用于制造倒装芯片电路装置的方法以及倒装芯片电路装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于制造倒装芯片电路装置(3)的方法，所述方法具有至少以下步骤：制造或提供具有第一表面(4)的电路载体(1)以及具有第二表面(6)的单片半导体元件(2)；求取所述电路载体(1)的第一表面(4)的高度轮廓；施加第一接触机构到所述第一表面(4)上并且施加分配给所述第一接触机构的第二接触机构到所述第二表面(6)上，其中，根据所求取的高度轮廓选择所述第一接触机构的第一接触高度和/或所述第二接触机构的第二接触高度，在所述电路载体(1)上装配所述半导体元件(2)，并且通过安放所述第二接触机构到所述第一接触机构上以及挤压所述半导体元件(2)与所述电路载体(1)在所述第一接触机构和/或所述第二接触机构变形的情况下构造在所述第一接触机构与所述第二接触机构之间的电连接。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于制造倒装芯片电路装置(3)的方法，所述方法具有至少以下步骤：制造或提供具有第一表面(4)的电路载体(1)以及具有第二表面(6)的单片半导体元件(2)；求取所述电路载体(1)的第一表面(4)的高度轮廓(22)；施加第一接触机构(5、5.1、5.2、5.3)到所述第一表面(4)上并且施加分配给所述第一接触机构(5、5.1、5.2、5.3)的第二接触机构(7、7.1、7.2、7.3)到所述第二表面(6)上，其中，根据所求取的高度轮廓(22)选择所述第一接触机构(5、5.1、5.2、5.3)的第一接触高度(23.1、23.2、23.3)和/或所述第二接触机构(7、7.1、7.2、7.3)的第二接触高度(24.1、24.2、24.3)，在所述电路载体(1)上装配所述半导体元件(2)，并且通过安放所述第二接触机构(7、7.1、7.2、7.3)到所述第一接触机构(5、5.1、5.2、5.3)上以及挤压所述半导体元件(2)与所述电路载体(1)在第一接触机构(5、5.1、5.2、5.3)和/或所述第二接触机构(7、7.1、7.2、7.3)变形的情况下构造在所述第一接触机构(5、5.1、5.2、5.3)与所述第二接触机构(7、7.1、7.2、7.3)之间的电连接。...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：F·里希特，
申请(专利权)人：罗伯特·博世有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE