层(13)上，每个芯片座(10)外围均开设有插接口，四个“Y”型卡盖(3)分别在一个封装区内盖住芯片(2)后与对应的插接口插接，“Y”型卡盖(3)的中部开设有圆形通孔(32);每个芯片(2)与对应的导脚(11)之间连接有导线(4);所述架体外框(I)在每个封装区四周冲压成型有裁切长孔(12)，左右相邻及上下相邻两个封装区之间共有一个所述裁切长孔(12);所述架体外框(I)的上下端面镀有防氧化镀金层(14);所述每个封装区的上下端设置有封装胶体(5)。2.根据权利要求1所述的一种防氧化集成电路封装结构，其特征在于:所述“Y”型卡盖(3)包括“Y”型卡接片(30)，“Y”型卡接片(30)的三端设置有卡边(31 )，卡边(31)与插接口插接。【专利摘要】本技术涉及集成电路封装
，尤其涉及一种防氧化集成电路封装结构，它包括架体外框、四个“Y”型卡盖和四个芯片；所述架体外框冲压成型有四个封装区，每个封装区均包括芯片座及设置于芯片座四周的导脚，每个芯片座均开设有散热凹台，散热凹台内设置有散热层，所述芯片放置于散热层上，每个芯片座外围均开设有插接口，四个“Y”型卡盖分别在一个封装区内盖住芯片后与对应的插接口插接，Y”型卡盖的中部开设有圆形通孔；所述架体外框在每个封装区四周冲压成型有裁切长孔所述架体外框的上下端面镀有防氧化镀金层；可同时封装多个芯片，降低成本，提高生产效率，保证封装质量，改善散热效果，避免产生氧化。【IPC分类】H01L23-367, H01L25-00, H01L23-13【公开号】CN204315549【申请号】CN201420781102【专利技术人】奚志成 【申请人】东莞矽德半导体有限公司【公开日】2015年5月6日【申请日】2014年12月12日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种防氧化集成电路封装结构，其特征在于：它包括架体外框（1）、四个“Y”型卡盖（3）和四个芯片（2）；所述架体外框（1）冲压成型有四个封装区，每个封装区均包括芯片座（10）及设置于芯片座（10）四周的导脚（11），每个芯片座（10）均开设有散热凹台，散热凹台内设置有散热层（13），所述芯片（2）放置于散热层（13）上，每个芯片座（10）外围均开设有插接口，四个“Y”型卡盖（3）分别在一个封装区内盖住芯片（2）后与对应的插接口插接，“Y”型卡盖（3）的中部开设有圆形通孔（32）；每个芯片（2）与对应的导脚（11）之间连接有导线（4）；所述架体外框（1）在每个封装区四周冲压成型有裁切长孔（12），左右相邻及上下相邻两个封装区之间共有一个所述裁切长孔（12）；所述架体外框（1）的上下端面镀有防氧化镀金层（14）；所述每个封装区的上下端设置有封装胶体（5）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：奚志成，
申请(专利权)人：东莞矽德半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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