芳香族胺衍生物以及使用其的有机电致发光元件制造技术

技术编号:11517284 阅读:81 留言:0更新日期:2015-05-28 13:15
下式(1)表示的芳香族胺衍生物作为有机EL元件的构成成分是有用的,实现即使低电压驱动效率也高,且寿命长的有机EL元件。(式中,HAr1为二苯并呋喃基或二苯并噻吩基,Ar2是烷基、芳基或杂环基等,L1~L3分别独立地是单键或亚苯基)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】芳香族胺衍生物以及使用其的有机电致发光元件
本专利技术涉及芳香族胺衍生物以及使用其的有机电致发光元件。例如,涉及具有三亚苯骨架以及二苯并呋喃骨架和二苯并噻吩骨架的一者或两者的芳香族胺衍生物以及使用其的有机电致发光元件。
技术介绍
一般有机电致发光(EL)元件由阳极、阴极和夹在阳极和阴极之间的1层以上有机薄膜层构成。如果在两电极间施加电压,则电子由阴极侧、空穴由阳极侧注入发光区域,所注入的电子和空穴在发光区域再结合,形成激发状态,激发状态返回基态时发光。因此,将电子或空穴高效地传输至发光区域,使电子和空穴的再结合变得容易的化合物的开发对于得到高效率有机EL元件是重要的。通常,如果将有机EL元件在高温环境下驱动或保管,则产生发光色的变化、发光效率的降低、驱动电压的上升、发光寿命的缩短等问题。为了防止这样的问题,作为空穴传输材料,专利文献1公开了具有N-咔唑基直接键合于9,9-二苯基芴骨架的结构的芳香族胺衍生物,专利文献2公开了具有3-咔唑基直接键合于9,9-二甲基芴骨架的结构的芳香族胺衍生物,专利文献3公开了具有N-咔唑基苯基通过氮原子键合于9,9-二苯基芴骨架的结构的芳香族胺衍生物,专利文献4公开了具有3-咔唑基通过氮原子键合于9,9-二苯基芴骨架的结构的芳香族胺衍生物。专利文献5记载了具有选自芴骨架、咔唑骨架、二苯并呋喃骨架、二苯并噻吩骨架中的骨架的芳香族胺衍生物。但是,专利文献1~5中公开的芳香族胺衍生物对于驱动电压的降低、低电压驱动时的效率和长寿命化的改善不能说是充分的,要求进一步改善。专利文献6记载了具有三亚苯骨架和二苯并呋喃骨架(或二苯并噻吩骨架)的芳香族胺化合物。这样的芳香族胺化合物的例示化合物的大半必须具有咔唑骨架或末端二芳基氨基。专利文献6还记载了下述化合物。[化1]上述化合物具有1-二苯并噻吩基或1-二苯并呋喃基。这些基团的效率、寿命改善效果低,因此具有1-二苯并噻吩基或1-二苯并呋喃基的上述胺化合物的效率和寿命不充分。因此,要求开发可以实现即使低电压驱动效率也高、且寿命长的有机EL元件的有机EL元件用材料,特别是空穴传输材料。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开第07/148660号小册子专利文献2:国际公开第08/062636号小册子专利文献3:美国专利公开2007-0215889号公报专利文献4:日本特开2005-290000号公报专利文献5:国际公开第2011/021520号小册子专利文献6:国际公开第2012/039534号小册子。
技术实现思路
专利技术要解决的课题本专利技术是为了解决上述课题而进行的,目的在于提供能够实现可低电压驱动、长寿命且高效率的有机EL元件的有机EL元件用材料,例如空穴传输材料。解决课题的手段本专利技术人为了达到上述目的进行了深入研究,结果发现,具有三亚苯骨架、具有2-或4-二苯并呋喃基和2-或4-二苯并噻吩基的一者或二者直接或通过连接基键合于氮原子的结构的化合物的空穴注入性和空穴传输性良好,可实现能够低电压驱动、寿命长且高效率的有机EL元件。