GaAs基发光二极管芯片上GaP粗糙表面的制备方法技术

一种GaAs基发光二极管芯片上GaP粗糙表面的制备方法，包括步骤如下：（1）在GaAs基外延片的GaP窗口层表面蒸镀一层Au膜作为p型电极，在GaP窗口层上保留电极图形；（2）在步骤（1）保留的电极图形保护下制备p型金属电极和粗糙的GaP出光面；首先配置对Au和GaP均能造成腐蚀作用的腐蚀液，将步骤（1）制备的GaAs基外延片放入所述腐蚀液进行腐蚀，得到p型金属电极和粗糙的GaP出光面。本发明专利技术通过配置对Au、GaP均能造成腐蚀作用的腐蚀液，制备p型金属电极和粗糙的GaP出光面，可彻底的去除不需要的金属，并保证粗糙表面的角度，取消了需要单独进行表面粗糙的工艺，简化了工艺流程，缩短了生产周期，提高了出光效率，稳定了芯片品质。

【技术实现步骤摘要】
GaAs基发光二极管芯片上GaP粗糙表面的制备方法
本专利技术涉及一种GaAs基发光二极管芯片上GaP粗糙表面的制备方法，属于光电子

技术介绍
LED是第一个进入市场的商用化合物半导体,已经有40多年的发展历程。最早的LED是采用LPE(液相外延生长)技术做成的红光GaAsPLED,但是这些LED的性能相对于目前来说比较低。1970年,在GaP和GaAsP中加入氮的方法提出后,提升了LED的性能并且制作出了除红光以外的绿光、橘黄色光等LED器件。20世纪80年代初,利用液相淀积技术制成的AlGaAsLED具有较好的性能。20世纪90年代后,由于新型材料以及新的外延技术引入到红光LED的研究中,利用有机金属化学气相淀积法(MOCVD)制作的GaAs基AlGaInPLED大大改善了红色和黄色光谱区的LED性能。现阶段GaAs基LED的研究已经取得较大的成果，特别是现阶段内量子效率已经超过90％，由于GaAs基LED出光窗口层一般都选用GaP，而GaP的折射率为3.14和空气的折射率差别较大，因为半导体的折射率n2远远大于媒质(空气)的折射率n1，所以只有满足入射角小于临界角的光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种GaAs基发光二极管芯片上GaP粗糙表面的制备方法，其特征是，包括步骤如下：(1)在GaAs基外延片的GaP窗口层表面蒸镀一层Au膜作为p型电极，在GaP窗口层上保留电极图形；首先在GaAs基外延片的上表面蒸镀一层Au膜作为p型电极；再在所述Au膜上涂上正性光刻胶，然后进行光刻，在GaP窗口层上保留正性光刻胶的电极图形；(2)在步骤(1)保留的电极图形保护下制备p型金属电极和粗糙的GaP出光面；首先配置对Au和GaP均能造成腐蚀作用的腐蚀液，将步骤(1)制备的GaAs基外延片放入所述腐蚀液进行腐蚀，腐蚀掉未被正性光刻胶保护的Au膜并对GaP窗口层粗糙化处理，腐蚀完成后再去除正性光刻胶，得到...

【技术特征摘要】
1.一种GaAs基发光二极管芯片上GaP粗糙表面的制备方法，其特征是，包括步骤如下：（1）在GaAs基外延片的GaP窗口层表面蒸镀一层Au膜作为p型电极，在GaP窗口层上保留电极图形；首先在GaAs基外延片的上表面蒸镀一层Au膜作为p型电极；再在所述Au膜上涂上正性光刻胶，然后进行光刻，在GaP窗口层上保留正性光刻胶的电极图形；（2）在步骤（1）保留的电极图形保护下制备p型金属电极和粗糙的GaP出光面；首先配置对Au和GaP均能造成腐蚀作用的腐蚀液，将步骤（1）制备的GaAs基外延片放入所述腐蚀液进行腐蚀，腐蚀掉未被正性光...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓明，陈康，申加兵，盖克彬，徐现刚，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37