即,本专利技术提供下式(1)表示的芳香族胺衍生物,[化2](式中,HAr1表示选自下式(2)~(5)中的基团,[化3]式(2)~(5)中,n为0~4的整数,R分别独立地表示取代或未取代的碳数1~20的烷基、取代或未取代的环碳数6~50的芳基、取代或未取代的环原子数3~50的杂环基、卤素原子、取代或未取代的碳数1~20的氟烷基、取代或未取代的碳数1~20的烷氧基、取代或未取代的碳数1~20的氟烷氧基、取代或未取代的环碳数6~50的芳氧基或氰基,R存在多个时,该多个R可以相同也可以不同,L1~L3可以相同也可以不同,分别独立地表示单键、下式(6)表示的基团或式(7)表示的基团,[化4]Ar2表示取代或未取代的碳数1~20的烷基、取代或未取代的环碳数6~50的芳基、取代或未取代的环原子数3~50的杂环基、取代或未取代的碳数1~20的氟烷基、取代或未取代的碳数1~20的烷氧基、取代或未取代的碳数1~20的氟烷氧基、取代或未取代的碳数6~50的芳氧基或选自下式(8)~(11)中的基团,其中,Ar2不包括咔唑骨架和取代或未取代的氨基,[化5]式(8)~(11)中,n为0~4的整数,R分别独立地表示取代或未取代的碳数1~20的烷基、取代或未取代的环碳数6~50的芳基、取代或未取代的环原子数3~50的杂环基、卤素原子、取代或未取代的碳数1~20的氟烷基、取代或未取代的碳数1~20的烷氧基、取代或未取代的碳数1~20的氟烷氧基、取代或未取代的环碳数6~50的芳氧基或氰基,R存在多个时,该多个R可以相同也可以不同。进一步地,本专利技术提供有机电致发光元件,其具有阳极、阴极和阳极与阴极之间的1层以上的有机薄膜层,该1层以上的有机薄膜层含有发光层,其特征在于,该有机薄膜层的至少1层含有上式(1)表示的芳香族胺衍生物。专利技术效果通过使用本专利技术的芳香族胺衍生物,可以得到能够低电压驱动的长寿命、高效率有机EL元件。具体实施方式本说明书中,“取代或未取代的碳数a~b的X基”这一表述中的“碳数a~b”表示的是X基未取代的情况下的碳数,不包括X基被取代时的取代基的碳数。另外“氢原子”包括中子数不同的同位素,即氕(protium)、氘(deuterium)、氚(tritium)。进一步地,“取代或未取代”时的任意取代基选自碳数1~50(优选1~10、更优选1~5)的烷基;环碳数3~50(优选3~6、更优选5或6)的环烷基;环碳数6~50(优选6~24、更优选6~12)的芳基;具有环碳数6~50(优选6~24、更优选6~12)的芳基的碳数1~50(优选1~10、更优选1~5)的芳烷基;氨基;具有碳数1~50(优选1~10、更优选1~5)的烷基的单或二烷基氨基;具有环碳数6~50(优选6~24、更优选6~12)的芳基的单或二芳基氨基;具有碳数1~50(优选1~10、更优选1~5)的烷基的烷氧基;具有环碳数6~50(优选6~24、更优选6~12)的芳基的芳氧基;具有选自碳数1~50(优选1~10、更优选1~5)的烷基和环碳数6~50(优选6~24、更优选6~12)的芳基中的基团的单、二或三取代甲硅烷基;环原子数5~50(优选5~24、更优选5~12)、含有1~5个(优选1~3个、更优选1~2个)杂原子(氮原子、氧原子、硫原子)的杂芳基;卤素原子(氟原子、氯原子、溴原子、碘原子);氰基;硝基。本专利技术的芳香族胺衍生物具有三亚苯骨架,用下式(1)表示。[化6]三亚苯骨架的平面性优异,因此本专利技术的芳香族胺衍生物在薄膜中分子之间密合地排列,薄膜的取向性好。结果可以使驱动电压降低。另外,三亚苯骨架由于玻璃化转变温度(Tg)高,因此本专利技术的芳香族胺衍生物的Tg高,稳定,有机EL元件的寿命变长。式(1)中,HAr1表示选自下式(2)~(5)中的基团。[化7]HAr1如果是式(2)或(3)表示的基团则可以期待长寿命化,如果为式(4)或(5)表示的基团,则可以期待高效率化。式(2)~(5)中,n为0~4的整数,优选为0~2的整数,特别优选为0。n=0表示不存在取代基R。R分别独立地表示取代或未取代的碳数1~20、优选1~5、更优选1~4的烷基、取代或未取代的环碳数6~50、优选6~24本文档来自技高网
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【技术保护点】
下式(1)表示的芳香族胺衍生物,[化1]式中,HAr1表示选自下式(2)~(5)中的基团,[化2]式(2)~(5)中,n为0~4的整数,R分别独立地表示取代或未取代的碳数为1~20的烷基、取代或未取代的环碳数为6~50的芳基、取代或未取代的环原子数为3~50的杂环基、卤素原子、取代或未取代的碳数为1~20的氟烷基、取代或未取代的碳数为1~20的烷氧基、取代或未取代的碳数为1~20的氟烷氧基、取代或未取代的环碳数为6~50的芳氧基或氰基,R存在多个时,该多个R可以相同也可以不同,L1~L3可以相同也可以不同,分别独立地表示单键、下式(6)表示的基团或下式(7)表示的基团,[化3]Ar2表示取代或未取代的碳数为1~20的烷基、取代或未取代的环碳数为6~50的芳基、取代或未取代的环原子数为3~50的杂环基、取代或未取代的碳数为1~20的氟烷基、取代或未取代的碳数为1~20的烷氧基、取代或未取代的碳数为1~20的氟烷氧基、取代或未取代的碳数为6~50的芳氧基或选自下式(8)~(11)中的基团,其中,Ar2不包括咔唑骨架和取代或未取代的氨基,[化4]式(8)~(11)中,n为0~4的整数,R分别独立地表示取代或未取代的碳数为1~20的烷基、取代或未取代的环碳数为6~50的芳基、取代或未取代的环原子数为3~50的杂环基、卤素原子、取代或未取代的碳数为1~20的氟烷基、取代或未取代的碳数为1~20的烷氧基、取代或未取代的碳数为1~20的氟烷氧基、取代或未取代的环碳数为6~50的芳氧基或氰基,R存在多个时,该多个R可以相同也可以不同。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.08.30 JP 2012-1905981.下式(1)表示的芳香族胺衍生物,[化1]式中,HAr1表示选自下式(2)~(5)中的基团,[化2]式(2)~(5)中,n为0~2的整数,R分别独立地表示甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、苯基、氟原子或氰基,R存在多个时,该多个R可以相同也可以不同,L1~L3可以相同也可以不同,分别独立地表示单键或下式(6)表示的基团,[化3]Ar2表示选自下式(8)~(11)中的基团,[化4]式(8)~(11)中,n为0~2的整数,R分别独立地表示甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、苯基、氟原子或氰基,R存在多个时,该多个R可以相同也可以不同。2.根据权利要求1所述的芳香族胺衍生物,其中,式(6)表示的基团为邻亚苯基、间亚苯基或对亚苯基。3.根据权利要求1所述的芳香族胺衍生物,其中,L1~L3分别为单键或对亚苯基。4.根据权利要求1所述的芳香族胺衍生物,其用下式(12)表示,[化5]式中,HAr1、Ar2、L2...

【专利技术属性】
技术研发人员:加藤朋希佐土贵康藤山高广
申请(专利权)人:出光兴产株式会社三井化学株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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